一种高效变频压缩机用无取向硅钢及其制造方法

    公开(公告)号:CN112210716A

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN202010977863.X

    申请日:2020-09-17

    摘要: 本发明公开了一种高效变频压缩机用无取向硅钢及其制造方法,属于无取向硅钢技术领域。本发明的一种高效变频压缩机用无取向硅钢,其化学成分按重量计百分比:C≤0.003%,Si:2.0%~2.7%,Mn:0.2%~0.5%,Als:0.2%~0.7%,Sn:0.06%~0.11%,S≤0.005%,P≤0.03%,N≤0.003%,Ti≤0.003%,其余为Fe及不可避免的杂质,其制备工艺流程如下:冶炼‑连铸‑加热‑热轧‑常化酸洗‑冷轧‑退火‑涂敷,其中常化酸洗工序中,常化温度为880℃~940℃,常化时间2min~5min,常化后经过抛丸处理,去除带钢表面的氧化铁皮,然后采用盐酸进行酸洗,酸洗温度75℃~90℃,确保带钢表面清洗干净。本发明的目的在于克服现有技术中高磁感磁性能的无取向硅钢通常铁损较高的不足,不仅能够满足高效变频压缩机用低铁损、高磁感磁性能要求。

    一种高压电机用高磁导率无取向硅钢及制造方法

    公开(公告)号:CN109112403B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201811049020.2

    申请日:2018-09-10

    摘要: 本发明公开了一种高压电机用高磁导率无取向硅钢及制造方法,按重量百分比计含有以下成分(%):Si:2.00%~3.2%;Als:0.20%~0.90%;Mn:0.10%~0.40%;Sn:0.01%~0.10%;Sb:0.01%~0.10%;Cu:0.02%~0.10%;C+S+N+Ti:≤85ppm,且各元素含量均≤25ppm,其余成分为Fe及不可避免的杂质元素。采用本发明生产的高压电机用高磁导率硅钢产品,相对于现有成分和工艺硅钢产品,由于Sn和Sb晶界偏聚元素的添加及热轧均热和常化工艺优化,铁损P1.5/50降低0.2W/kg以上,铁损性能优化在5%以上,磁感B5000提升0.02T,磁导率μ1.5/60提升120Gs/Oe,满足高压电机用户提出的≥1300Gs/Oe要求,磁导率性能提升率在10%以上,产品经客户批量化使用验证,各项性能指标均满足高压电机设计要求。

    一种薄板坯生产的无取向硅钢及其制造方法

    公开(公告)号:CN110735088A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201911154342.8

    申请日:2019-11-22

    摘要: 本发明公开了一种薄板坯生产的无取向硅钢及其制造方法,属于无取向硅钢生产技术领域。本发明的无取向硅钢的化学组分的重量百分比为:C≤0.005%、Si≤1.50%、0.40%≤Mn≤0.70%、0.050%≤Als≤0.55%、0.0010%≤S≤0.0030%、0.0010%≤N≤0.0030%、Ti≤0.0015%,其余为Fe及不可避免的杂质。本发明采用薄板坯生产流程对上述组分的原料钢进行冶炼、连铸、加热、热连轧、卷取、酸洗、冷轧、成品退火、拉矫处理、涂覆绝缘层和消除应力退火等工艺处理,从而能够在不添加贵金属的条件下,获得一种Si含量在1.5%以下、Al含量在0.05~0.5%之间的低铁损、高磁极化强度的无取向硅钢,且其经消除应力退火后铁损下降比例较高,进而能够进一步提高现有无取向硅钢的电磁性能。

    一种高性能无取向硅钢及其制造方法

    公开(公告)号:CN117660835A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311553542.7

    申请日:2023-11-21

    摘要: 本发明公开了一种高性能无取向硅钢及其制造方法,所述的高性能无取向硅钢包含以下化学成分的重量百分比数:C≤0.0025%,Si:2.8‑3.8%,Mn:0.30‑1.0%,0.40%≤Als≤1.05%,P:≤0.05%,Sn:0.05‑0.15%,S≤0.0030%,N≤0.0015%,Ti≤0.0020%,其余为Fe及不可避免的杂质;并通过熔炼,转炉冶炼,保护浇铸,热装的方式进行热轧,形成板坯;再经过830‑920℃常化处理后,在960‑1020℃的氮氢混合气氛(N2:H2=7:3)中进行退火,获得需要的再结晶组织。本发明通过合理的化学成分重量百分比数的配比,加之科学的制造方法,从而获得一种Si含量在2.8‑3.8%,Als含量在0.4‑1.05%之间的一种低铁损高导磁的高性能无取向硅钢,其成品铁损P1.0/50≤1.0W/kg,P1.0/400≤14.0W/kg,磁导率μ1.0/400≥6500Gs/Oe。