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公开(公告)号：CN101319390A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810044640.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，属于电子材料领域，特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤：步骤一熔体制备：称量高纯氧化物原料Lu2O3和Bi2O3，研磨，混和后熔化并放置，然后降低温度至生长温度；步骤二清洗GGG基片；步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3－15°，缓慢放入熔体中，准备外延生长；步骤四在生长过程中，基片以60－100转/分的速率转动，达到预设的生长时间后，将基片缓慢提离熔体液面；步骤五生长结束后，将基片高速旋转，以甩掉基片上的残留液滴，然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂；步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi2O3助熔剂。
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公开(公告)号：CN1976221A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610022472.2
申请日：2006-12-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 静磁表面波色散控制结构，属于微波及射频器件领域，特别涉及静磁波色散控制技术。本发明采用多层膜结构，层之间的接触面为平面。本发明的有益效果是结合静磁表面波在YIG膜中的传输特性，利用各膜层之间波的耦合作用，减小静磁表面波的色散，从而更好的控制其传播特性及其在器件中的应用。
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公开(公告)号：CN115522262B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211207915.0
申请日：2022-09-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法，属于磁光传感用单晶晶片制备技术领域。包括：1)在石榴石单晶衬底上生长石榴石单晶晶片层；2)将衬底提出至熔体液面上方，液相外延炉的温度升高至1150～1200℃；3)将衬底下降至熔体液面下，单向旋转1min，保持旋转并将衬底提出，1min后停止旋转；4)将衬底提离液相外延炉，得到的晶片在浓硝酸中浸泡，去离子水冲洗，烘干。本发明将晶体表面处理过程合并至晶体生长过程中，省去了研磨、抛光等工艺流程，减少生长时间，提高生产效率、降低了生产成本；采用高温熔体浸渍清洗法，能有效控制表面白雾、团簇型裂纹等表面污染层，获得和传统工艺相同晶体表面质量的磁光成像单晶晶片。
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公开(公告)号：CN114686983B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111481399.6
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，具体是一种石榴石相掺杂的磁光与非线性光学材料的制备方法，光与物质的相互作用受到介质磁性状态和材料的电子结构的影响，电磁辐射和磁极化材料之间的这种相互作用导致了“磁光”效应，磁光效应在电磁学的早期历史中发挥了重要作用，为光的电磁理论，以及电子自旋运动和自旋轨道耦合等物质的经典和量子理论提供了实验支持，本发明以钇铁石榴石作为典型的磁性材料，在微波段具有良好的透过性，但是磁光效应并不明显，使用掺杂的手段对钇铁石榴石晶体进行改性。
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公开(公告)号：CN116014453B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202211326169.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明属于电磁功能材料技术领域，具体提供一种基于MXene与笼状结构三维泡沫的超疏水太赫兹吸波器，以满足多孔吸收器需要保持干燥及自清洁能力的应用需求。本发明采用疏水处理的技术路线，首先创新的设计一种正十二面体为基本单元、周期性互连排列形成类富勒烯的笼状结构三维泡沫，其孔径形状规则、孔径尺寸均匀，使得Ti3C2Tx纳米片在包覆三维泡沫的骨架的同时、于骨架之间快速自组装为Ti3C2Tx微米薄片；然后将Ti3C2Tx微米薄片作为疏水纳米颗粒的承载平台，在三维泡沫的骨架与Ti3C2Tx微米薄片表面形成疏水涂层；最终，使得太赫兹吸波器具有超疏水表面，不仅具有极高的吸收性能，而且还具有高效的拒液、自清洁性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116411349A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310394142.X
申请日：2023-04-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于铁氧体单晶薄膜制备技术领域，具体提供一种用于连续生长石榴石晶体的高精度液相外延炉，用以解决常规单温区液相外延炉进行多批次RIG单晶连续生长过程中重复的熔融、搅拌(均匀化)、降温过程使得制备时间明显延长、生产效率大幅降低、能耗显著增高以及液相原料污染、铂金坩埚寿命缩短等问题。本发明采用双温区炉体设计，在连续生长过程中，坩埚及其内液相原料一直处于高温区，而生长完成后的晶体冷却过程则在低温区完成，从而避免重复进行原料熔融、均匀化以及降温，显著缩短晶体的制备周期、提升制备效率、降低能源消耗，同时降低铂金坩埚的损耗率，实现石榴石晶体的高效、低成本制备。
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公开(公告)号：CN115537915A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211207916.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，属于液相外延单晶厚膜制备技术领域。包括：1)在石榴石单晶衬底上形成双层石墨烯结构；2)在双层石墨烯结构上生长石榴石籽晶层；3)退火、清洗；4)生长石榴石晶片层；5)对生长有石榴石晶片层的衬底进行剥离处理。本发明采用衬底/双层石墨烯/籽晶层/晶片层的复合膜结构，双层石墨烯作为单晶膜释放层，使得衬底对单晶膜生长基元或结晶的取向可透过的石墨烯层通过表面静电场传递，影响籽晶层生长基元的排列取向，传递晶格常数；双层石墨烯之间、以及石墨烯层与籽晶层和晶片层之间仅存在范德华力，并非化学键合，可使用胶带等外力吸附轻松地转移厚膜，实现石榴石衬底的重复使用。
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公开(公告)号：CN114914647A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210539598.6
申请日：2022-05-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 一种基于铁氧体材料的可调谐宽带带阻滤波器，属于微波磁学器件技术领域。包括金属谐振腔、以及位于金属谐振腔之内的平面化谐振电路，平面化谐振电路包括铁氧体基板和位于铁氧体基板之上的微带电路，微带电路采用四分之一波长短截线耦合方式。本发明采用铁氧体材料作为微带电路地介质基板，实现了可调谐宽带带阻滤波器平面化，在外加偏置磁场下实现了阻带可调；在铁氧体材料的基板上形成微带电路，微带电路为多枝节结构，加强了可调谐带阻滤波器的调谐范围，增强了射频磁场强度，促进铁氧体材料在发生铁磁共振效应时吸收能量，实现了最大阻带深度大、可调谐范围宽的效果，阻带宽度达到5GHz以上，最大阻带深度达到了‑108dB以下。
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公开(公告)号：CN113050742B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110265917.4
申请日：2021-03-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种精密恒流源电路，属于射频微波技术领域。包括：具有升降压功能的升降压电源芯片，电源输入滤波电容，分压电阻，反馈电路，电源输出滤波电容，负载，内部具有ADC模块的微处理器和数字电位器，反馈电路包括采样电阻和运放。相较于传统的恒流源电路，本发明精密恒流源电路实现方式简单，电流精度高，且可以实现射频微波芯片要求电流快速跳变的目的；同时，通过微处理器来控制不同电流输出，具有电流限值保护，可以实现更通用型恒流源的需求。
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公开(公告)号：CN113504742B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110659155.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 一种基于FPGA的双馈自动电平控制系统，属于射频微波技术领域。所述双馈自动电平控制系统包括主链路、前馈环路和反馈环路。本发明提供的一种基于FPGA的双馈自动电平控制系统，采用双馈环路，在开环情况下，前馈环路的增加使得系统能根据输入功率的大小自动改变固有的电压参考值，保证输出功率的准确性；相比于传统的自动电平控制系统，电路实现方式简单，在不同场景应用时，只需重新建表，无需更改电路结构；在检波电路中加入温度检测模块，实现不同温度下检波电压与输入输出功率的精准对应关系，具有温度补偿特性，避免了传统复杂的硬件电路设计实现温度补偿。
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