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公开(公告)号：CN109937470B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201780068725.6
申请日：2017-11-07
申请人： 应用材料公司
摘要： 在此提供用于分析和检测来自半导体制造部件的液体中的纳米颗粒的方法和设备。在某些实施方式中，确定基板处理腔室部件清洁溶液中的纳米颗粒的颗粒数、颗粒尺寸及ζ电位的方法包括：(a)以来自基板处理腔室部件清洁槽内的清洁溶液填充样本槽，基板处理腔室部件清洁槽装有半导体处理腔室部件；(b)将来自激光器的光导向该样本槽，其中该清洁溶液中的纳米颗粒散射来自该激光器的光；及(c)经由位在该样本槽附近的一个或多个检测器来检测散射光以确定该清洁溶液中的纳米颗粒的ζ电位、颗粒尺寸及颗粒数。
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公开(公告)号：CN114945870A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202080092787.2
申请日：2020-12-11
申请人： 应用材料公司
发明人： 徐永安 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 罗伯特·简·维瑟 , 卢多维克·戈代
摘要： 本公开内容的实施方式关于用于在光源的传播方向上定位掩模的方法。掩模对应于待写入基板的光刻胶层中的图案。通过拼接第一掩模和第二掩模来定位掩模。第一掩模包括一组第一特征，第一特征具有在第一特征界面处从第一特征延伸的第一特征延伸部分。第二掩模包括一组第二特征，第二特征具有在第二特征界面处从第二特征延伸的第二特征延伸部分。每个第一特征延伸部分与每个对应的第二特征延伸部分拼接，以形成第一对掩模的第一拼接部分的每个拼接部分。第一对掩模的拼接部分限定了要写入光刻胶层中的图案的一部分。
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公开(公告)号：CN114930564A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080090423.0
申请日：2020-11-18
申请人： 应用材料公司
摘要： 一种有机发光二极管(OLED)结构，包括：基板；介电层，所述介电层位于基板上，所述介电层具有阱结构阵列，其中每个阱结构包括凹部，所述凹部具有侧壁和底部，并且所述阱结构由平台隔开；OLED层堆叠，所述OLED层堆叠至少覆盖阱的底部；光提取层(LEL)，LEL在OLED层堆叠上方的阱中；和涂层，涂层覆盖OLED层堆叠的一部分，使得平台的顶表面比阱中形成光提取层的表面更疏水。
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公开(公告)号：CN114051485A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202080048619.3
申请日：2020-06-16
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文描述的实施方式涉及扁平光学器件和形成扁平光学器件的方法。一个实施方式包括基板，该基板具有在其上形成的第一多个支柱的第一布置。第一多个支柱的第一布置包括具有高度h和横向距离d的支柱，以及与第一多个支柱中的相邻支柱之间的距离相对应的间隙g。间隙g与高度h的深宽比在约1：1和约1:20之间。第一封装层设置在第一多个支柱的第一布置上。第一封装层的折射率为约1.0至约1.5。第一封装层、基板与第一布置的每个支柱在它们之间界定第一空间。第一空间的折射率为约1.0至约1.5。
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公开(公告)号：CN110720072A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201880036397.6
申请日：2018-05-30
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文描述的实施方式涉及显示设备，例如，虚拟现实和扩增实境显示器和应用。在一个实施方式中，平面的基板具有：形成于其上的阶梯特征和形成于数个特征中的每一特征上的发射器结构。封装层设置在该基板上，并且多个均匀的介电纳米结构形成于该封装层上。由本文公开的设备产生的虚拟图像通过减小在图像平面处的色差来提供改善的图像清晰度。
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公开(公告)号：CN107735507A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680025213.7
申请日：2016-04-28
申请人： 应用材料公司
摘要： 本公开内容的实施方式提供了用于原位监控基板上的膜性质的方法和设备。在一个实施方式中，提供了一种沉积系统。所述沉积系统包括至少两个沉积腔室以及被特别设计以用于每一个沉积腔室的图案化掩膜，其中所述图案化掩膜的第一掩膜具有位于在第一掩膜上形成的图案外部并穿过第一掩膜而形成的第一开口，并且所述图案化掩膜的第二掩膜具有位于在第二掩膜上形成的图案外部并穿过第二掩膜而形成的第一开口，所述第二掩膜的第一开口的在所述第二掩膜上的位置与所述第一开口在所述第一掩膜上的位置不同。
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公开(公告)号：CN107258010A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201680010536.9
申请日：2016-02-25
申请人： 应用材料公司
发明人： 维杰·班·夏尔马 , 兰加·拉奥·阿内帕利 , 普莉娜·古拉迪雅 , 罗伯特·简·维瑟
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/32135 , H01L21/02244 , H01L21/306 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/6838
摘要： 本文提供用于相对于暴露的或下方的介电或金属层选择性移除金属氮化物的改良方法和设备。在一些实施方式中，一种蚀刻在基板顶上的金属氮化物层的方法包括以下步骤：(a)氧化金属氮化物层以在该金属氮化物层的表面形成金属氮氧化物层(MN1‑xOx)，其中M为钛或钽中的一种并且x为从0.05至0.95的整数；以及(b)使该金属氮氧化物层(MN1‑xOx)暴露于处理气体，其中该金属氮氧化物层(MN1‑xOx)与该处理气体反应以形成挥发性化合物，该挥发性化合物从该金属氮化物层的该表面解吸。
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公开(公告)号：CN103189999B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180050221.4
申请日：2011-09-30
申请人： 应用材料公司
发明人： 考施·K·辛格 , 罗伯特·简·维瑟 , 斯里坎特·拉奥 , 巴斯卡·库马 , 克莱尔·J·卡马尔特 , 兰加·拉奥·阿内帕利 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 戈拉夫·绍劳夫 , 克里斯托弗·S·布莱克曼 , 桑贾伊安·萨特西瓦姆
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/18 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02 , H01L51/42
CPC分类号： H01L29/78681 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/301 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/3245 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/207 , H01L29/454 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1864 , H01L51/0048 , H01L51/424 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明的实施例提供一种由溶液型前驱物形成掺杂的砷化镓(GaAs)基层的方法。由该溶液型前驱物所形成的掺杂的砷化镓(GaAs)基层可帮助太阳能电池装置提高光吸收作用及转化效率。在一个实施例中，一种形成太阳能电池装置的方法包括：在基板表面上方形成第一层，在所述第一层内掺杂有第一种掺杂剂；在该第一层上形成砷化镓基层；以及在该砷化镓基层上形成第二层，在所述第二层内掺杂有第二种掺杂剂。
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公开(公告)号：CN109923653B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780068574.4
申请日：2017-11-07
申请人： 应用材料公司
摘要： 用于鉴定半导体清洁溶液中的污染物的方法及设备，包括：使半导体清洁溶液接触半导体制造部件以形成含有一种或多种不溶性待测分析物的排出液；使该含有一种或多种不溶性待测分析物的排出液接触一光学设备，该光学设备经构造以感测来自该一种或多种待测分析物的荧光及可选的拉曼信号，其中该设备包括电子倍增电荷耦合器件及光栅光谱仪，以用来对该荧光进行光谱色散并将该荧光投射在该电子倍增电荷耦合器件上；及鉴定该一种或多种待测分析物。
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