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公开(公告)号：CN118272706A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410636030.5
申请日：2024-05-22
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种活塞用耐热铝基复合材料的制备方法，属于金属材料技术领域。本发明通过对纳米尺寸SiC颗粒的煅烧处理、基体和增强体的分步球磨、复合粉体的放电等离子烧结以及后续的热挤压加工得到活塞用耐热铝基复合材料。本发明提供的活塞用耐热铝基复合材料可替代传统的Al‑Si‑Cu‑Mg系耐热合金，具有优异的室温、高温强度和延伸率，高的模量，低的热膨胀系数，良好的导热性和耐磨性等。
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公开(公告)号：CN110883336B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201911221889.5
申请日：2019-12-03
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种合金棒材高通量连续制备装置，属于材料制备技术领域。本发明所述装置包括连续挤压机、转轮式投料装置、混粉装置、旋转轴Ⅰ、外壳体Ⅰ、储料仓Ⅰ、漏斗Ⅰ、圆柱形混粉机、搅拌器、电机、连接部件、旋转轴Ⅱ、旋转轴Ⅲ、储料仓Ⅱ、漏斗Ⅱ1、漏斗Ⅲ、外壳体Ⅱ；对于转轮式投料装置挤压后得到的合金棒材具有成分梯度的变化，从而实现了合金棒材的高通量制备；而对于混粉装置挤压得到的合金棒材同样具有成分梯度变化，同样实现了合金棒材的高通量制备；本发明的装置能够实现三元及三元以上的合金高通量制备，结构简单，操作简便，空间占用小，极大地提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN114952072B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202111606746.3
申请日：2021-12-26
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种六元Sn‑Bi系无铅焊料及其制备方法，属于微电子材料、低温电子封装领域。所述六元Sn‑Bi系无铅焊料原料包含Sn、Bi、Cu、Ag、In和Sb，各组元质量百分比分别为Bi：30%±0.02%，Cu：0.5%±0.02%，Ag：0.4%~3.5%，In：2%~16%，Sb：0.2%~1.7%，余量为Sn。本发明还提供了制备该六元Sn‑Bi系无铅焊料的方法，主要包括：制备中间合金、真空高温熔炼、焊料合金重熔。本发明制备的六元Sn‑Bi系无铅焊料熔点低、润湿性较SBC3005更高，Bi偏析受到明显抑制，焊料组织均匀细小。此焊料除润湿性较好外，还具有较好的力学性能。常温下具有优异的热疲劳性和蠕变性能。
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公开(公告)号：CN116287856B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310154918.0
申请日：2023-02-23
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种高强高弹四元铜镍锡铬合金及制备方法，属于高性能铜合金制备技术领域。本发明所述铜合金由Cu、Ni、Sn、Cr元素组成，含量为：Ni:7wt.％～11wt.％；Sn:3wt.％～9wt.％；Cr:0.3wt.％～1.0wt.％，余量为Cu；本发明所述制备方法为：通过中频感应炉制备Cu‑Ni‑Sn‑Cr合金铸锭，后对铸锭进行均质化、轧制、固溶、等温时效处理；本发明与Cu‑Be铍铜合金相较，优点在于Cu‑Ni‑Sn‑Cr合金带材成品抗拉强度、弹性模量高，导电率可达12～20％IASC，且制备方法简单、价格低廉、对环境友好，可在弹性元器件等多领域应用中替代现行的Cu‑Be合金。
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公开(公告)号：CN117684044A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311777069.0
申请日：2023-12-22
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种形变诱导马氏体相变增强的Zr基合金，属于合金技术领域。本发明所述Zr基合金包括如下质量百分含量的成分：Zr为54.00％～59.00％，Co为35.00％～38.00％，Nb为1.00％～4.00％，Ta为2.00％～7.00％，其余为不可避免的微量杂质；通过电弧熔炼，在吸铸过程中析出较大体积分数的B2相，在之后压缩过程中形变诱导B2向B33发生马氏体转变，同时，通过加入Nb、Ta元素调控B2相和Zr2Co等其他脆性相的体积分数占比。利用以上特性，增强合金的屈服强度和极限压缩强度，同时极限压缩应变到75.00％以上时合金依然不断裂，且加工硬化能力显著，显著提高合金的力学性能，可以满足高应力场景需求。
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公开(公告)号：CN112342596B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202011284288.1
申请日：2020-11-17
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种具有高导电率的铜基复合材料的制备方法；将碳纳米材料均匀地分散在硫酸铜溶液中，在镀液中加入硫酸调节pH值，将配制好的溶液用磁力搅拌器将其充分混合；以金属板为阳极另一种金属板为阴极，对复合溶液通入电流，使碳纳米管和铜离子共同沉积到阴极基板上；电镀结束后，将复合薄膜从电极上取下，经干燥处理后使用管式炉在氮氢气氛下对复合薄膜进行还原，经过还原处理后，将复合薄膜叠加到一定厚度，放入石墨模具中，采用适宜的烧结工艺对复合薄膜进行烧结，得到致密的碳纳米管铜基复合材料。复合共沉积过程中碳纳米管是在二维内分布，主要填充空隙，使复合材料获得与纯铜相当的导电率与延伸率。
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公开(公告)号：CN116967465A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311039620.1
申请日：2023-08-17
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种激光直接能量沉积制备Inconel718镍基合金薄壁件的方法，属于镍基高温合金件制备技术领域。本发明建立Inconel718合金材料三维数据模型，对三维数据模型进行切片分层，并规划激光扫描路径；通过优化工艺参数，在Inconel718合金粉末中添加钛元素，利用成分变化分析Inconel718合金的组织变化与性能。再进行激光直接能量沉积成形，打印形成Inconel718镍基合金壳体件。激光直接能量沉积设备根据激光扫描路径进行激光直接能量沉积成形，粉末经快速熔化和快速凝固过程形成均质壳体材料，在Inconel718合金粉末中添加钛元素，成分变化为Ti0.1，Ti0.3，Ti0.5；通过新技术制备具有优异的力学性能的微型复杂构型镍基合金薄壁件。
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公开(公告)号：CN115869967B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211454570.9
申请日：2022-11-21
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种具有跨尺度孔径结构的泡沫铜催化剂及其制备方法，属于电化学及复合材料技术领域。泡沫铜催化剂由多孔银骨架和包覆在多孔银骨架上的金属铜层组成。泡沫铜催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)将多孔银骨架放入含有铜盐的电镀液中进行电沉积镀铜，得到多孔铜骨架；(2)对所述多孔铜骨架进行氧化处理，然后进行还原处理，得到所述泡沫铜催化剂。本发明的具有跨尺度孔径结构的泡沫铜具有比表面积大、转换效率高、循环稳定性好等优点，适用于分解多种途径产生的CO2，并且本发明的制备方法简单，使用的原料价格低廉、绿色环保。
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公开(公告)号：CN116287856A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310154918.0
申请日：2023-02-23
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种高强高弹四元铜镍锡铬合金及制备方法，属于高性能铜合金制备技术领域。本发明所述铜合金由Cu、Ni、Sn、Cr元素组成，含量为：Ni:7wt.％～11wt.％；Sn:3wt.％～9wt.％；Cr:0.3wt.％～1.0wt.％，余量为Cu；本发明所述制备方法为：通过中频感应炉制备Cu‑Ni‑Sn‑Cr合金铸锭，后对铸锭进行均质化、轧制、固溶、等温时效处理；本发明与Cu‑Be铍铜合金相较，优点在于Cu‑Ni‑Sn‑Cr合金带材成品抗拉强度、弹性模量高，导电率可达12～20％IASC，且制备方法简单、价格低廉、对环境友好，可在弹性元器件等多领域应用中替代现行的Cu‑Be合金。
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公开(公告)号：CN115896722A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211470804.9
申请日：2022-11-23
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种提高Cu‑Ni‑Sn合金耐磨性和导电性的方法，涉及微电子集成电路互连技术领域；通过磁控溅射将Cu‑Ni‑Sn合金制备为薄膜，通过调控磁控溅射功率、沉积时间和氩气流量等参数可制备出不同应用需求多种不同成分的Cu‑Ni‑Sn均匀组合薄膜，本发明所得薄膜中各元素的重量百分比Cu 75~80%，Ni 10~20%，Sn 0.9~10%。本发明采用高通量6靶磁控溅射薄膜共沉积制备技术，使得合金薄膜具有低的电阻率和较高的抗电迁移能力，且相较于铝基合金薄膜作为互连线材料具有宽的钝化区间和低的钝化电流密度，这进一步实现了组合薄膜综合性能的极大优化；本发明的Cu‑Ni‑Sn合金薄膜完全满足极大规模集成电路互连领域对铜合金薄膜的使用要求。
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