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公开(公告)号：CN115701356A
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110880633.6
申请日：2021-08-02
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司 , 国科宁波生命与健康产业研究院
IPC分类号： A61N1/04
摘要： 本发明提供一种电极片的制备方法、电机片及电疗设备，电疗设备包括主机和电极片，电极片的制备包括：步骤S1，制备柔性基材；步骤S2，制备柔性线路，用于连接外部电源，所述柔性线路接收所述外部电源的电脉冲信号，并传输所述电脉冲信号；步骤S3，制备一体化水凝胶；所述一体化水凝胶的形状与所述柔性基材的形状、所述柔性线路形状相适配，所述水凝胶一面用于固定在柔性线路上，另一面用于粘贴在人体皮肤表面，在使用时将电脉冲信号传输至人体皮肤；步骤S4，将制备得到的所述柔性基材、所述柔性线路和所述一体化水凝胶进行组装处理，得到电极片。本发明的电极片的组装工艺简单，而且使用该电极片制造的电疗设备能给用户带来好的体验感。
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公开(公告)号：CN111290077B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201811484632.4
申请日：2018-12-06
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种双层隔离层的SOI衬底，所述SOI衬底包括：衬底硅层；第一隔离层，位于所述衬底硅层之上，所述第一隔离层具有第一折射率；第二隔离层，位于所述第一隔离层之上，所述第二隔离层具有第二折射率；以及顶层硅层，位于所述第二隔离层之上；其中，所述第一折射率小于所述第二折射率。本发明的SOI衬底可用于制作硅光子器件，如在所有硅光子器件中都需要使用波导与光纤相互耦合的模斑转换器，可以使得模斑转换器具有低耦合损耗、大波长带宽、偏振不敏感、耦合容差大、便于与光纤封装等优点，在光通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110577187B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201810581800.5
申请日：2018-06-07
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
发明人： 陆鸣晔
摘要： 本发明提供了一种电热薄膜层结构及制备方法，所述制备方法包括：1）提供一衬底；2）在衬底上形成第一发热结构；3）在衬底上形成第二发热结构，第二发热结构与第一发热结构位于同一平面上，且与第一发热结构具有间距；第二发热结构与第一发热结构具有不同的电阻率。本发明所提供的电热薄膜层结构及制备方法，针对MEMS器件中不同电阻率电热薄膜层沉积的应用需求，使用晶圆级物理气相沉积技术，在晶圆同一层上制备具有不同电阻率的电热结构，有利于产品结构的整合，简化了器件的电热结构设计，减少了生产成本，增加了产品竞争力。
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公开(公告)号：CN115622163A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110808482.3
申请日：2021-07-16
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司 , 国科宁波生命与健康产业研究院
摘要： 本发明提供一种升压方法、终端及计算机可读存储介质，所述升压方法包括：1)获取当前电池电压，并从电池电压‑升压开启时间数据组中得到与当前电池电压对应的当前升压开启时间；2)基于当前升压开启时间对当前电池电压进行DC‑DC升压操作。通过本发明提供的升压方法、终端及计算机可读存储介质，解决了现有固定开启时间的升压方案在电池电压下降时存在输出电压难以升至目标电压的问题，而根据输出反馈设定开启时间的升压方案在电池电压下降时存在不利于电池长时间续航的问题。
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公开(公告)号：CN115598870A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110776036.9
申请日：2021-07-08
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司(CN)
IPC分类号： G02F1/035
摘要： 本申请提供一种电光调制器及其制造方法，该电光调制器包括：多模干涉波导；输入波导；输出波导；第一相移波导；第一光反射结构；第二相移波导；第二光反射结构；平板区；覆盖层；以及电极，其设置于所述覆盖层表面，并贯穿所述覆盖层与所述平板区电接触，其中，所述第一相移波导和所述第二相移波导中的至少一者包括：两个以上的直线延伸部，各所述直线延伸部与所述第一方向平行，并且，在所述基板的横向上，两个以上的所述直线延伸部沿与所述第一方向垂直的第二方向分布；以及连接部，其连接所述第二方向上相邻的两个直线延伸部的端部。本申请能够降低电光调制器的尺寸，并且提高电光调制器的带宽。
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公开(公告)号：CN115430045A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110619347.4
申请日：2021-06-03
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司 , 国科宁波生命与健康产业研究院
IPC分类号： A61N1/36
摘要： 本发明提供一种电疗设备及其控制方法，该电疗设备不需要在主机上放置旋钮、开关、档位等用于选择工作模式的按钮，节省主机表面面积和体积，有利于主机的小型化、精简化设计；能够根据电极片自动匹配工作模式，不需要人为手动选择工作模式，MCU控制单元便可根据安装的电极片自动判断和选择工作模式，从而确保工作模式和电极片总是有一一对应的关系，避免工作模式与电极片不匹配，输出不匹配的电刺激信号给人体造成负面效果；此外还可以同时支持多种工作模式的运行，根据选用的多个电极片，能够同时运行与选用的多个电极片相对应的多种工作模式，进而对人体的多个部位同时进行理疗，从而提高设备效率，提高电疗疗效。
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公开(公告)号：CN112300929B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910698604.0
申请日：2019-07-31
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种微流控实验板及双面细胞培养方法，该微流控实验板包括上层流道板、下层流道板及至少一细胞培养杯，其中，下层流道板连接于上层流道板的背面，细胞培养杯装设于流道板中的细胞培养杯卡槽中，下层流道板中设有正面流道及背面流道，正面流道用以将培养基输送至细胞培养杯内，并将废液输送至废液排出孔，背面流道用以将培养基输送至细胞培养杯卡槽中，并将废液输送至废液排出孔，下层流道背面设有覆盖培养基注入孔、背面流道、细胞培养杯卡槽及废液排出孔的密封膜。本发明的微流控实验板将微流控的供液控制与细胞培养整合并标准化，解决了这一整合中所遇到的所有结构和加工问题，可实现多种细胞的共培养，并整合剪切力刺激功能。
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公开(公告)号：CN115407531A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110586101.1
申请日：2021-05-27
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种硅基电光调制器的光波导掺杂结构，光波导掺杂结构包括：光波导脊及位于光波导脊两侧的第一导电类型平板区及第二导电类型平板区，光波导脊包括与第一导电类型平板区相连的第一导电类型掺杂区及与第二导电类型平板区相连的第二导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区的界面形成PN结，第一导电类型掺杂区为呈多个自第一导电类型平板区朝第二导电类型平板区凸起的掺杂结构，多个掺杂结构呈周期分布。本发明利用新型的光波导掺杂方式，可以提高PN结长度，增大光场与PN结接触面积，使得在一定波导长度下，PN结总长度明显增加，可以有效提高调制器的调制效率，从而缩短调制器尺寸，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN109962106B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201711339158.1
申请日：2017-12-14
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/34
摘要： 本发明提供的MOSFET器件，包括：具有图形化的衬底，所述衬底包括底层硅以及覆盖于所述底层硅表面的埋氧化层，且所述衬底中包括通过刻蚀埋氧化层形成的凹槽；位于所述凹槽上方、且采用二维半导体材料制成的沟道区域；所述二维半导体材料为过渡金属硫族化合物、黑磷、硅烯、锗烯或具有能带的石墨烯。本发明形成了一种无背栅结构的MOSFET器件，在受到高能射线和高能粒子照射时杜绝了衬底中氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的出现，避免了寄生背沟道的产生，使得MOSFET器件同时具有抗单粒子效应的性能和抗总剂量效应的性能。
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公开(公告)号：CN110571129B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201810569486.9
申请日：2018-06-05
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
发明人： 黄志刚
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种导电金属氧化物的加工方法，在刻蚀完的晶片后，先采用加热方式去除晶片光刻胶图形、导电金属氧化物层及金属层表面残留的卤族元素以及卤族元素化合物，可有效避免卤族元素对金属层的腐蚀，然后采用氧气（O2）的等离子体去除光刻胶，且气体中不包含水气（H2O），可有效避免水气的等离子体对导电金属氧化物的腐蚀。采用本发明的加工方法，在完全去除光刻胶图形的同时，可以获得形貌完整的导电金属氧化物层‑金属层的叠层结构。
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