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公开(公告)号：CN106167916B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610325787.8
申请日：2016-05-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm2以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。
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公开(公告)号：CN108796609A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810370122.8
申请日：2018-04-24
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法和制造装置。提供可进行SiC单晶的长时间生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板接触放入石墨坩埚且具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液从而使SiC单晶进行晶体生长的SiC单晶的制造方法，包括：利用感应线圈对Si‑C溶液进行电磁搅拌以使其流动，和利用电阻加热器对石墨坩埚的下部进行加热。
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公开(公告)号：CN106029959B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201580008068.7
申请日：2015-02-12
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/06 , C30B9/12 , C30B19/062 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供在籽晶与Si‑C溶液之间气泡难以进入的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法为：利用将籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其与Si‑C溶液(11)接触而在主表面(10a)上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法。主表面(10a)平坦。该制造方法包括：接触工序A、接触工序B和生长工序。接触工序A中，使主表面(10a)的一部分区域与贮存的Si‑C溶液(11)接触。接触工序B中，以在接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大主表面(10a)与贮存的Si‑C溶液(11)的接触区域。生长工序中，使SiC单晶在与贮存的Si‑C溶液(11)接触的主表面(10a)上生长。
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公开(公告)号：CN107532329A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680027101.5
申请日：2016-03-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02628
Abstract: 提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中，将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中，使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80％。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中，在晶体生长温度下使SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN104884683B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380068222.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B30/04 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 抑制每个制造批次的晶种的溶液接触位置的偏差，得到重复性好的高质量的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使由支持棒支持的SiC晶种与高频加热的溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，在施加于所述溶液的磁场的存在下，使所述支持棒下降，使SiC晶种与所述溶液接触，随后停止所述磁场的施加而使SiC单晶生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104884683A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068222.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B30/04 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 抑制每个制造批次的晶种的溶液接触位置的偏差，得到重复性好的高质量的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使由支持棒支持的SiC晶种与高频加热的溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，在施加于所述溶液的磁场的存在下，使所述支持棒下降，使SiC晶种与所述溶液接触，随后停止所述磁场的施加而使SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN108796609B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201810370122.8
申请日：2018-04-24
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法和制造装置。提供可进行SiC单晶的长时间生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板接触放入石墨坩埚且具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液从而使SiC单晶进行晶体生长的SiC单晶的制造方法，包括：利用感应线圈对Si‑C溶液进行电磁搅拌以使其流动，和利用电阻加热器对石墨坩埚的下部进行加热。
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公开(公告)号：CN103282558B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180062911.1
申请日：2011-12-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B15/32 , C30B19/06 , C30B29/36 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。
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公开(公告)号：CN104487619A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380035149.7
申请日：2013-07-15
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/32 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 用于溶液生长法的制造装置。该制造装置（10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。
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公开(公告)号：CN107532328B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201680027058.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
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