具有可变强度二极管的空间光调制器

    公开(公告)号:CN111886543B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN201980018636.X

    申请日:2019-02-05

    Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及一种图像投影系统。该图像投影系统包括有源矩阵固态发射器(SSE)装置。该有源矩阵固态发射器包括基板、硅层和发射器基板。该硅层经沉积在具有多个晶体管形成于其中的该基板之上。该发射器基板经定位在该硅层与该基板之间。该发射器基板包含多个发射器阵列。每个发射器阵列限定像素,其中一个像素包含来自该多个晶体管的一个或多个晶体管。每个晶体管经配置以接收可变量的电流。

    用于空间光调制器的减少数据流的方法

    公开(公告)号:CN112262346B

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN201980039171.6

    申请日:2019-05-22

    Abstract: 本公开内容的实施方式提供了使用固态发射器阵列的改进的光刻系统和方法。固态发射器阵列包括以行和列布置的固态发射器装置,其中每个固态发射器装置包括两个或更多个子像素。每个固态发射器装置包括一个程序栅极,其可将电压传送到状态存储节点。状态存储节点与驱动栅极电连通。驱动栅极与两个或更多个固态发射器子像素连通。与单个驱动栅极连通的多个子像素的布置允许多于一个脉冲被传送到驱动栅极,导致在每个驱动栅极处照射有多于一个子像素。冗余的结果是改善的数据效率。

    用于光刻拼接的系统、软件应用程序及方法

    公开(公告)号:CN114945870A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202080092787.2

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本公开内容的实施方式关于用于在光源的传播方向上定位掩模的方法。掩模对应于待写入基板的光刻胶层中的图案。通过拼接第一掩模和第二掩模来定位掩模。第一掩模包括一组第一特征,第一特征具有在第一特征界面处从第一特征延伸的第一特征延伸部分。第二掩模包括一组第二特征,第二特征具有在第二特征界面处从第二特征延伸的第二特征延伸部分。每个第一特征延伸部分与每个对应的第二特征延伸部分拼接,以形成第一对掩模的第一拼接部分的每个拼接部分。第一对掩模的拼接部分限定了要写入光刻胶层中的图案的一部分。

    用于无掩模光刻的多色调方案

    公开(公告)号:CN114556220A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202080069582.2

    申请日:2020-08-19

    Abstract: 本文描述的示例提供了一种用于在单程中写入多个色调的光刻工艺的系统、软件应用和方法。一种系统包括工作台和光刻系统。所述光刻系统包括图像投影系统、控制器和存储器。所述控制器耦接到所述存储器,所述存储器存储指令代码。所述控制器对所述指令代码的执行致使所述控制器控制所述工作台和所述图像投影系统以迭代地曝光由所述工作台支撑的光刻胶和使所述工作台在顺序对的所述曝光之间相对于所述图像投影系统移动步距。每次曝光包括使用从所述图像投影系统投射的写入束。每次曝光是以不同剂量中的相应一者。所述不同剂量的累积是用于所述光刻胶的全色调剂量。

    降低线波度的方法
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113791522A

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202111006864.0

    申请日:2017-03-29

    Abstract: 本文公开的实施方式涉及一种曝光图案变更软件应用程序,曝光图案变更软件应用程序操纵具有角度的线的曝光多边形,所述角度实质上接近于六边形密集体布置的对称角度,曝光多边形具有长错位部。长错位部其本身是呈现为高边缘放置误差区域。因此,曝光图案变更软件应用程序通过在受影响角度处将多边形边缘锯齿化来提供线波减少,从而在制造工艺中的无掩模光刻图案化期间减小边缘放置误差。

    降低线波度的方法
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108885393B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN201780020264.5

    申请日:2017-03-29

    Abstract: 本文公开的实施方式涉及一种曝光图案变更软件应用程序,曝光图案变更软件应用程序操纵具有角度的线的曝光多边形,所述角度实质上接近于六边形密集体布置的对称角度,曝光多边形具有长错位部。长错位部其本身是呈现为高边缘放置误差区域。因此,曝光图案变更软件应用程序通过在受影响角度处将多边形边缘锯齿化来提供线波减少,从而在制造工艺中的无掩模光刻图案化期间减小边缘放置误差。

    在保持高图像对比度的同时提高无掩模光刻的分辨率的方法

    公开(公告)号:CN112654929A

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201980056244.2

    申请日:2019-08-14

    Abstract: 本公开内容文描述的实施方式涉及一种软件应用平台,该软件应用平台增强基板上的图像图案分辨率。该应用平台方法包括:运行算法以提供用于在目标上形成图案的不同目标多边形。确定可由DMD形成的最小特征尺寸。针对小于最小特征尺寸的每个目标多边形,确定对一个或多个目标多边形进行线偏置或照射偏置以在目标多边形的边界处实现可接受的曝光对比度。小于最小特征尺寸的一个或多个目标多边形被偏置以在基板上形成数字化的图案。当DMD的第一镜的质心在一个或多个目标多边形内时,输送电磁辐射以从第一镜反射。

    用于3D图案成形的数字灰色调光刻

    公开(公告)号:CN106575604B

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201580040272.7

    申请日:2015-07-13

    Abstract: 本文描述一种处理基板的方法。所述方法包括将基板定位于阶台上,阶台与无掩模直写图案产生器相关联。基板具有形成于其上的未显影、未曝光的光刻胶层。光刻胶层具有多个写入像素位置。所述方法包括将预定用量的电磁能从图案产生器传送至每个写入像素位置。第一预定用量是全色调用量,且第一预定用量被传送到至少一个写入像素位置。第二预定是部分色调用量,且第二预定用量被传送到至少一个写入像素位置。第三预定用量是部分用量或零色调用量。第三预定用量被传送到至少一个写入像素位置,且第三预定用量不同于第二预定用量。

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