公开(公告)号：CN103988288A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280058807.X

申请日：2012-12-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/134372 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66969

Abstract: 具备薄膜晶体管(10a)的半导体装置(100a)具备：在基板(60)上形成的栅极电极(62)；在栅极电极上形成的栅极绝缘层(66)；在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(68)；分别与氧化物半导体层电连接的源极电极(70s)和漏极电极(70d)；在氧化物半导体层、源极电极和漏极电极上形成的保护层(72)；在保护层上形成的氧供给层(74)；在氧供给层上形成的扩散防止层(78)；和在扩散防止层上形成的由非晶透明氧化物形成的透明电极(81)。

公开(公告)号：CN103794511A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310526469.4

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  保坂泰靖 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及显示装置以及电子设备，本发明的目的之一是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的一个方式的显示装置包括：像素部104；以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106，其中所述像素部包括：像素晶体管252；覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第一绝缘膜124；设置在所述第一绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126；以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130，所述驱动电路部包括：对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250；覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜；以及形成在所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，并且，所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。