-
公开(公告)号：CN119173817A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202380037739.7
申请日：2023-04-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供了一种在基板上形成图案化特征的方法。该方法包括：将第一掩模定位在基板的第一部分之上；引导辐射穿过基板的第一部分处的第一掩模的图案化区域以在基板上形成第一图案化区域；将第二掩模放置在基板的第二部分之上，第二掩模包括第一图案化区域和第二图案化区域，第一图案化区域通过未图案化区域与第二图案化区域间隔开；引导辐射穿过基板的第二部分的第一部处的第二掩模的该第一图案化区域以在基板上形成第二图案化区域；引导辐射通过在基板的第二部分的第二部处的第二掩模的第二图案化区域以形成第三图案化区域。
-
公开(公告)号：CN115104069A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180014861.3
申请日：2021-01-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在一个实施方式中，一种制作具有不同高度的至少两个特征的器件的方法包含以下步骤：在基板上沉积抗蚀剂；确定用于器件的至少两个特征的形貌图案；确定用于器件的至少两个特征的曝光图案；以第一剂量的光曝光抗蚀剂的第一区域，第一区域对应于至少两个特征的第一特征；以不同于第一剂量的光的第二剂量的光曝光抗蚀剂的第二区域，第二区域对应于至少两个特征的第二特征；及显影抗蚀剂。
-
公开(公告)号：CN114981632A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080092811.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文公开了用于确定光栅或线特征的线角度及线角度旋转的方法及设备。本公开内容的一个方面涉及，使用测量工具来测量第一线特征的坐标点，从所述坐标点确定所述第一线特征的第一斜率，及从所述第一线特征的所述斜率确定第一线角度。能重复此过程以找出相邻于所述第一线特征的第二线特征的第二斜率。能比较所述第一线特征与所述第二线特征的斜率来找出线角度旋转。所述线角度旋转与设计规格进行比较，来确定拼接品质。
-
公开(公告)号：CN118891548A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380027999.6
申请日：2023-03-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 唐浩 , 罗康 , 徐永安 , 安德鲁·塞巴洛斯 , 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森
IPC: G02B5/18
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及使用离散光栅组件和光学互连的方法的光学装置制造。在分离的供体基板上形成对应于光学装置的输入耦合光栅、中间光栅或输出耦合光栅的其中一者的离散光栅。供体基板被切割成单独的光栅并附着到光学装置基板。喷墨材料设置在光栅之间以光学地互连光学装置的部分。
-
公开(公告)号：CN114364948B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202080064098.0
申请日：2020-08-25
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方式包括测量系统和光栅图案阵列。测量系统包括多个子系统，用于产生基板上的光栅区域的衍射图案或放大现实图像。测量系统配置为反射和透射光，且经反射和经透射的光束产生衍射图案和放大的图像。衍射图案和图像提供有关光栅区域的光栅间距和角度的信息。设置在基板上的光栅图案阵列包括主要区域和参考区域。参考区域用于定位对应的主要区域。测量系统不包括旋转台，且因此不需要精确控制台的旋转。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114364948A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080064098.0
申请日：2020-08-25
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方式包括测量系统和光栅图案阵列。测量系统包括多个子系统，用于产生基板上的光栅区域的衍射图案或放大现实图像。测量系统配置为反射和透射光，且经反射和经透射的光束产生衍射图案和放大的图像。衍射图案和图像提供有关光栅区域的光栅间距和角度的信息。设置在基板上的光栅图案阵列包括主要区域和参考区域。参考区域用于定位对应的主要区域。测量系统不包括旋转台，且因此不需要精确控制台的旋转。
-
公开(公告)号：CN114930253B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080090426.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐永安 , 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 , 郭津睿 , 卢多维克·戈代
Abstract: 提供了一种在基板上形成图案化特征的方法。该方法包括以下步骤：将布置在掩模布局中的多个掩模定位在基板上方。基板定位在第一平面中，且多个掩模定位在第二平面中，掩模布局中的多个掩模具有多个边缘，多个边缘各自平行于第一平面且平行或垂直于基板上的对准特征延伸，基板包括多个分区，多个分区被配置为被引导通过布置在掩模布局中的掩模的能量图案化。该方法进一步包括以下步骤：通过基板上方的掩模布局中布置的多个掩模向多个分区引导能量，以在多个分区的各者中形成多个图案化特征。
-
公开(公告)号：CN118348657A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410257855.6
申请日：2020-04-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本案提供生成复合影像的成像系统及方法。所述成像系统包括耦合至传感器的一或更多个透镜组件。当来自物体的反射光进入所述成像系统时，在超透镜滤光系统上的入射光生成经过滤的光，经过滤的光被对应的传感器转成复合影像。各超透镜滤光系统将光聚焦于特定波长中，从而生成超透镜影像。这些超透镜影像被发送至处理器，其中所述处理器将超透镜影像结合成为一或更多个复合影像。超透镜影像被结合成复合影像，而所述复合影像具有减少的色差。
-
公开(公告)号：CN117413208A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280019598.1
申请日：2022-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02B1/12
Abstract: 本文所述的实施方式涉及具有涂覆层的平面光学装置，所述涂覆层包括单层，所述单层选自由以下项组成的组：二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)、二硒化钨(WSe2)、二硒化钼(MoSe2)、二碲化钼(MoTe2)、二硫化钛(TiS2)、二硫化锆(ZrS2)、二硒化锆(ZrSe2)、二硫化铪(HfS2)、二硫化铂(PtS2)、二硫化锡(SnS2)或它们的组合。所述涂覆层设置在所述光学装置的多个光学装置结构之上。所述单层可在材料之间交替以形成所述涂覆层或可以是单一材料的均匀涂覆层。所述涂覆层设置在所述多个光学装置结构中的每个光学装置结构之上。
-
公开(公告)号：CN113677825B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202080027992.0
申请日：2020-02-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及在沉积、蚀刻和/或固化工艺期间利用掩模来处理含有基板的工件，以在工件上具有局部的沉积。将掩模放置在工件的第一层上，所述掩模保护复数个沟槽免受第二层的沉积的影响。在一些实施方式中，在第二层的沉积之前放置掩模。在其他实施方式中，在沉积掩模之前使第二层固化。在其他实施方式中，在沉积掩模之后蚀刻第二层。本文中所公开的方法允许在工件中所存在的沟槽中的一些中沉积第二层，而同时至少部分地防止在工件中所存在的其他沟槽中沉积第二层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.023 seconds)
