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公开(公告)号：CN113170548A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079324.X
申请日：2019-12-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖的显示面板。本发明是一种包括显示区域、第一支撑体及第二支撑体的显示面板，显示区域具有第一区域、第二区域及第三区域，第一区域及第二区域具有在一个方向上延伸的带状形状，第三区域夹在第一区域与第二区域间。另外，第一支撑体与第一区域重叠且比第三区域不容易弯曲，第二支撑体与第二区域重叠且比第三区域不容易弯曲。另外，第二支撑体可以以在一个方向上延伸的轴为中心相对于第一支撑体旋转。
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公开(公告)号：CN106537486B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201580041378.9
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/40 , G02F1/1333 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H04M1/02 , H05B33/02 , H05B33/06 , H05B33/14 , G02F1/1345
Abstract: 提供一种能沿着弯曲表面显示图像的显示装置。在该显示装置中，第一显示面板及第二显示面板隔着光透射层(103)相互重叠。光透射层(103)位于第一显示面板的显示表面一侧以及第二显示面板的与显示表面相对的一侧。光透射层(103)具有的对于波长范围450nm至700nm的光的平均透射率为80％或更大，并且其折射率高于空气的折射率。第一显示面板的显示区域(101a)与第二面板的可见光透射区域(110b)隔着光透射层(103)相互重叠。
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公开(公告)号：CN106663396B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201580042721.1
申请日：2015-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供适合于大型化的显示装置、显示不均匀得到抑制的显示装置、或者能够在曲面上显示图像的显示装置。该显示装置包括第一显示面板、第二显示面板、第一粘合层以及衬底。第一和第二显示面板包括第一区域、第二区域以及阻挡层。阻挡层包括与第一区域重叠的部分以及与第二区域重叠的部分。第一区域包括使可见光透射的区域。第二区域能够显示图像。阻挡层包含无机绝缘材料且包括与第一粘合层接触的区域以及厚度为10nm至2μm的区域。该显示装置包括衬底、第一粘合层、第二显示面板的第一区域和第一显示面板的第二区域彼此重叠的区域。
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公开(公告)号：CN107111997A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061300.3
申请日：2015-11-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种适于大型化的显示系统或显示装置。该显示系统包括第一显示面板、第二显示面板、检测装置以及补偿装置。第一显示面板包括第一显示区域。第二显示面板包括第二显示区域。第一显示区域与第二显示区域包括它们彼此重叠的第一区域。检测装置具有检测第一区域的尺寸的功能。补偿装置具有根据第一区域的尺寸变化补偿第一显示区域上显示的图像的功能。
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公开(公告)号：CN102637830A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210029202.X
申请日：2012-02-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L51/5036 , H01L51/5265
Abstract: 本发明涉及发光元件、显示装置、照明装置、及其制造方法。公开了一种发光元件，包括第一电极、透射光的第二电极、以及插入在第一电极和第二电极之间的发光层。所述第一电极包括能够反射光的第一导电层、设置在所述第一导电层上的并且包括钛的第二导电层、以及透射光并且包括金属氧化物的第三导电层，所述金属氧化物的功函数高于所述第一导电层的功函数。
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公开(公告)号：CN101529596B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200780039256.1
申请日：2007-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/28 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/10 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/105 , G11C13/0016 , G11C13/004 , H01L27/283 , H01L51/006 , H01L51/0591
Abstract: 在用于制造柔性存储器件和半导体器件的方法中，在具有分离层的衬底上形成包括元件层和封闭元件层的绝缘层的叠层，并且从分离层分离该叠层。元件层包括存储器元件，存储器元件具有在一对电极之间的包含有机化合物的层、第一电极层和第二电极层，并且使用包含锡的合金层形成一对电极层的至少一层。柔性存储器件和半导体器件包括存储器元件，存储器元件具有在一对电极之间的包含有机化合物的层、第一电极层和第二电极层，并且使用包含锡的合金层形成一对电极层的至少一层。
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公开(公告)号：CN101401209B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200780008401.X
申请日：2007-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/28 , H01L29/786 , H01L27/10 , H01L51/05
CPC classification number: H01L27/13 , H01L27/101
Abstract: 本发明的一个目的在于减少各存储元件性态的变化。此外，本发明的另一个目的是获得其上装有存储元件的、性能和可靠性方面优越的半导体器件。本发明的存储元件在其结构中包括第一导电层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，其中半导体层和有机化合物层夹在第一导电层和第二导电层之间，且半导体层被形成为与第一导电层和/或第二导电层相接触。使用这种结构，各存储元件性态中的变化减少。
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