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公开(公告)号：CN1596475A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02823913.X
申请日：2002-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , H01L51/0094
Abstract: 本发明提供非易失性存储器，其在基板上至少含有第一电极(71)、与第一电极(71)隔离的第二电极(72)、将第一电极(71)和第二电极(72)电连接的导电性有机薄膜(73)。导电性有机薄膜(73)具有显示第一电阻值的第一电状态和显示第二电阻值的第二电状态，从第一电状态转变到第二电状态的第一阈值电压与从第二电状态转变到第一电状态的第二阈值电压不同，第一电状态或第二电状态保持在第一阈值电压和第二阈值电压的范围内。导电性有机薄膜(73)和基材表面以共价键结合。在导电性有机薄膜(73)上可以连接二极管(74)。这样，便提供了能够利用导电性有机薄膜(73)的电阻值的变化进行记录的写入和读出，而且容易集成化的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN1186415C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN01138496.4
申请日：2001-11-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
IPC: C09D183/04 , C09D5/00 , G02F1/13
Abstract: 一种在非水系有机溶剂中溶解硅烷类化学吸附物质的化学吸附溶液，其中，所述非水系有机溶剂是含有第一种非水系有机溶剂和沸点比所述第一种非水系有机溶剂高的第二种非水系有机溶剂的混合溶剂。沸点差优选在10℃以上，第一种非水系有机溶剂的沸点优选在120℃以下，第二种非水系有机溶剂的沸点优选在150℃以上。把所述化学吸附溶液涂布在基材上之后，通过蒸发低沸点溶剂而浓缩，可以在短时间内形成膜厚均匀的化学吸附膜。
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公开(公告)号：CN1179015C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN00801863.4
申请日：2000-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C09K3/00 , C07F7/12 , G02F1/1337 , B01J19/00
CPC classification number: B82Y30/00 , C07F7/025 , C07F7/12 , Y10T428/3154 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明的薄膜形成用化学吸附物质，至少具有以下列化学式表示的官能基，和通过硅氧烷键结合固定的作为端基的-SiX基团(X为卤原子)。因此，提供一种可以形成单分子层状薄膜的化学吸附物质，其具有在可见光区透明而稳定，而在紫外光区起光化学反应的感光性基的新型化学吸附物质及其制造方法。还有，本发明的液晶取向膜，是在带电极的基板面上，直接地或通过其他物质层进行化学吸附形成的吸附分子集合群所构成的，并且，吸附分子具有以下列化学式表示的特性基和分子端基上的-O-Si结合基。因此，提供一种被均匀牢固地固定在基板上，取向的热稳定性及取向规制力优良，生产性好且能制造出纳米级膜厚的液晶取向膜及用该膜的LCD。
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公开(公告)号：CN1321260A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN00801749.2
申请日：2000-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1337 , G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/1341
Abstract: 通过使第一取向膜及第二取向膜的各取向处理方向和液晶注入方向大致平行地设置液晶注入口,能减少流动取向的发生,同时将液晶材料注入空单元内时能使注入速度一定。另外,通过使电极的延伸方向和液晶注入方向大致平行地设置液晶注入口,能减少流动取向的发生,能提供反差等显示品位优异的液晶显示面板。因此,本发明在工业上的意义重大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1321183A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN00801863.4
申请日：2000-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C09K3/00 , C07F7/12 , G02F1/1337 , B01J19/00
CPC classification number: B82Y30/00 , C07F7/025 , C07F7/12 , Y10T428/3154 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明的薄膜形成用化学吸附物质,至少具有以下列化学式表示的官能基,和通过硅氧烷键结合固定的作为端基的－SiX基团(X为卤原子)。因此,提供一种可以形成单分子层状薄膜的化学吸附物质,其具有在可见光区透明而稳定,而在紫外光区起光化学反应的感光性基的新型化学吸附物质及其制造方法。还有,本发明的液晶取向膜,是在带电极的基板面上,直接地或通过其他物质层进行化学吸附形成的吸附分子集合群所构成的,并且,吸附分子具有以上列化学式表示的特性基和分子端基上的－O－Si结合基。因此,提供一种被均匀牢固地固定在基板上,取向的热稳定性及取向规制力优良,生产性好且能制造出纳米级膜厚的液晶取向膜及用该膜的LCD。
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公开(公告)号：CN1319628A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01111791.5
申请日：2001-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C03C17/42 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明的防污性覆膜的制造方法,具有:在干燥气氛中使含硅烷类化学吸附物质和第一有机溶剂的氧化硅类覆膜形成用溶液与基底材料表面接触后,蒸发第一有机溶剂的工序;使基底材料与水接触,形成含羟基的氧化硅类覆膜的工序;氧化硅类覆膜不经烧结,使含氟硅烷类化学吸附物质与第二有机溶剂的含氟覆膜形成用溶液与基体材料接触,形成含氟覆膜的工序;以及在惰性气体气氛下,对形成氧化硅类覆膜和含氟覆膜的基体材料进行烧结的工序。这种方法能够制造与基体材料附着力强,耐久性、耐磨损性和透明性等均优良的防污性覆膜。
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公开(公告)号：CN1318010A
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN99810979.7
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B32B9/00 , G02F1/1337
CPC classification number: C08J7/047 , C03C17/42 , C03C2217/76 , C08J7/04 , C08J2483/00 , G02F1/133719 , G02F1/133788
Abstract: 本发明特征在于，在基材表面上接触含有X－(SiOX2)n－SiX3(其中，X是选自卤素、烷氧基或者异氰酸酯基的至少一种的官能团，n是0以上的整数)表示的、可水解的化合物的底层溶液，在低于300℃的温度下干燥，形成底层，在该底层的表面上接触含有硅烷类化合物的溶液，化学吸附硅烷类化合物分子后，将该基材在300℃以上的温度下烧结。由此可以提高由以改变基材表面性质为目的的硅烷类化合物形成的功能性膜的防水性、耐久性、耐热性。
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公开(公告)号：CN1293614A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00800106.5
申请日：2000-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B32B9/00 , B32B31/00 , B05D3/10 , G02F1/1337
Abstract: 有机薄膜的制造方法,其特征在于,包括被膜形成步骤和除去步骤,所述被膜形成步骤是通过使具有下述官能团的分子簇与该基材表面接触,所述官能团对具有活泼氢的官能团显示反应活性,使之结合在该基材上,由该分子簇形成被膜;所述除去步骤是用含有选自酮、亚烷基二醇类以及烷氧基醇类中至少一种的洗涤剂除去未结合在所述基材上的所述分子。这样,可以不使用氯类有机溶剂,形成膜厚均一的有机薄膜,提供能减小环境负荷的有机薄膜的制造工艺。因此,本发明在工业上意义很大。
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公开(公告)号：CN1279628A
公开(公告)日：2001-01-10
申请号：CN98811262.0
申请日：1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B05D7/24 , B05D1/18 , G02F1/1337 , G02B5/30
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y40/00 , C11D3/162 , C11D11/0047 , G02F1/133719
Abstract: 本发明目的在于,提供一种均一性、分子取向性皆优良、也能用作液晶取向膜的单分子层状的化学吸附膜的高效率制造方法。可以采用至少具有以下工序的化学吸附膜的制造方法来达到该目的:使含有硅烷系表面活性剂和非水系有机溶剂的吸附质溶液在干燥气氛中与基材表面接触,在基材表面上形成由吸附质溶液构成的溶液层的工序;一边使上述溶液层中含有的有机溶剂蒸发,一边进行化学吸附反应的浓缩加速反应工序;有机溶剂蒸发结束后,直到经过一定时间,继续进行化学反应的熟化反应工序;上述熟化反应工序之后,用非水系有机溶剂洗涤基板表面上残存的未吸附的表面活性剂的洗涤工序。
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