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公开(公告)号:CN110073507B
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN201880005059.6
申请日:2018-03-19
申请人: 日本化药株式会社
IPC分类号: H10K85/60 , H01L21/336 , H01L29/786 , H10K71/15
摘要: 本发明的目的为提供可由溶液法制作有机薄膜的有机半导体组合物、使用该有机半导体组合物而得到的有机薄膜、以及具有该有机薄膜的实用的场效应晶体管,该场效应晶体管可在保持高迁移率的同时具有小变异,并且阈值的变异也小。即,本说明书揭示一种有机半导体组合物,其包含:有机半导体化合物、绝缘化合物、作为该绝缘化合物的良溶剂的有机溶剂A及作为该绝缘化合物的贫溶剂且沸点高于该有机溶剂A的有机溶剂B,其中该有机溶剂A与该有机溶剂B的含有质量比率a:b为1:8至8:1。
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公开(公告)号:CN113286799A
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN202080007651.7
申请日:2020-01-31
申请人: 日本化药株式会社
摘要: 本发明提供一种在近红外光区域具有广泛吸收且在近红外光区域的光电转换效率优良的有机化合物、含有该化合物的近红外光吸收材料、包含该近红外光吸收材料的有机薄膜及包含该有机薄膜的有机电子装置以及有机光电转换元件。本说明书中,提供下式(1)所示的化合物:(式(1)中,R1至R12各自独立地表示氢原子、脂肪族烃基、烷氧基、烷硫基、芳香族基、杂环基、卤素原子、羟基、巯基、硝基、取代胺基、非取代胺基、氰基、磺基、或酰基。其中,R1至R4的至少一者表示氢原子以外的基,且R5至R8的至少一者表示氢原子以外的基)。
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公开(公告)号:CN110073507A
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201880005059.6
申请日:2018-03-19
申请人: 日本化药株式会社
IPC分类号: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/40
摘要: 本发明的目的为提供可由溶液法制作有机薄膜的有机半导体组合物、使用该有机半导体组合物而得到的有机薄膜、以及具有该有机薄膜的实用的场效应晶体管,该场效应晶体管可在保持高迁移率的同时具有小变异,并且阈值的变异也小。即,本说明书揭示一种有机半导体组合物,其包含:有机半导体化合物、绝缘化合物、作为该绝缘化合物的良溶剂的有机溶剂A及作为该绝缘化合物的贫溶剂且沸点高于该有机溶剂A的有机溶剂B,其中该有机溶剂A与该有机溶剂B的含有质量比率a:b为1:8至8:1。
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公开(公告)号:CN102037082B
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN200980118425.X
申请日:2009-05-19
IPC分类号: C09B31/08 , C09B31/22 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC分类号: G02B5/3033 , B32B2457/202 , C09B31/043 , C09B31/16 , G02F1/133528 , Y10T428/1041
摘要: 由式(1)或(2)表示的偶氮化合物(在式中,A表示具有至少1个取代基的苯基或萘基。R1~R4表示氢原子、低级烷基或低级烷氧基,且R1~R4中的至少一个是具有磺基的低级烷氧基。X表示任选取代的氨基、任选取代的苯甲酰氨基、任选取代的苯氨基、任选取代的苯偶氮基或任选取代的萘并三唑基)及其盐。
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公开(公告)号:CN102066497B
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN200980122710.9
申请日:2009-05-19
IPC分类号: C09B31/08 , C09B31/22 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC分类号: C09B31/22 , C09B29/0014 , C09B29/0808 , C09B31/047 , C09B31/072 , C09B31/08 , C09B31/20 , C09B31/30 , G02B5/3033
摘要: 由式(1)表示的偶氮化合物(在式中,R1表示具有磺基的低级烷氧基。R2~R5各自独立地表示氢原子、低级烷基或低级烷氧基。X是任选取代的氨基、任选取代的苯甲酰氨基、任选取代的苯氨基、任选取代的苯偶氮基或任选取代的萘并三唑基。m表示1或2且n表示0或1。)及其盐。
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公开(公告)号:CN102770979A9
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201180010025.4
申请日:2011-09-06
申请人: 日本化药株式会社
发明人: 贞光雄一
IPC分类号: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
摘要: 一种有机半导体材料,其通过使下式(1)和具有氰基的受电子性化合物溶解和/或分散在至少一种有机溶剂中而形成。式(1)中,R1和R2各自独立地表示未取代或卤素取代的C1-C36脂肪族烃基。
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公开(公告)号:CN102770979A
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN201180010025.4
申请日:2011-09-06
申请人: 日本化药株式会社
发明人: 贞光雄一
IPC分类号: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号: H01L51/002 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要: 一种有机半导体材料,其通过使下式(1)和具有氰基的受电子性化合物溶解和/或分散在至少一种有机溶剂中而形成。式(1)中,R1和R2各自独立地表示未取代或卤素取代的C1-C36脂肪族烃基。
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公开(公告)号:CN102066497A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200980122710.9
申请日:2009-05-19
IPC分类号: C09B31/08 , C09B31/22 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC分类号: C09B31/22 , C09B29/0014 , C09B29/0808 , C09B31/047 , C09B31/072 , C09B31/08 , C09B31/20 , C09B31/30 , G02B5/3033
摘要: 由式(1)表示的偶氮化合物(在式中,R1表示具有磺基的低级烷氧基。R2~R5各自独立地表示氢原子、低级烷基或低级烷氧基。X是任选取代的氨基、任选取代的苯甲酰氨基、任选取代的苯氨基、任选取代的苯偶氮基或任选取代的萘并三唑基。m表示1或2且n表示0或1。)及其盐。
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公开(公告)号:CN109476681B
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201780046614.5
申请日:2017-10-26
申请人: 日本化药株式会社
摘要: 本发明的目的在于提供一种在近红外线区域具有吸收带的通过噻吩环具有B‑O螯合物结构的新颖二苯并吡咯亚甲基硼螯合化合物、以及使用其的近红外线吸收材料、薄膜、及有机电子器件。即,本发明是下述式(1)所表示的化合物。[化1](所述式(1)中的X1至X6分别独立,为硫原子、具有氢原子的碳原子或具有取代基R0的碳原子,取代基R0表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳香族基、卤素原子、羟基、巯基、硝基、取代氨基、未经取代氨基、氰基、磺基、酰基、氨磺酰基、烷基氨磺酰基、氨甲酰基、或烷基氨甲酰基;另外,X1至X6之中邻接的基团可相互键合而形成环结构)。
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