公开(公告)号：CN104694778B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510145600.1

申请日：2012-03-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  青柳拓也 ,  山本浩贵 ,  内藤孝 ,  加藤隆彦

IPC: H01B1/22 ,  C22C9/00 ,  H01B1/16 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  C22C9/00 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01L31/02245 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种电极用糊剂组合物，其含有含磷率为6质量％以上且8质量％以下的含磷的铜合金粒子、玻璃粒子、溶剂和树脂而构成。此外，还提供一种太阳能电池，其具有使用该电极用糊剂组合物而形成的电极。

公开(公告)号：CN104694778A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510145600.1

申请日：2012-03-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  青柳拓也 ,  山本浩贵 ,  内藤孝 ,  加藤隆彦

IPC: C22C9/00 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  C22C9/00 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01L31/02245 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种电极用糊剂组合物，其含有含磷率为6质量％以上且8质量％以下的含磷的铜合金粒子、玻璃粒子、溶剂和树脂而构成。此外，还提供一种太阳能电池，其具有使用该电极用糊剂组合物而形成的电极。

公开(公告)号：CN102870197A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180020190.8

申请日：2011-04-22

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L21/225 ,  C03C8/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0288 ,  C03C3/097 ,  C03C8/18 ,  H01L21/04 ,  H01L21/22 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的n型扩散层形成组合物含有：含给体元素并且寿命扼杀剂元素的总量为1000ppm以下的玻璃粉末；和分散介质。通过涂布该n型扩散层形成组合物，实施热扩散处理，从而制造n型扩散层和具有n型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN102870167A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180006684.0

申请日：2011-01-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  木泽桂子 ,  青柳拓也 ,  山本浩贵 ,  内藤孝 ,  加藤隆彦

IPC: H01B1/22 ,  H01B1/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02245 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种电极用膏状组合物和光伏电池。所述电极用膏状组合物能够形成具有低电阻率的电极，同时抑制铜在烧结时的氧化，而所述光伏电池具有通过使用光伏电池电极用膏状组合物形成的电极。电极用膏状组合物由含铜粒子、玻璃粒子、溶剂和树脂构成，所述含铜粒子在同时测定的热重量分析/差热分析中显示最大面积的放热峰的峰值温度为280℃以上。此外，所述光伏电池具有通过使用光伏电池电极用膏状组合物形成的电极。

公开(公告)号：CN102194672A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110030986.3

申请日：2011-01-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  青柳拓也

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种用于形成n型扩散层的组合物和方法，以及制备广泛电池的方法。所述组合物能够在使用硅基板的光伏电池的制造工艺中，在基板的某个部分上形成n型扩散层，而且不形成不必要的n型扩散层。根据本发明的用于形成n型扩散层的组合物包含含给体元素的玻璃粉末和分散介质。n型扩散层和具有n型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成n型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。

公开(公告)号：CN102169738A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110031097.9

申请日：2011-01-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎

IPC: H01B1/22 ,  H01L21/22 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2225 ,  H01L21/223 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。

公开(公告)号：CN101423747A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810183028.8

申请日：1998-12-18

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦沢寅之助 ,  寺崎裕樹 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  松沢纯 ,  丹野清仁

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN100377310C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200480003202.6

申请日：2004-01-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  吉田诚人 ,  小山直之 ,  大槻裕人 ,  山岸智明 ,  榎本和宏 ,  芳贺浩二 ,  仓田靖

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α-取代化合物所构成的组中的任一种的N-单取代化合物骨架或N，N-二取代化合物骨架的化合物。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。

公开(公告)号：CN1524917A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN03119818.X

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN1235698A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN97199370.X

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料,其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米,一次颗粒粒径中央值为30～250纳米,颗粒粒径中央值为150～600纳米,颗粒最大粒径在3000纳米以下。