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公开(公告)号：CN111863953B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010735925.6
申请日：2020-07-28
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种功率开关器件及其制作方法，主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、第一栅柱(6)、第二栅柱(7)、源极(9)、漏极(10)、台面(11)、第一栅极(12)、第二栅极(13)和钝化层(14)。第一栅柱和第二栅柱均由P型层(4)和N型层(5)组成；N型层由N‑型层(51)和N+型层(52)组成；第一栅柱左侧的势垒层内和第二栅柱右侧的势垒层内均刻蚀有阵列孔(8)；钝化层上部设有复合板(15)；钝化层和复合板的外围设有保护层(16)。本发明制作工艺简单、正向阻断与反向阻断好及阈值电压高，可作为开关器件。
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公开(公告)号：CN111863953A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735925.6
申请日：2020-07-28
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种功率开关器件及其制作方法，主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、第一栅柱(6)、第二栅柱(7)、源极(9)、漏极(10)、台面(11)、第一栅极(12)、第二栅极(13)和钝化层(14)。第一栅柱和第二栅柱均由P型层(4)和N型层(5)组成；N型层由N-型层(51)和N+型层(52)组成；第一栅柱左侧的势垒层内和第二栅柱右侧的势垒层内均刻蚀有阵列孔(8)；钝化层上部设有复合板(15)；钝化层和复合板的外围设有保护层(16)。本发明制作工艺简单、正向阻断与反向阻断好及阈值电压高，可作为开关器件。
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公开(公告)号：CN114937698A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210587495.7
申请日：2022-05-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/872 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种复合漏极功率晶体管及其制作方法，主要解决传统器件开启压降高，双向阻断能力有限的问题，其包括：衬底、过渡层、势垒层、钝化层，钝化层左、右侧分别为源极和欧姆电极，欧姆电极左侧从右至左依次为M个阳极块、N个肖特基电极、K个P型阵列块，欧姆电极、P型阵列块、肖特基电极和阳极块上侧为互连金属，源极与P型阵列块之间的钝化层内开有窗口，其内部依次设有P型块、i‑GaN块、栅极，该源极、栅极与欧姆电极、肖特基电极和阳极块构成HEMT结构，该肖特基电极和阳极块与其接触的势垒层和钝化层形成二极管结构。本发明降低了开启压降和反向泄露电流，提高了双向阻断能力，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN110164983A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910459859.1
申请日：2019-05-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/872
摘要： 本发明公开了一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管，包括：N-外延层、若干P型离子注入区和第一金属层，其中，若干P型离子注入区设置于N-外延层内表面，且每个P型离子注入区表面的中心位置均设置有一沟槽，第一金属层设置于N-外延层上、且覆盖P型离子注入区，相邻两个P型离子注入区之间的N-外延层与第一金属层形成第一肖特基接触区，第一肖特基接触区的面积从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大。本发明的第一肖特基接触区的面积从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大，保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化，减小了器件中心与边缘的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生，从而提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN110164982A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910459154.X
申请日：2019-05-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417
摘要： 本发明公开了一种结型势垒肖特基二极管，包括N-外延层；P型离子注入区，位述N-外延层中，P型离子注入区的深度从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心逐渐减小；第一金属层，位于N-外延层的上表面，且每个P型离子注入区与第一金属层的交界面形成一个第一肖特基接触区，相邻若干P型离子注入区之间的N-外延层与第一金属层的交界面形成第二肖特基接触区，第二肖特基接触区的肖特基接触面积从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心逐渐减小。本发明的结型势垒肖特基二极管可以减小漏电流，减小结型势垒肖特基二极管的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生，提高了结型势垒肖特基二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN110212023A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910459143.1
申请日：2019-05-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要： 本发明公开了一种能够减小反向漏电流的结型势垒肖特基二极管，包括N+衬底层；N-外延层；若干P型离子注入区，每个P型离子注入区表面的中心位置均设置有一沟槽，且沟槽的深度从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大；两个二氧化硅隔离层；第一金属层，相邻两个P型离子注入区之间的N-外延层与第一金属层形成第一肖特基接触区，且第一肖特基接触区的面积从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大；第二金属层。本发明的结型势垒肖特基二极管能够保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，减小结型势垒肖特基二极管中心与边缘的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生，且减小了结型势垒肖特基二极管的反向漏电流。
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公开(公告)号：CN110212022A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910459140.8
申请日：2019-05-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要： 本发明涉及一种沟槽结构结势垒肖特基二极管，自上而下依次包括阳极电极层、隔离介质层、N-外延层、N+衬底层和阴极电极层，其中，在N-外延层的上表面开设有多个沟槽结构，在沟槽结构的内部形成有P型离子注入区；相邻沟槽结构的间距从N-外延层的上表面中心至边缘减小，且多个P型离子注入区的形状尺寸均相同。本发明的沟槽结构结势垒肖特基二极管相邻沟槽结构的间距从中心至边缘呈减小趋势，从而在保证反向漏电流的前提下，改善了器件正向工作时的导通电阻特性，提高了器件的性能和可靠性。
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