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公开(公告)号：CN114288962A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111496907.8
申请日：2021-12-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: B01J19/08
Abstract: 本发明属于热等离子体应用技术领域，具体涉及一种热等离子体合成纳米氮化物粉体的装置及方法，该装置包括氮化物坩埚、金属物料投入口、氮化物蒸汽出口和直流电弧热等离子体炬，氮化物坩埚顶部设有金属物料投入口和氮化物蒸汽出口，氮化物坩埚的内腔与金属物料投入口和氮化物蒸汽出口连通，除金属物料投入口和氮化物蒸汽出口，氮化物坩埚的顶部为封闭式；氮化物坩埚的外周均匀设置有若干个直流电弧等离子体炬。本发明有效克服了现有氮化物粉体材料制备工艺的技术瓶颈，通过本发明方法合成的纳米氮化物粉体的平均粒度在200nm以下，形貌为球形或线形，具有合成效率高及生产成本低等特点。
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公开(公告)号：CN112620847A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011449318.X
申请日：2020-12-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于异质材料连接技术领域，具体涉及一种增强碳基材料与铜合金钎焊连接的方法，包括：将碳基材料基体放入有机溶剂中进行超声波清洗、加热烘烤除气并抽真空；利用Ar气等离子体对碳基材料表面进行溅射清洗，同时对碳基材料进行预加热；在碳基材料基体表面上制备金属碳化物冶金层；在金属碳化物冶金层的表面沉积金属化涂层；关闭金属靶材电源，停止工作气体Ar气的充入，关闭加热，真空腔室中的真空度恢复为本底真空度，待碳基材料基体冷却后取出。本发明方法有效解决碳基材料与铜合金连接存在热膨胀系数差异大和润湿性差的问题，实现碳基材料与铜合金热沉材料之间的冶金结合。
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公开(公告)号：CN109803476A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201711143554.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于等离子体产生和低温等离子体技术领域，具体涉及一种体放电等离子体发生装置。本装置包括电源、上格栅电极组和下栅格电极组，所述格栅式电极组由多个平行、共面排布的单个格栅电极构成，上格栅电极组和下格栅电极组分别接入电源的两个极，两个格栅式电极可裸露相对，或其中一个埋藏在介质层下一定深度，或者两者都埋藏在介质层下一定深度。本装置降低放电电压；低电场处更有助于气体放电维持和降低无效功率；改变电极结构的电容量，更有利于电路的电容匹配。相比于普通电极结构，本发明放电电压低、放电效率高、电容可调节有利于电路匹配和等离子体分布均匀。
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公开(公告)号：CN103903931A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210575282.9
申请日：2012-12-26
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于一种辉光放电电极，具体公开一种嵌入式辉光放电电极，该电极包括真空法兰、真空电引线、设置在真空电引线真空侧一端的电极头和屏蔽罩，电极头位于屏蔽罩内；屏蔽罩的一侧套在真空电引线的真空侧，屏蔽罩的另一侧敞口。本发明的嵌入辉光放电电极可避免氘氚等离子体直接辐照，具有较低的漏水风险，满足热核聚变实验堆的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117684140A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311713739.2
申请日：2023-12-13
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种多元纳米复合涂层制备设备，涉及低温等离子体技术领域，包括真空室；所述真空室内带有旋转工件架，所述真空室底部带有用于带动所述旋转工件架旋转的旋转电机；所述真空室顶部带有真空室盖，沿所述真空室盖的环向，所述真空室盖上带有若干磁控溅射靶和若干射频等离子体源，所述磁控溅射靶伸入所述真空室内，并向所述旋转工件架上的样品溅射金属粒子；所述射频等离子体源用于向所述旋转工件架上的样品发射活性粒子。采用本方案，可选择性的采用一个或若干个磁控溅射靶提供高纯金属粒子和等离子体源产生的高活性粒子，实现工件涂层沉积和清洗、反应沉积，实现多元不同组分复合涂层或多层梯度涂层制备，避免了高成本复合靶研制成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117535754A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311488382.2
申请日：2023-11-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种实现铝合金筒件内壁涂层原位生长的制备方法及夹具，采用适配于圆筒工件的隔水夹具与电极，将圆筒工件不需要氧化的部分由隔水夹具封装夹持，然后将工件放入电解液中将圆筒工件需要氧化的内腔部分与电解液接触，将阴极棒置于圆筒工件内腔中，进行微弧氧化处理；其中所述电解液包括以下组分：硅酸钠、三聚磷酸钠。本发明通过隔水夹具和内置阴极结构的设计，攻克了电场不均匀导致尖端增厚的难点，实现了圆筒形区域微弧氧化涂层的高均匀度生长，通过对电解液的配比以及微弧氧化处理的电参数改进，严格控制微弧氧化处理工艺如电流密度、脉冲占空比、脉冲频率、反应时间等工艺条件，能够实现100μm以上微弧氧化涂层的生长。
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公开(公告)号：CN117535709A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311487204.8
申请日：2023-11-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: C25B11/052 , C25B11/081 , C25B11/065 , C25B11/061 , C25B11/077 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种电解制氢催化电极及其制备方法，制备方法包括：获取导电基材且对其进行清洗；将清洗后的导电基材置于真空环境中，采用离子注入方式将催化剂材料离子注入至所述导电基材上；本发明采用离子注入方式将催化剂材料注入于导电基体上，在导电基体内部浅表面形成具有纳米结构催化活性点的复合改性层，是结构功能一体化的催化电极。因此，本发明所获得的电解制氢催化电极不存在结合强度问题，在不影响导电基体的导电性能的情况下，还能够形成具有纳米结构催化活性点，不影响导电基体的机械结构性能。采用离子注入方式所获得的电解制氢催化电极的过电位为100mV～400mV，由此可知，具有良好的催化性能。
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公开(公告)号：CN109831866B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711180889.6
申请日：2017-11-23
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种双环电极共面放电等离子体发生装置。本装置由电源和埋藏在介质层内的双环形电极单元紧密排列而成；所述双环形电极单元包括内环电极和外环电极，内环电极和外环电极均埋藏在介质层内一定深度，内环电极接地，外环电极连接高压电源的高频、高电压电极，多个双环形电极单元组合后可以产生大面积均匀等离子体，在所述的内环电极和外环电极之间的介质层表面，在高电压作用下产生共面放电等离子体，等离子体分布均匀。
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公开(公告)号：CN116352096A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310291834.1
申请日：2023-03-23
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉热等离子体应用技术领域，具体公开了一种制备难熔金属球形粉末的等离子体雾化及球化装置，包括：直流电弧等离子体炬，用于产生等离子体射流，所述等离子体射流用于使丝材雾化或使粉末球化制备球形粉末；送料导向管，用于输送丝材或粉末，使丝材或粉末送入等离子体射流中，炬固定座，用于可拆卸式固定直流电弧等离子体炬和送料导向管。本发明采用直流电弧等离子体炬射流作为热源对丝材或粉末进行雾化和球化处理制备成球形粉末，满足金属丝材雾化及粉末球化制备球形粉末的不同应用工况对等离子体射流性能的要求，且运行成本较低、可控性好。
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公开(公告)号：CN116259442A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211721737.3
申请日：2022-12-30
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于二代高温超导材料技术领域，具体涉及一种提高二代高温超导带材强磁场环境下载流能力的方法，包括：步骤1、选用REBa2Cu3O7‑x超导涂层成品带材；步骤2、将上述REBa2Cu3O7‑x超导带材放入离子辐照系统，进行离子辐照处理，在REBa2Cu3O7‑x超导涂层中引入晶格缺陷；步骤3、完成离子辐照后，若为未镀银的REBa2Cu3O7‑x超导涂层带材先进行银层沉积处理后再放入真空热处理炉进行热处理及吸氧处理；若为银封装超导涂层带材，直接进行热处理及吸氧处理。本发明方法工艺简单，能够有效提升超导带材在场载流能力，提高超导带材在场载流能力的工艺控制参数可控性好。
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