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公开(公告)号：CN103794511B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201310526469.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/3262
Abstract: 本公开涉及显示装置以及电子设备,本发明的目的之是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的个方式的显示装置包括:像素部104;以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106,其中所述像素部包括:像素晶体管252;覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第绝缘膜124;设置在所述第绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126;以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130,所述驱动电路部包括:对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250;覆盖所述驱动晶体管的所述第绝缘膜;以及形成在所述第绝缘膜上的所述第二绝缘膜,并且,所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。
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公开(公告)号：CN104103668A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410144456.5
申请日：2014-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/10 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L23/3121 , H01L23/564 , H01L27/1248 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN103794511A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310526469.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及显示装置以及电子设备，本发明的目的之一是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的一个方式的显示装置包括：像素部104；以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106，其中所述像素部包括：像素晶体管252；覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第一绝缘膜124；设置在所述第一绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126；以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130，所述驱动电路部包括：对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250；覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜；以及形成在所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，并且，所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。
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公开(公告)号：CN104103668B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201410144456.5
申请日：2014-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/10 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN119678670A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058213.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种同时实现低功耗和高性能的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一至第三导电层、第一半导体层及第二绝缘层。第一绝缘层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口。第一半导体层在开口中与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第二导电层的侧面接触。第一半导体层具有隔着第二绝缘层与第三导电层重叠的区域。第二晶体管包括第二半导体层、第二及第三绝缘层以及第四导电层。第二半导体层的端部与第三绝缘层的端部一致或大致一致。第二半导体层具有隔着第二绝缘层及第三绝缘层与第四导电层重叠的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119137749A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380037713.2
申请日：2023-05-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H05B45/60 , H10K50/10
Abstract: 提供一种具有低功耗及高性能的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第一绝缘层上。第一绝缘层及第二导电层包括到达第一导电层的开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二半导体层设置于第一半导体层上。第二绝缘层设置于第二半导体层上。第三导电层设置于第二绝缘层上。第一半导体层的导电率比第二半导体层的导电率高。
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公开(公告)号：CN118591888A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380018329.8
申请日：2023-02-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/417 , H05B33/02 , H05B33/10 , H10K50/00
Abstract: 提供一种包括尺寸微小的晶体管的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。半导体层与第一绝缘层的顶面及侧面以及第一导电层的顶面接触。第二导电层设置在半导体层上。第二导电层在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。第二绝缘层设置在半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层与第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括膜密度比第三绝缘层高的区域。
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公开(公告)号：CN118556296A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202380017236.3
申请日：2023-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/146 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/22 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 提供一种包括微细的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。第一绝缘层设置在第一导电层上并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域包括第二开口。半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二绝缘层设置在半导体层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层及第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括其膜密度比第三绝缘层高的区域。
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公开(公告)号：CN118173450A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410270490.0
申请日：2019-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/44 , H01L29/786
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置的制造方法。半导体装置通过如下工序制造：形成包含金属氧化物的半导体层的第一工序；形成第一绝缘层的第二工序；在第一绝缘层上形成第一导电膜的第三工序；通过对第一导电膜的一部分进行蚀刻来形成第一导电层，形成第一导电层重叠于半导体层上的第一区域以及第一导电层不重叠与半导体层上的第二区域的第四工序；以及对导电层进行第一处理的第五工序。第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体与含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN111129039B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201911375684.2
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H10K59/121 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。
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