公开(公告)号：CN114586141A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202180006002.X

申请日：2021-03-26

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 岩屋涉 ,  佐藤阳辅

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/29

Abstract: 本发明为一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。

公开(公告)号：CN113518814A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080018319.0

申请日：2020-03-06

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 岩屋涉 ,  佐藤阳辅

IPC: C09J201/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/301 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明提供一种固晶片(101)，其具备基材(11)并通过在基材(11)上依次层叠粘着剂层(12)、中间层(13)及膜状粘合剂(14)而构成，在所述固晶片(101)中，[所述中间层13在0℃下的拉伸弹性模量]/[所述基材11在0℃下的拉伸弹性模量]的值为0.5以下。

公开(公告)号：CN113165349A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980079178.0

申请日：2019-12-23

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐藤阳辅

IPC: B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  C09J11/06 ,  H01L23/29 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J175/04 ,  H01L21/52 ,  H01L21/301 ,  H01L27/146 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38

Abstract: 本实施方案的膜状粘合剂用于芯片的电路形成面与透光性盖体的贴合，所述膜状粘合剂的至少一个面基本上不含芳香族化合物。

公开(公告)号：CN111051455A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880055290.6

申请日：2018-05-10

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 土山佐也香 ,  佐藤明德 ,  佐藤阳辅

IPC: C09J7/30 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  G01J1/02

Abstract: 本发明为一种膜状透明粘合剂，该膜状透明粘合剂为热固性或能量射线固化性，其固化后的波长800nm处的透光率为80％以上。优选固化后的波长800～2000nm处的透光率均为80％以上，优选固化后的波长850nm处的透光率为90％以上。

公开(公告)号：CN103087644A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210433531.0

申请日：2012-11-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐藤阳辅 ,  金井道生 ,  中西勇人

IPC: C09J7/02 ,  C09J175/14 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68381 ,  H05K1/02 ,  H05K1/115 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明提供一种切割片，由基材、位于该基材表面的中间层、以及位于该中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G′为中间层的23℃储存弹性率G′的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。本发明提供的切割片在突起状电极(贯通电极)间不残留粘接剂层的残渣、晶片不破损、可切割及提取。

公开(公告)号：CN214956807U

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202120618194.7

申请日：2021-03-26

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 岩屋涉 ,  佐藤阳辅

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置制造用片，其具备基材，并通过在基材上依次层叠粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及剥离膜而构成，剥离膜的厚度为60μm以上，在剥离膜中自层叠有膜状粘合剂的一侧的面形成有切口部，切口部的切口深度大于25μm。