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公开(公告)号：CN118600538A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410863989.2
申请日：2024-06-30
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚，具体涉及碳化硅生长技术领域。上述一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚包括生长坩埚、设置在生长坩埚底部的预热坩埚和设置在预热坩埚内底部的密封罩，生长坩埚和预热坩埚的外侧均独立设置有加热装置，生长坩埚和预热坩埚的内部均设置有粉料，且生长坩埚的内顶部设置有籽晶；上述一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚还包括输送结构一、输送结构二、启闭组件以及扭簧转动结构。本发明解决了当下碳化硅粉料加热呈从外向内的加热趋势，这样不利于粉料均匀气相的运输至籽晶，以及籽晶上不易生长较大的晶体的技术问题。
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公开(公告)号：CN118322087A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410679896.4
申请日：2024-05-29
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶片抛光用光催化辅助设备，包括带有搅拌系统的混合储液罐，所述混合储液罐的内腔设置有小型光催化器，所述小型光催化器包括上端带有出气管的不透光外壳，所述不透光外壳的上端设置有带有泵体的抽液管，所述抽液管的出液端位于所述不透光外壳的内腔，所述抽液管的下端靠近所述混合储液罐底部设置，所述不透光外壳的内腔同轴心设置有透光内胆，且所述透光内胆的底部为开口设置，所述透光内胆的下端与所述不透光外壳的内腔底部之间设置有间隙。在混合储液罐内腔设置有小型光催化器，可延长抛光液中的二氧化钛的光照时间，且分层光照，使得二氧化钛充分且均匀地光照，有利于二氧化钛颗粒的全部激活。
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公开(公告)号：CN117103480A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310951600.5
申请日：2023-07-31
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅晶体线切割装置及切割方法，包括切割平台、线切割装置、承载偏转装置等装置，其中线切割装置包括线驱动轮、线偏转组件、偏转驱动装置一、偏转驱动装置二等装置，承载偏转装置能够控制碳化硅晶体间断转动，转动至预定位置后，通过偏转驱动装置一以及偏转驱动装置二协同控制切割线的切割姿态完成对碳化硅晶体的连续切割，对于大尺寸的碳化硅晶体切割来说，能够从外侧至内侧将碳化硅晶体逐步进行切割，以保证切割线与碳化硅晶体切割位置为点接触，减少接触重叠面积以及减少切割的跨度。该能够解决对于大尺寸碳化硅晶体在切割的过程中切割线单次切割长度过长的问题，提高了切割效率的同时，保证了切割质量。
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公开(公告)号：CN116949578A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310951604.3
申请日：2023-07-31
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种籽晶粘接烧结定位结构及提高晶体质量的粘接方法，依次包括压块、籽晶、籽晶托、石墨纸、籽晶托定位环、籽晶定位环、螺纹孔、石墨螺钉，螺纹。所述籽晶托定位环上中部设有螺纹孔，底部设有螺纹。本发明通过螺纹钉及籽晶托定位环、籽晶定位环对籽晶进行定位，避免籽晶在粘接过程中发生偏移。通过本发明的籽晶粘结结构与方法，不仅实现籽晶的完全对中，而且可应用于各种尺寸的籽晶粘结。
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公开(公告)号：CN116936345A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310951601.X
申请日：2023-07-31
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/306 , B08B3/08 , B08B3/12
摘要： 本发明公开了一种硅表面平坦化和湿式清洗工艺，本发明工艺可以更好地维持硅片表面粗糙度。另外，高温溶液以及碱性溶液对于粗糙度的影响最大，这两种溶液中OH‑的浓度非常高，而氢氧根离子会刻蚀Si表面，引起表面粗糙度的恶化。因而本发明不使用这些高温溶液，在保护硅片表面粗糙度方面具有优良的表现。在本发明中清洗工艺也会引起硅片粗糙度的变化，但是由于表面活性剂易于附着于硅表面，使得H2O2和HF对硅片表面的氧化与刻蚀速度更加均匀，因此表面粗糙度也可以很好的保持。
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公开(公告)号：CN116721907A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310792500.2
申请日：2023-06-30
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于晶圆片背胶清洗的加工方法，包含以下步骤：a、将晶圆片放入带有超声的柠檬酸溶液中浸泡，b、晶圆片放入纯水中溢流，c、利用甩干机甩干晶圆片，d、晶圆片单片预清洗，e、晶圆片单片清洗，本发明的优点在于不需要通过擦拭的方式去除背胶，避免了划痕的产生，大大的节约了因划痕导致CMP返工所产生的费用。晶片保护膜保护了晶片，避免了划痕、颗粒、有机物对表面的伤害及污染，本发明解决了撕下保护膜后留下的背胶清洗问题，有利于晶片防护的推广，有利于晶片有效使用面积的提升，有利于半导体行业的进步。
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公开(公告)号：CN116714126A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310959660.1
申请日：2023-07-31
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种不规则碳化硅晶锭快速磨切装置，涉及到货物运输领域，包括磨切单元：设置有多个，用于对不规则碳化硅晶锭进行磨切处理；驱动单元：用于同时带动多个所述磨切单元进行直线移动；旋转承载单元：用于承载不规则碳化硅晶锭并对碳化硅晶锭进行旋转操作其中，多个磨切单元均安装在所述驱动单元上，所述驱动单元安装在所述旋转承载单元上。本装置采用多个磨切单元对晶锭进行竖向旋转磨切，可快速对晶锭上不规则的部分切除，且金刚线可采用较小直径的（可根据精细打磨精度进行选择），对晶锭进行切割的同时还对其具有精细打磨作用，可一次性得到标准的圆形晶锭（即经过传统打磨工艺后的得到的合格晶锭），本装置操作方便且快捷。
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公开(公告)号：CN116675229A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310654992.9
申请日：2023-06-02
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种大颗粒碳化硅粉料制备装置与方法，涉及到半导体材料技术领域，包括带有降温结构的高温加热炉、坩埚以及坩埚盖，还包括密封罩，所述密封罩靠近开口端的内腔壁上突出设有密封环，且所述密封环位于所述坩埚盖与所述坩埚连接缝隙处下方，所述密封罩上安装有与其内腔相通的连接管，且所述连接管通过连接件与贯穿所述高温加热炉的排气管进行密封连接，所述排气管位于所述高温加热炉外壁的部位上安装有排气单向阀，所述密封罩的内腔顶部固定有支撑件。本方法基于传统的固相合成方法，并借鉴气相合成原理，通过改变烧料坩埚的长径比，显著提高合成的碳化硅粉料颗粒度，可实现大批量合成大颗粒碳化硅粉料，具有显著经济效益。
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公开(公告)号：CN116352899A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211525803.X
申请日：2022-11-30
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于碳化硅晶体切割头尾片的处理方法。由此可有效利用碳化硅晶体切割后部分头尾片，经过本发明的处理后可以使之加工成标准的衬底片，无需额外增加加工设备，使用成本较低。本发明的加工方法操作简便、控制精度高，切割头尾片利用率高，适合广泛用于批量生产或实验性碳化硅切割头尾晶片的有效处理，具有很大的产业应用性。
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公开(公告)号：CN116119670A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310191453.6
申请日：2023-03-02
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明公开了一种用于制备超低N、B含量高纯碳化硅粉料的方法，采用高纯碳毡代替固相合成中的碳粉，提供反应所需的碳源，高纯硅粉提供反应需要的硅源，多孔的碳毡与硅粉相间铺设，高温下高纯硅粉挥发、渗透进高纯碳毡内部，与高纯碳毡反应生成碳化硅；同时，在反应过程中通入氢气及含有卤素的气体，置换掉碳毡及硅粉中少量的N、B元素，生成超低N、B含量碳化硅原料。且这种方法生成的原料粒度均匀，疏松，不需粉碎、研磨、筛选即可直接使用，避免了二次处理带来的污染。
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