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公开(公告)号：CN112133728B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202011007604.0
申请日：2020-09-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示基板、显示面板、显示装置和制作方法，以提供一种新型的低温多晶硅氧化物薄膜晶体管。所述显示基板，包括：衬底基板；第一源漏极层，包括：位于所述第一区域的第一源漏极，以及位于所述第二区域的第一栅极；第一有源层，包括位于所述第一区域的多晶硅有源层；第一栅极层，包括：位于所述第一区域的第二栅极和连接电极；第二有源层，包括：位于所述第二区域的氧化物有源层；第二栅极层，包括：位于所述第二区域的第三栅极；第二源漏极层，包括：位于所述第二区域的第二源漏极，以及位于所述第一区域的搭接电极。
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公开(公告)号：CN117812966A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410006871.8
申请日：2024-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H10K59/80 , H10K59/12 , H10K71/00 , H10K59/131 , F21S41/155
摘要： 一种发光模组，包括：发光基板、柔性电路板以及保护层。发光基板至少包括：基底和设置在基底上的绑定电路。基底包括有效区域和位于有效区域一侧的绑定区域，绑定电路位于绑定区域。柔性电路板与绑定区域的绑定电路连接。保护层位于柔性电路板远离发光基板的一侧，且保护层覆盖有效区域和绑定区域。
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公开(公告)号：CN112965638B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202110443890.3
申请日：2021-04-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种触控显示面板及显示装置。在本申请实施例提供的触控显示面板中，触控层包括位于显示区的触控电极阵列和位于显示区外围的非显示区的触控电极结构，由于触控电极结构的第一触控电极结构，靠近各第二触控电极串的位于触控电极阵列一个边缘的第二触控电极，和/或，触控电极结构的第二触控电极结构，靠近各第一触控电极串的位于触控电极阵列另一个边缘的第一触控电极。使得位于显示区边缘的第一触控电极与第二触控电极结构形成电容结构，和/或，位于显示区边缘的第二触控电极与第一触控电极结构形成电容结构，从而能够提高触控显示面板显示区边缘的触控性能，能够保障用户的使用体验。
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公开(公告)号：CN113658990B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110949558.4
申请日：2021-08-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本公开提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。涉及显示技术领域，用于提高显示装置的生产效率、降低生产成本。所述显示面板包括衬底，第一绝缘层和像素电路层。像素电路层包括依次设置的半导体层、绝缘叠层和源漏导电层，绝缘叠层中设有源漏极过孔。其中，在弯折区的间隙区，第一绝缘层和绝缘叠层中设有相连通的第一开口和第二开口，第二开口在衬底上的正投影位于第一开口在衬底上的正投影范围内，使第一开口和第二开口的侧壁在二者交界处形成第一台阶。第一开口的深度大于源漏极过孔的深度，使第一台阶位于第一绝缘层靠近衬底的表面与远离衬底的表面之间。本公开提供的显示面板及其制备方法、显示装置可应用于图像显示。
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公开(公告)号：CN117174719A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210603859.6
申请日：2022-05-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开提供一种像素结构及其制作方法、探测基板、探测装置，该像素结构包括：衬底基板；设置在衬底基板上的薄膜晶体管层和像素定义层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管；所述像素定义层包括：设置在所述薄膜晶体管对应的像素定义层空间的遮光层，所述遮光层用于遮挡照射到所述薄膜晶体管的射线。使得探测基板实现高频扫描并降低探测电子噪音，进而极大提高探测装置的检测速度和准确性。并且，像素结构中的遮光层通过避免X射线及其他短波长光对IGZO TFT长期工作在负偏压下特性的负偏，提高了像素结构中薄膜晶体管工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN116888658A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202180001596.5
申请日：2021-06-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G09G3/3208
摘要： 本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括多个子像素，至少一个子像素包括驱动电路层和设置在所述驱动电路层上的发光结构层；所述驱动电路层包括像素驱动电路，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光器件；所述像素驱动电路包括复位子电路、写入子电路、驱动子电路、补偿子电路、储能子电路和发光控制子电路；所述复位子电路、补偿子电路和写入子电路中的至少一个包括氧化物晶体管和单向导通器件。
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公开(公告)号：CN111666000B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010748632.1
申请日：2020-07-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G06F3/041
摘要： 本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明提供的显示面板包括基底、显示结构、封装层。封装层靠近第一侧边框的边缘具有第一斜坡。封装层背离基底一侧设置有触控走线，至少部分触控走线的延伸方向，与封装层具有第一斜坡的边缘的延伸方向交叉。触控走线包括多条第一走线、多条第二走线和第一绝缘层。其中，第二走线和第一走线通过第一绝缘层中的过孔电连接。至少部分第一走线在基底上的正投影，与封装层具有第一斜坡的部分在基底上的正投影不重叠。本发明的显示面板能够避免触控走线发生短接。
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公开(公告)号：CN116322163A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310449664.5
申请日：2023-04-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H10K59/122 , H10K59/131 , H10K59/12 , H10K50/844 , H05B33/04 , H05B33/12
摘要： 本发明公开了一种发光面板及发光装置，该发光面板包括：衬底基板，所述衬底基板包括发光区和围绕所述发光区的周边区，所述周边区上设置有阻挡结构；所述阻挡结构包括间隔设置的多个阻挡柱，每个所述阻挡柱包括叠置的像素定义层和增高结构；所述发光区上依次设置有走线层、像素定义层、第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；所述增高结构包括：第一增高结构和/或第二增高结构。通过本发明提供了一种高可靠性的发光面板和装置。
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公开(公告)号：CN113193151B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110469483.X
申请日：2021-04-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H10K50/86 , H10K50/856 , H10K50/85 , H10K50/844 , H10K59/12
摘要： 本发明提供了显示面板和显示装置，该显示面板包括层叠设置的显示背板和功能层，所述功能层远离所述显示背板的一侧设有凹槽，所述凹槽在所述显示背板上的正投影与子像素开口在所述显示背板上的正投影交叠；所述凹槽中设有透明导光结构，定义n1为所述封装层中的有机层的折射率，n2为所述透明导光结构的折射率，n1和n2满足n1＜n2。该显示面板中，光线从透明导光结构中射入到有机层中时，光从光密介质入射到光疏介质，会在界面处发生反射，反射光线可以从透明导光结构中射出，出射光线可以增强出光亮度，提高发光效率以及减少功耗。
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公开(公告)号：CN115633527A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211347979.0
申请日：2022-10-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H10K59/13 , H10K59/121 , H10K59/60 , H10K71/00
摘要： 本发明涉及显示的技术领域，公开一种显示基板、显示基板的制作方法及显示装置，该显示基板包括：衬底基板；薄膜晶体管，位于衬底基板一侧；有机发光结构，位于薄膜晶体管背离衬底基板的一侧；用于获取外部光线的光电传感器，位于衬底基板朝向薄膜晶体管的一侧；其中，光电传感器中至少一膜层与薄膜晶体管中的至少一膜层同层设置。光电传感器可通过电信号来控制显示面板的有机发光结构亮度，根据不同的外部环境亮度下，调节显示面板的亮度；光电传感器中的至少一膜层与薄膜晶体管中的至少一膜层同层设置，使得光电传感器中的膜层减少，使得光电传感器的膜层变薄，应力容易控制，从而降低了生产过程中的裂片风险，有利于提高显示基板的显示效果。
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