公开(公告)号：CN110875336A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910800912.X

申请日：2019-08-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高畑仁志 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  原健吾 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  原义仁

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法，能够实现具备有机绝缘膜(OIL)、以及被两层配线化的第1源极层(FSL2～FSL4)和第2源极层(SSL1～SSL3)的、成品率高的有源矩阵基板(1)。在有源矩阵基板(1)中，第1源极层(FSL2～FSL4)和第2源极层(SSL1～SSL3)中的、配置为离基板(2)更远的第2源极层(SSL1～SSL3)隔着第2无机绝缘膜(SINOIL)与有机绝缘膜(OIL)接触。

公开(公告)号：CN110867453A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910682845.6

申请日：2019-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  原健吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法，消除随着各接触孔的形成而出现的问题。阵列基板(11B)具备：第1TFT(15)；第1源极侧连接部(19)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1源极区域(15B)；第1漏极侧连接部(20)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1漏极区域(15C)；第2TFT(24)，其由第1TFT(15)驱动；第2源极侧连接部(28)，其包括第1金属膜(39)的一部分，连接到第2源极区域(24B)；以及第2漏极侧连接部(29)，其包括第1金属膜(39)或第2透明电极膜(48)的一部分，连接到第2漏极区域(24C)。

公开(公告)号：CN110521003A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880021738.2

申请日：2018-03-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田辉幸 ,  北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  菊池哲郎 ,  伊藤俊克 ,  原健吾

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L27/32 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50

Abstract: 有源矩阵基板的氧化物半导体TFT(201)具有：氧化物半导体层(107)；上部栅极电极(112)，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极(113)和漏极电极(114)，氧化物半导体层(107)在从基板的法线方向观看时包含：第1部分(p1)，其与上部栅极电极重叠；以及第2部分(p2)，其位于第1部分与源极接触区域或漏极接触区域之间，栅极绝缘层未覆盖第2部分，上部栅极电极(112)具有包含与栅极绝缘层接触的合金层(112L)和配置在合金层上的金属层(112U)的层叠结构，金属层由第1金属元素M形成，合金层由包含第1金属元素M的合金形成，第1金属元素M是Cu、Mo或Cr。

公开(公告)号：CN109599362A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811125993.X

申请日：2018-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  大东彻 ,  今井元 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  原健吾

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

Abstract: 一种薄膜晶体管基板的制造方法和薄膜晶体管基板，提高开口率并且缓和台阶。阵列基板的制造方法具备：第1金属膜形成工序；栅极绝缘膜形成工序；半导体膜形成工序；第2金属膜形成工序；光致抗蚀剂膜形成工序，使用半色调掩模将形成在第2金属膜的上层侧的光致抗蚀剂膜图案化；第1蚀刻工序，将第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的部分选择性地除去；低电阻化工序，将半导体膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的像素电极构成部选择性地进行低电阻化处理而形成像素电极；第2膜厚部除去工序，将光致抗蚀剂膜的第2膜厚部选择性地除去；以及第2蚀刻工序，将与光致抗蚀剂膜的第1膜厚部不重叠的第2金属膜的电极间部选择性地除去。

公开(公告)号：CN105793772B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201480063249.5

申请日：2014-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  原义仁 ,  中田幸伸

IPC: G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: 液晶面板(11)包括：阵列基板(11b)，其具有显示部(AA)和非显示部(NAA)；配置在非显示部(NAA)的行控制电路部(28)；构成行控制电路部(28)的第一配线部(29)；第二配线部(30)，其构成行控制电路部(28)，并且以与第一配线部(29)交叉的形式配置在第一配线部(29)的上层侧；以介于第一配线部(29)与第二配线部(30)之间的形式配置的栅极绝缘膜(35)；和有机绝缘膜(40)，其配置在第二配线部(30)的上层侧，并且具有至少在与第一配线部(29)和第二配线部(30)的交叉部位(29a、30a)重叠的范围开口的开口部(31)，且由有机树脂材料构成。

公开(公告)号：CN106663470A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580035417.4

申请日：2015-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 末木俊次 ,  岩瀬泰章 ,  渡部卓哉 ,  田川晶 ,  原健吾

IPC: G11C19/28 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G11C19/00

Abstract: 本发明实现一种扫描信号线驱动用的移位寄存器，其能够在确保对长期动作的可靠性的同时实现显示装置的窄边框化和低耗电化。各级构成电路内的输出控制节点稳定部(420)包括：薄膜晶体管(M5)该薄膜晶体管(M5)的栅极端子被提供在从前一级输出的扫描信号应该从截止电平变化为导通电平的时刻从截止电平变化为导通电平的第四时钟(CKD)，漏极端子与输出控制节点(NA)连接，源极端子被提供从前一级输出的扫描信号；和薄膜晶体管(M6)，该薄膜晶体管(M6)的栅极端子被提供在从后一级输出的扫描信号应该从截止电平变化为导通电平的时刻从截止电平变化为导通电平的第三时钟(CKC)，漏极端子与输出控制节点(NA)连接，源极端子被提供从后一级输出的扫描信号。