公开(公告)号：CN103337254B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310228388.6

申请日：2005-08-08

申请人： 蒙特利研究有限责任公司

发明人： S·斯皮策 ,  J·H·克里格 ,  D·豪恩

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0016 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/56

摘要： 本发明提供一种设定存储装置的编程阈值的方法，确定超出存储单元擦除阈值的擦除方向的差分电压，所述差分电压是线性地决定下一个编程阶段的对应的编程阈值，所述存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作；基于至少部分所述差分电压来设定所述下一个编程阶段的所述编程阈值；以及通过施加所述差分电压加上所述擦除阈值于所述存储单元上而擦除所述存储单元。本发明提供电流‑电压值域，与/或频率‑时间值域，以助于调整聚合物存储单元的编程阈值。

公开(公告)号：CN105745715A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201380080733.4

申请日：2013-12-05

申请人： 英特尔公司

发明人： N·J·奥古斯特 ,  P·贾殷 ,  S·鲁苏 ,  F·哈姆扎奥卢 ,  R·文卡特森 ,  M·黑勒亚 ,  C·奥古斯丁 ,  C·托库纳加 ,  J·W·查汉茨 ,  王奕

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0061 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C14/0081 ,  G11C14/009

摘要： 描述了一种包括使用电阻式存储器的具有保持性的存储器单元的设备。该设备包括：包括交叉耦合到第二反相器件的第一反相器件的存储器元件；具有至少一个电阻式存储器元件的恢复电路，该恢复电路耦合到第一反相器件的输出；耦合到第一反相器件的输出的第三反相器件；耦合到第三反相器件的输出的第四反相器件；以及具有至少一个电阻式存储器元件的保存电路，该保存电路耦合到第三反相器件的输出。

公开(公告)号：CN103403905B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280009970.7

申请日：2012-03-21

申请人： 株式会社东芝

发明人： 西沢秀之 ,  服部繁树 ,  寺井胜哉 ,  御子柴智 ,  浅川钢儿 ,  多田宰

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/53 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/0098 ,  H01L51/0591

摘要： 一个实施方案的有机分子存储器包含第一导电层、第二导电层和置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层，其中有机分子层包含电阻变化型分子链或电荷储存分子链，电阻变化型分子链或电荷储存分子链具有吸电子取代基。

公开(公告)号：CN101950732B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201010167008.9

申请日：2006-11-02

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 楠本直人 ,  大泽信晴 ,  汤川干央 ,  道前芳隆

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/28 ,  H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L51/52 ,  F21S2/00

CPC分类号： H01L27/1266 ,  B82Y10/00 ,  G02F2001/13613 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/281 ,  H01L29/458 ,  H01L51/003 ,  H01L2251/558

摘要： 提供功能更高且可靠的半导体器件和无需使装置或工艺复杂化就能够以高产率低成本制造该半导体器件的技术。形成第一导电层和第二导电层，其中至少一层含有铟、锡、铅、铋、钙、锰或锌中的一种或多种；或在有机化合物层与第一导电层之间和在有机化合物层与第二导电层之间的至少一个界面处进行氧化处理。在第一衬底上形成并与第一衬底之间夹着剥离层的第一导电层、有机化合物层和第二导电层可以借助剥离层从第一衬底上剥离并转置到第二衬底上。

公开(公告)号：CN104091816A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410164564.9

申请日：2005-02-11

申请人： 斯班逊有限公司

发明人： C·F·莱昂斯

IPC分类号： H01L27/28 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  B82Y10/00

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0583 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用于内存组件阵列互连的聚合物电介质，本发明揭示一种半导体装置(100)，其含有聚合物电介质(103)以及至少含有有机半导体材料(112)与无源层(114)的有源装置(104)。该半导体装置(100)亦可进一步含有导电性聚合物(106与/或108)。此装置以重量轻和高可靠度为其特征。

公开(公告)号：CN102257610B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN200980140804.9

申请日：2009-09-23

申请人： 新加坡国立大学

发明人： 巴巴罗斯·欧伊尔迈兹 ,  郑毅 ,  倪广信 ,  杜志达

IPC分类号： H01L21/8236 ,  G11C14/00 ,  G11C15/04

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/5657 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/35 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/78684

摘要： 本发明提供一种存储单元(10)，包括石墨烯层(16)，石墨烯层(16)具有代表存储单元(10)的数据值的可控电阻状态。在一个实例性的实施例中，通过使用铁电层(18)控制电阻状态来提供非易失性存储器。在实例性的实施例中，二进制“0”和“1”分别由石墨烯层(16)的低电阻状态和高电阻状态来代表，且这些状态由铁电层(18)的极化方向以非易失性方式进行切换。

公开(公告)号：CN102037515B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN200980118151.4

申请日：2009-04-30

申请人： 美光科技公司

发明人： 钱德拉·穆利

IPC分类号： G11C8/08

CPC分类号： H01L27/2418 ,  G11C5/02 ,  G11C11/34 ,  G11C11/39 ,  G11C11/4026 ,  G11C11/5664 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/003 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  G11C2216/08 ,  H01L29/6609 ,  H01L45/00 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/16

摘要： 一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成三个或三个以上不同电阻状态中的一者；及二极管，其经配置以响应于正跨越所述字线与所述位线施加的电压而允许电流从所述字线穿过所述存储器元件流动到所述位线且无论所述电压增加还是减小均使所述电流减小。一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成两个或两个以上不同电阻状态中的一者；第一二极管，其经配置以响应于第一电压而抑制第一电流从所述位线流动到所述字线；及第二二极管，其包括电介质材料且经配置以响应于第二电压而允许第二电流从所述字线流动到所述位线。

公开(公告)号：CN102142443B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201010620964.8

申请日：2007-02-25

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 高野圭惠 ,  加藤清 ,  桑原秀明

IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C13/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/112 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0014 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01L51/0595

摘要： 半导体装置以及其制造方法，提供处理技术较简单且可以以少元件存储多值数据的新的存储器。通过使在第一存储元件中的第一电极的形状的一部分与在第二存储元件中的第一电极的形状不同，使第一电极与第二电极之间的电阻变化的电压值不同，来在一个存储单元中进行存储超过一位的多值信息。通过部分地加工第一电极，可以增加每单位面积的存储容量。

公开(公告)号：CN102969327A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210399098.3

申请日：2009-01-16

申请人： 美光科技公司

发明人： 刘峻 ,  迈克尔·P·瓦奥莱特

IPC分类号： H01L27/24

CPC分类号： H01L45/1675 ,  G11C13/0014 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： 一种可变电阻材料存储器(VRMM)装置包括容器型导体，其安置于耦合到VRMM的外延半导电突起上方。VRMM装置还可包括位于凹部中的耦合到VRMM的导电插塞。VRMM阵列还可包括位于周围凹部中的耦合到VRMM的导电插塞。设备包括具有二极管构造中的一者的VRMM。

公开(公告)号：CN102148229B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201110026947.6

申请日：2007-07-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 汤川干央 ,  杉泽希

IPC分类号： H01L27/112 ,  H01L27/12 ,  G11C13/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/112 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L21/84 ,  H01L24/12 ,  H01L24/28 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/1203 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种存储元件、半导体装置。其目的在于减少每个存储元件中的写入工作的不均匀性，其目的还在于提供安装有所述存储元件且写入特性优良的半导体装置。本发明的存储元件包括第一导电层、金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、第二导电层，并且金属氧化物层、半导体层、以及有机化合物层被第一导电层和第二导电层夹持，金属氧化物层与第一导电层接触，与金属氧化物层接触地设置半导体层。通过采用这种结构，减少了每个存储元件中的写入动作的不均匀性。