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公开(公告)号：CN117542718A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311487217.5
申请日：2023-11-09
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种用于等离子刻蚀的中性粒子束产生装置，包括放电仓和中性粒子束产生机构，放电仓外设有射频天线，射频天线连有脉冲射频电源，以使放电仓内形成等离子体；中性粒子束产生机构包括气路电极、引出产生栅极及偏压电源组，气路电极和引出产生栅极通过偏压电源组连接，并分别设于放电仓相对的两侧，以对等离子体中的负离子加速，使负离子通过引出产生栅极射出形成中性粒子束；引出产生栅极能够对负离子进行减速及中性化处理。其能够解决等离子刻蚀时会使基片表面产生损伤或缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN114302546B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111489702.7
申请日：2021-12-08
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H05H1/24
摘要： 本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提高放电电流利用率和引出离子能量目的。
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公开(公告)号：CN114346767B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111496449.8
申请日：2021-12-09
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： B24B1/00 , H01J37/305 , H01J37/08
摘要： 本发明属于离子束加工技术领域，具体涉及一种高效率低损伤缺陷表面的离子束抛光设备和方法。设备包括离子束抛光设备腔室、离子源系统，工件安装在离子束抛光设备腔室；离子源系统与射频电源、偏压电源和引出电源连接；方法选用熔石英作为工件固定后，工件被加工面法向与离子束入射方向平行，封闭设备腔室并抽真空，通入工作气体，并将其激发电离，产生高密度等离子体，同时启动偏压电源和引出电压，利用交替引出的正、负离子构成的多组分离子束轰击工件表面。利用线性射频离子源，通过多维运动工件架使工件相对于离子源做扫描运动，实现大尺寸元件均匀一致抛光，提高离子束抛光控制精度，提升加工速率。
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公开(公告)号：CN116180187A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211411580.4
申请日：2022-11-11
申请人： 核工业西南物理研究院 , 中广核研究院有限公司
IPC分类号： C25D11/26
摘要： 本发明公开了一种微弧氧化电解液和反应堆锆合金表面涂层的制备方法，微弧氧化电解液包括溶剂和电解质，其中：溶剂的电导率为0～5μs/cm；电解质包括氢氧化锂和/或硼酸锂，氢氧化锂的浓度为3～10g/L，硼酸锂的浓度为3～10g/L；一种反应堆锆合金表面涂层的制备方法，包括：对反应堆锆合金表面进行预处理，使得反应堆锆合金表面的粗糙度Ra
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公开(公告)号：CN114288962A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111496907.8
申请日：2021-12-09
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： B01J19/08
摘要： 本发明属于热等离子体应用技术领域，具体涉及一种热等离子体合成纳米氮化物粉体的装置及方法，该装置包括氮化物坩埚、金属物料投入口、氮化物蒸汽出口和直流电弧热等离子体炬，氮化物坩埚顶部设有金属物料投入口和氮化物蒸汽出口，氮化物坩埚的内腔与金属物料投入口和氮化物蒸汽出口连通，除金属物料投入口和氮化物蒸汽出口，氮化物坩埚的顶部为封闭式；氮化物坩埚的外周均匀设置有若干个直流电弧等离子体炬。本发明有效克服了现有氮化物粉体材料制备工艺的技术瓶颈，通过本发明方法合成的纳米氮化物粉体的平均粒度在200nm以下，形貌为球形或线形，具有合成效率高及生产成本低等特点。
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公开(公告)号：CN117684140A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311713739.2
申请日：2023-12-13
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种多元纳米复合涂层制备设备，涉及低温等离子体技术领域，包括真空室；所述真空室内带有旋转工件架，所述真空室底部带有用于带动所述旋转工件架旋转的旋转电机；所述真空室顶部带有真空室盖，沿所述真空室盖的环向，所述真空室盖上带有若干磁控溅射靶和若干射频等离子体源，所述磁控溅射靶伸入所述真空室内，并向所述旋转工件架上的样品溅射金属粒子；所述射频等离子体源用于向所述旋转工件架上的样品发射活性粒子。采用本方案，可选择性的采用一个或若干个磁控溅射靶提供高纯金属粒子和等离子体源产生的高活性粒子，实现工件涂层沉积和清洗、反应沉积，实现多元不同组分复合涂层或多层梯度涂层制备，避免了高成本复合靶研制成本。
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公开(公告)号：CN116352096A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310291834.1
申请日：2023-03-23
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明涉热等离子体应用技术领域，具体公开了一种制备难熔金属球形粉末的等离子体雾化及球化装置，包括：直流电弧等离子体炬，用于产生等离子体射流，所述等离子体射流用于使丝材雾化或使粉末球化制备球形粉末；送料导向管，用于输送丝材或粉末，使丝材或粉末送入等离子体射流中，炬固定座，用于可拆卸式固定直流电弧等离子体炬和送料导向管。本发明采用直流电弧等离子体炬射流作为热源对丝材或粉末进行雾化和球化处理制备成球形粉末，满足金属丝材雾化及粉末球化制备球形粉末的不同应用工况对等离子体射流性能的要求，且运行成本较低、可控性好。
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公开(公告)号：CN116259442A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211721737.3
申请日：2022-12-30
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明属于二代高温超导材料技术领域，具体涉及一种提高二代高温超导带材强磁场环境下载流能力的方法，包括：步骤1、选用REBa2Cu3O7‑x超导涂层成品带材；步骤2、将上述REBa2Cu3O7‑x超导带材放入离子辐照系统，进行离子辐照处理，在REBa2Cu3O7‑x超导涂层中引入晶格缺陷；步骤3、完成离子辐照后，若为未镀银的REBa2Cu3O7‑x超导涂层带材先进行银层沉积处理后再放入真空热处理炉进行热处理及吸氧处理；若为银封装超导涂层带材，直接进行热处理及吸氧处理。本发明方法工艺简单，能够有效提升超导带材在场载流能力，提高超导带材在场载流能力的工艺控制参数可控性好。
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公开(公告)号：CN115537749A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211100238.2
申请日：2022-09-08
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明属于离子注入工艺装备技术领域，具体涉及一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，包括：放卷传动装置、离子注入传动装置、收卷传动装置、沉积YBCO超导层金属带材、离子注入真空室、离子源、真空抽气口、放卷室真空室和收卷室真空室；所述离子注入真空室的两侧分别连通放卷室真空室和收卷室真空室；本发明设能够实现动态粒子辐照百米级二代高温超导带材，且可控制注入的离子种类、能量、剂量和注入角度，进而达到可控磁通钉扎浓度、深度、分布及均匀性等；同时注入气体离子和金属离子，还可达到掺杂和缺陷引入的双重效果，具有独特的优势，满足工业化生产的需要。
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公开(公告)号：CN114752910A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210439957.0
申请日：2022-04-25
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 为解决现有的高熵合金涂层制备方法制备的高熵合金涂层存在缺陷的技术问题，本发明实施例提供一种制备高熵合金涂层的方法，包括：将含有用于制备高熵合金涂层所需金属元素的金属材料作为离子注入MEVVA源的阴极材料；通过离子注入的方式在金属基体表面上注入金属材料含有的金属的金属离子，以在基体表面形成合金相涂层。本发明实施例解决了现有的高熵合金涂层制备方法制备的高熵合金涂层存在的金属基体和高熵合金涂层结合力较差的缺陷，制备出了与基体附着力牢固的高熵合金涂层。
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