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公开(公告)号:CN114952072B
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202111606746.3
申请日:2021-12-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种六元Sn‑Bi系无铅焊料及其制备方法,属于微电子材料、低温电子封装领域。所述六元Sn‑Bi系无铅焊料原料包含Sn、Bi、Cu、Ag、In和Sb,各组元质量百分比分别为Bi:30%±0.02%,Cu:0.5%±0.02%,Ag:0.4%~3.5%,In:2%~16%,Sb:0.2%~1.7%,余量为Sn。本发明还提供了制备该六元Sn‑Bi系无铅焊料的方法,主要包括:制备中间合金、真空高温熔炼、焊料合金重熔。本发明制备的六元Sn‑Bi系无铅焊料熔点低、润湿性较SBC3005更高,Bi偏析受到明显抑制,焊料组织均匀细小。此焊料除润湿性较好外,还具有较好的力学性能。常温下具有优异的热疲劳性和蠕变性能。
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公开(公告)号:CN114952072A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202111606746.3
申请日:2021-12-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种六元Sn‑Bi系无铅焊料及其制备方法,属于微电子材料、低温电子封装领域。所述六元Sn‑Bi系无铅焊料原料包含Sn、Bi、Cu、Ag、In和Sb,各组元质量百分比分别为Bi:30%±0.02%,Cu:0.5%±0.02%,Ag:0.4%~3.5%,In:2%~16%,Sb:0.2%~1.7%,余量为Sn。本发明还提供了制备该六元Sn‑Bi系无铅焊料的方法,主要包括:制备中间合金、真空高温熔炼、焊料合金重熔。本发明制备的六元Sn‑Bi系无铅焊料熔点低、润湿性较SBC3005更高,Bi偏析受到明显抑制,焊料组织均匀细小。此焊料除润湿性较好外,还具有较好的力学性能。常温下具有优异的热疲劳性和蠕变性能。
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公开(公告)号:CN115404371A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202211055583.9
申请日:2022-08-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种核壳结构高熵合金及其制备方法,包括具有核壳结构显微组织的粉体及块体高熵合金,核壳结构中的“核”为微米级的晶粒,晶粒尺寸在5μm‑100μm之间,“壳”的形成是通过球磨等方式将微米级的晶粒细化,在“核”周围原位形成的一层亚微米甚至纳米级的晶粒,其晶粒尺寸在100nm‑800nm之间。其中,“核”占体积分数为50%‑90%,“壳”占体积分数为50%‑10%。其制备方法包括:制备核壳结构的高熵合金粉体、烧结成形;本发明公开的高熵合金具有核壳结构,力学性能优异,具有高屈服强度和高延伸率,制备方法高效便捷并且可净近成形。
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公开(公告)号:CN115401357A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202211052827.8
申请日:2022-08-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种含有原位合成纳米增强相的复合焊料合金及其制备方法,包括SnBi系焊料合金基体以及纳米硼化锆相,纳米硼化锆相在焊料合金基体中原位合成并弥散分布;其中纳米硼化锆占复合焊料合金质量百分比的0.5%~5%;其制备方法为:配制混合无机盐、配制复合焊料合金、真空感应熔炼;本发明所述方法制备的复合焊料合金微观组织细小,力学性能优异,具有优异的热疲劳性和蠕变性能,成本低廉。
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公开(公告)号:CN115011820A
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN202111606668.7
申请日:2021-12-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种高延伸率SnBi系合金的制备方法,属于电子封装材料技术领域。本发明将SnBi合金进行真空熔炼,熔炼条件为500‑800℃,保温1h,在随后降温至300‑400℃时放入水中冷却;冷却后的样品进行室温压缩处理,压缩率在50‑80%之间;最后将压缩后的样品进行退火处理,在120℃保温1h,制成高延伸率样品;本发明所述制备方法可细化SnBi合金基体组织,从而大幅提高该合金的延伸率,改善SnBi合金基体的脆性问题。
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公开(公告)号:CN115401357B
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202211052827.8
申请日:2022-08-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种含有原位合成纳米增强相的复合焊料合金及其制备方法,包括SnBi系焊料合金基体以及纳米硼化锆相,纳米硼化锆相在焊料合金基体中原位合成并弥散分布;其中纳米硼化锆占复合焊料合金质量百分比的0.5%~5%;其制备方法为:配制混合无机盐、配制复合焊料合金、真空感应熔炼;本发明所述方法制备的复合焊料合金微观组织细小,力学性能优异,具有优异的热疲劳性和蠕变性能,成本低廉。
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公开(公告)号:CN115011820B
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202111606668.7
申请日:2021-12-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种高延伸率SnBi系合金的制备方法,属于电子封装材料技术领域。本发明将SnBi合金进行真空熔炼,熔炼条件为500‑800℃,保温1h,在随后降温至300‑400℃时放入水中冷却;冷却后的样品进行室温压缩处理,压缩率在50‑80%之间;最后将压缩后的样品进行退火处理,在120℃保温1h,制成高延伸率样品;本发明所述制备方法可细化SnBi合金基体组织,从而大幅提高该合金的延伸率,改善SnBi合金基体的脆性问题。
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