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公开(公告)号：CN115296627B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202211186160.0
申请日：2022-09-28
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种基于GaAs Bi‑Hemt工艺的宽带放大器芯片，属于集成电路技术领域，包括第一Lange电桥、第二Lange电桥、第一高增益分布式放大器和第二高增益分布式放大器；本发明可以在宽带内实现高功率；本发明中采用的平衡式结构、分布式结构、共源共栅结构和达林顿结构均可拓展工作带宽，从而整个放大器可以实现超宽带匹配和高增益；分布式放大器可实现输出较高的功率，信号经两个完全相同的高增益分布式放大器放大，再经Lange电桥耦合，实现了在分布式放大器输出较高功率后，整个芯片功率又提高了一倍，因此在宽带内实现了高功率和优良的驻波。
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公开(公告)号：CN115694376A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211700596.7
申请日：2022-12-29
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种带连续衰减功能的低功耗放大器，包括电流复用负反馈网络、有源衰减网络、共源共栅网络以及负压兼控正负压网络。本发明电路是一种带温补效应的、负压同时控制增强型晶体管和耗尽型晶体管的电路，在保证基态的噪声和功率性能影响较小的前提下，能在较大范围内实现连续可调衰减，具有宽带、高增益、低功耗和低噪声特性。
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公开(公告)号：CN115632616A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211651808.7
申请日：2022-12-22
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种可自适应增益控制的低功耗驱放芯片，属于集成电路技术领域，包括第一开关切换网络、驱动级网络、自适应末级网络、直通网络和第二开关切换网络。本发明电路可根据输入功率大小自适应增益控制，进而使电路输出功率较为稳定。本发明电路将有源衰减器和二极管检波电路相结合，使电路可以根据反馈的检波电压自适应调节增益，从而保证给后级的功率放大器能提供一个所需的最佳输入功率范围，保证其能兼有较高的输出功率和较小的非线性失真。同时本发明电路具有宽带、低功耗、频带内较小的增益波动和较理想的输出功率。本发明电路采用的高线性输出开关网络能承受较大的电压摆幅和较小的信号失真。
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公开(公告)号：CN114567266A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210455695.7
申请日：2022-04-28
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种低功耗低噪声宽带放大器，属于集成电路技术领域，包括输入关断匹配网络、负反馈双堆叠电流复用放大网络、输出关断匹配网络、开关控制电路和使能控制电路。本发明负反馈双堆叠电流复用放大网络，结合输入输出关断匹配架构，使得放大器具备使能关断功能，在开启状态时能够实现低功耗模式下的低噪声、高线性度、高增益和宽带特性，以及良好的开态驻波特性；在关断时放大器仍保持良好的关断驻波特性。
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公开(公告)号：CN114172476B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210119733.1
申请日：2022-02-09
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种宽带负反馈放大器，包括输入匹配供电网络、驱动级高增益放大网络、级间匹配供电网络、功率级高增益放大网络、第一反馈网络和第二反馈网络。本发明采用共栅双反馈的双级堆叠放大结构，可以提高电路的可靠性，实现高增益和高线性度指标，同时具有较高的宽带特性。此外，本发明通过共栅双反馈作用，可以改善工艺波动以及温度波动对放大器射频性能的影响。
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公开(公告)号：CN114172464A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202210119727.6
申请日：2022-02-09
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种宽带谐波抑制放大器，属于集成电路技术领域，包括输入匹配网络、宽带电流复用放大网络、第一有源偏置网络、谐波抑制均衡匹配网络、宽带共源放大网络、第二有源偏置网络和输出匹配网络。本发明采用宽带电流复用和共源放大网络，配合栅源RLC并联负反馈电路，实现宽频带、高增益以及低功耗的特性，级间采用谐波抑制均衡匹配网络，提高了放大器谐波抑制度的同时还可以兼顾阻抗匹配和增益平坦度，具有工作频带宽、噪声系数低、增益高、谐波抑制度高以及功耗低等优点。
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公开(公告)号：CN113945824A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111126386.7
申请日：2021-09-26
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种射频芯片筛测方法，该方法能够筛选出具有潜在缺陷的异常芯片，解决了现有射频芯片的缺陷检测方法不能将具有潜在缺陷的异常芯片完全筛选出来的技术问题。本发明可以显著遏制射频芯片量产测试的正常波动对于量产测试的干扰作用，有效拦截具有潜在缺陷的异常芯片，避免其成为合格品，从而提高射频芯片的良品率。本发明采用基于五点等步进高阶内差比较法的IV测试方法对射频芯片进行筛测，测试速度快，测试环境简单。
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公开(公告)号：CN113612450B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111173596.1
申请日：2021-10-09
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种超宽带驱动放大电路，其中，第一有源偏置网络的输入端与第一电源连接，第一有源偏置网络的第一输出端、第二输出端和第三输出端分别与电流复用网络第一输入端、第二输入端和第三输入端一一对应连接，电流复用网络的输出端与改进型行波网络的第一输入端连接；第二有源偏置网络的输入端与第二电源连接，第二有源偏置网络的第一输出端和第二输出端分别与改进型行波网络的第二输入端和第三输入端一一对应连接，改进型行波网络的输出端与输出匹配网络的输入端连接。本发明电路具有超宽带特性和温度补偿效应，且可实现较高的增益、较高的线性输出功率和较高的效率。
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公开(公告)号：CN107733381A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710938697.0
申请日：2017-09-30
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
CPC分类号： H03F3/245 , H03F1/0288 , H03F3/195
摘要： 本发明公开了一种高效率高增益Doherty堆叠功率放大器，包括输入匹配及移相分配网络、三堆叠主功率放大网络、三堆叠辅助功率放大网络、输出匹配及移相合成网络、主功放供电偏置网络以及辅助功放供电偏置网络。本发明采用三堆叠晶体管放大网络实现Doherty放大器的主功率放大和辅助功率放大，同时利用针对三堆叠放大网络的输入与输出匹配网络，提高了Doherty放大器的功率增益和功率容量，同时避免了集成电路工艺的低击穿电压特性，提高电路的稳定性与可靠性。本发明所实现的Doherty功率放大器芯片电路，输出功率高、功率增益高、面积小。
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公开(公告)号：CN107332517A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710476655.X
申请日：2017-06-21
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
CPC分类号： H03F1/0216 , H03F1/26 , H03F1/3205 , H03F1/483 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/318 , H03F2200/451
摘要： 本发明公开了一种基于增益补偿技术的高线性宽带堆叠低噪声放大器，包括依次连接的二堆叠低噪声放大网络、级间匹配网络和二堆叠增益扩张放大网络；以及与所述二堆叠低噪声放大网络和二堆叠增益扩张放大网络均连接的第一供电偏置网络和第二供电偏置网络。本发明采用两个不同尺寸的晶体管实现串联堆叠结构，并结合了RLC反馈网络实现超宽带噪声和阻抗匹配；同时利用增益压缩补偿技术，通过二堆叠增益扩张放大网络在一定偏置范围内抵消二堆叠低噪声放大网络的增益压缩特性，提高了放大器的线性度指标，使得整个低噪声放大器获得了良好的宽带、线性、低功耗、低噪声放大能力，同时避免了集成电路工艺的低击穿电压特性，提高电路的稳定性与可靠性。
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