微LED阵列作为照射源
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075185B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN201780026100.3

    申请日:2017-06-12

    Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于执行光刻工艺的设备和系统。更具体地,提供用于将图像投影到基板上的紧凑照射工具。在一个实施方式中,一种照射工具包括微LED阵列,所述微LED阵列包括一个或多个微LED。每个微LED产生至少一个光束。所述照射工具还包括:分束器,与所述微LED阵列相邻;一个或多个耐火透镜部件,与所述分束器相邻;和投影透镜,与所述一个或多个耐火透镜部件相邻。安装板有利地提供具有多个照射工具的系统中的紧凑对准,所述照射工具中的每个是可容易地移除和替换的。

    用于无掩模光刻技术的半色调方案

    公开(公告)号:CN113454537A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202080015262.9

    申请日:2020-01-24

    Abstract: 本文描述的实施方式提供光刻工艺的系统、软件应用、及方法,以在单程中写入全色调部分及灰色调部分。实施方式包括经构造以提供掩模图案数据至光刻系统的控制器。控制器经构造以通过至少灰色调组的空间光调制器像素和全色调组的空间光调制器像素来在空间上划分多个空间光调制器像素。当由控制器划分时,灰色调组的空间光调制器像素是可操作的,以将第一数量的多次发射投射至多个全色调曝光多边形及多个灰色调曝光多边形,而全色调组的空间光调制器像素是可操作的,以将第二数量的多次发射投射至多个全色调曝光多边形。

    偏移图案以减少线波动
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112272797A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN201980039094.4

    申请日:2019-05-15

    Abstract: 本案描述的实施方式提供了一种在数字光刻工艺期间偏移掩模图案数据的方法,以减少曝光图案的线波动。所述方法包括将具有多个曝光多边形的掩模图案数据提供给数字光刻系统的处理单元。处理单元具有多个图像投射系统,其接收掩模图案数据。每个图像投射系统对应于基板的多个部分的一部分,并接收对应于所述部分的曝光多边形。在多个图像投射系统下扫描基板,且在偏移掩模图案数据时将多个发射投射到所述多个部分。多个发射的每个发射在对应于所述部分的曝光多边形内。

    微LED阵列作为照射源
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109075185A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780026100.3

    申请日:2017-06-12

    Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于执行光刻工艺的设备和系统。更具体地,提供用于将图像投影到基板上的紧凑照射工具。在一个实施方式中,一种照射工具包括微LED阵列,所述微LED阵列包括一个或多个微LED。每个微LED产生至少一个光束。所述照射工具还包括:分束器,与所述微LED阵列相邻;一个或多个耐火透镜部件,与所述分束器相邻;和投影透镜,与所述一个或多个耐火透镜部件相邻。安装板有利地提供具有多个照射工具的系统中的紧凑对准,所述照射工具中的每个是可容易地移除和替换的。

    用于光刻拼接的系统、软件应用程序及方法

    公开(公告)号:CN114945870B

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202080092787.2

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本公开内容的实施方式关于用于在光源的传播方向上定位掩模的方法。掩模对应于待写入基板的光刻胶层中的图案。通过拼接第一掩模和第二掩模来定位掩模。第一掩模包括一组第一特征,第一特征具有在第一特征界面处从第一特征延伸的第一特征延伸部分。第二掩模包括一组第二特征,第二特征具有在第二特征界面处从第二特征延伸的第二特征延伸部分。每个第一特征延伸部分与每个对应的第二特征延伸部分拼接,以形成第一对掩模的第一拼接部分的每个拼接部分。第一对掩模的拼接部分限定了要写入光刻胶层中的图案的一部分。

    在保持高图像对比度的同时提高无掩模光刻的分辨率的方法

    公开(公告)号:CN112654929B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN201980056244.2

    申请日:2019-08-14

    Abstract: 本公开内容文描述的实施方式涉及一种软件应用平台,该软件应用平台增强基板上的图像图案分辨率。该应用平台方法包括:运行算法以提供用于在目标上形成图案的不同目标多边形。确定可由DMD形成的最小特征尺寸。针对小于最小特征尺寸的每个目标多边形,确定对一个或多个目标多边形进行线偏置或照射偏置以在目标多边形的边界处实现可接受的曝光对比度。小于最小特征尺寸的一个或多个目标多边形被偏置以在基板上形成数字化的图案。当DMD的第一镜的质心在一个或多个目标多边形内时,输送电磁辐射以从第一镜反射。

    基板处理期间剂量图及特征尺寸图的制作及使用

    公开(公告)号:CN112020675B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN201980028150.4

    申请日:2019-03-27

    Abstract: 本文讨论的系统与方法关于在光刻与微光刻期间图案化基板,以使用剂量形成一组或多组临界尺寸的特征。基于在制造期间捕获的图像产生剂量图,以说明在用于图案化基板的多个操作中的处理变化。剂量图与成像程序一起使用,以调节施加至基板的各个区域的电压,以便产生具有一组或多组临界尺寸的特征,并补偿原本可能导致不正确临界尺寸的上游或下游操作。

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