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公开(公告)号：CN104103668A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410144456.5
申请日：2014-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/10 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L23/3121 , H01L23/564 , H01L27/1248 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN103794511A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310526469.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及显示装置以及电子设备，本发明的目的之一是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的一个方式的显示装置包括：像素部104；以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106，其中所述像素部包括：像素晶体管252；覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第一绝缘膜124；设置在所述第一绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126；以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130，所述驱动电路部包括：对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250；覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜；以及形成在所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，并且，所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。
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公开(公告)号：CN103794511B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201310526469.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/3262
Abstract: 本公开涉及显示装置以及电子设备,本发明的目的之是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的个方式的显示装置包括:像素部104;以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106,其中所述像素部包括:像素晶体管252;覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第绝缘膜124;设置在所述第绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126;以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130,所述驱动电路部包括:对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250;覆盖所述驱动晶体管的所述第绝缘膜;以及形成在所述第绝缘膜上的所述第二绝缘膜,并且,所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。
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公开(公告)号：CN104103668B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201410144456.5
申请日：2014-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/10 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN119156711A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380024902.6
申请日：2023-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H05B33/02 , H10K50/00
Abstract: 提供一种新颖半导体装置。本发明是组合横向沟道型晶体管和纵向沟道型晶体管的半导体装置。使用横向沟道型晶体管构成p沟道型晶体管且使用纵沟道型晶体管构成n沟道型晶体管，由此实现CMOS型半导体装置。在与横向沟道型晶体管的栅电极重叠的区域的绝缘层中设置开口，在该开口中形成纵向沟道型晶体管。在纵向沟道型晶体管的半导体层中使用氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN119013789A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380027455.X
申请日：2023-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1335 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H05B33/14 , H10K50/00
Abstract: 提供一种包括微小的晶体管的半导体装置。提供一种包括晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层、包括隔着第一绝缘层与第一导电层重叠的区域的第二导电层、第三导电层以及第三绝缘层。第二导电层及第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口，第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一绝缘层、第一半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二绝缘层设置在第三导电层及第三绝缘层上。
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公开(公告)号：CN118866977A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411277545.7
申请日：2019-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , G02F1/1368 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/28
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
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公开(公告)号：CN115954389A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310067813.1
申请日：2017-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L27/12
Abstract: 提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜包含铟、镓、锡及锌中的至少一个。第二氧化物半导体膜是复合氧化物半导体。复合氧化物半导体包括第一区域和第二区域。第一区域包含InaMbZncOd(a、b、c和d分别表示任意数)，第二区域包含InxZnyOz(x、y和z分别表示任意数)。
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公开(公告)号：CN107123688B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201710352139.6
申请日：2013-06-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。
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公开(公告)号：CN112514079A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050350.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
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