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公开(公告)号：CN107249886B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201680012181.7
申请日：2016-02-15
申请人： 东丽株式会社
摘要： 本发明提供一种层叠膜，其特征在于，在聚酯膜的至少一侧设置有树脂层，该树脂层表面在波长550nm下的反射率为6.0％以上，该树脂层表面的表面比电阻值为1012Ω/□以下，该树脂层表面在煮沸试验前后的表面能变化量Δγ(Δγ＝|煮沸处理试验后树脂层的表面能－煮沸处理试验前树脂层的表面能|)为5mN/m以下。层叠膜的透明性、叠层高折射率硬涂层时的干涉斑抑制性、与高折射率硬涂层的粘接性优异，可以不依赖于湿度而显现高水平的防静电性。
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公开(公告)号：CN109790600A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780058756.3
申请日：2017-09-26
申请人： 山阳特殊制钢株式会社
发明人： 井本未由纪
IPC分类号： C22C19/03 , C22C27/02 , C22C30/00 , C22C30/02 , C22C30/04 , C23C14/34 , G11B5/738 , G11B5/851
CPC分类号： G11B5/73 , C22C19/03 , C22C27/02 , C22C30/00 , C22C30/02 , C22C30/04 , C23C14/34 , G11B5/851
摘要： 本发明的课题在于，提供通过在NiTa系合金中添加规定量的Fe和/或Co，从而使Ta化合物相微细地分散、没有组成不均、且机械强度提高的NiTa系合金及包含该NiTa系合金而成的溅射靶材及磁记录介质，为了解决上述课题，提供一种Ni-Ta系合金，其含有15～50at％的Ta、合计为0～10at％的选自Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C、Ru、Cr中的1种或2种以上的元素，余量由Ni；Fe和Co中的1种或2种；和不可避免的杂质构成，Ni量、Fe量、Co量相对于Ni、Fe和Co的总量的比率分别为20～98.5％、0～50％、0～60％，该NiTa系合金具有FCC相和Ta化合物相，该Ta化合物相中能够画出的最大内接圆的直径为10μm以下。
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公开(公告)号：CN108573715A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810153505.X
申请日：2018-02-22
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： G11B5/656 , G11B5/012 , G11B5/1875 , G11B5/3133 , G11B5/3912 , G11B5/714 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/746 , G11B2005/0021 , G11B5/65 , G11B5/64 , G11B5/66
摘要： 本发明涉及辅助磁记录介质和磁存储装置，其目的在于提供一种磁记录介质，其可降低因向磁记录介质写入信息时所致的噪音，同时可提高信号的水平，从而使读入时的信噪比优异。本发明的一个实施方式的辅助磁记录介质的特征在于，其依次具有基板、底层、以及以具有L10型结晶结构的合金作为主成分的磁性层，辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层，钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
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公开(公告)号：CN108022603A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711066036.X
申请日：2017-11-02
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： G11B5/486 , G11B5/484 , H05K1/0242 , H05K1/028 , H05K2201/09236 , G11B5/7315 , G11B5/4806 , G11B5/73 , G11B5/82 , G11B5/8404
摘要： 本发明提供一种配线电路基板，该配线电路基板包括：绝缘层；以及多条配线，该多条配线配置于绝缘层的厚度方向的一侧的表面且相互隔开间隔。多条配线具有并行的1对配线，多条配线相连续地具有第1部分和第2部分，位于该第2部分的1对配线中的一条配线的线宽和1对配线间的间隔的总和小于位于第1部分的1对配线中的一条配线的线宽和1对配线间的间隔的总和，第1部分的厚度T1比第2部分的厚度T2厚。
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公开(公告)号：CN104103290B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410132213.X
申请日：2014-04-02
申请人： 昭和电工株式会社
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/73 , G11B5/7325
摘要： 一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
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公开(公告)号：CN106098085A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610412698.7
申请日：2013-09-30
申请人： HOYA株式会社
CPC分类号： G11B5/7315 , G11B5/73 , G11B5/82
摘要： 本发明提供磁盘用玻璃基板、磁盘以及圆环状的玻璃坯板。本发明的磁盘用玻璃基板是在中心形成有圆孔且具有一对主表面和外周端面及内周端面的环型的磁盘用玻璃基板，所述外周端面及所述内周端面分别由侧壁面和在主表面与侧壁面之间形成的倒角面构成，该磁盘用玻璃基板的特征在于，在外周端面上，以所述玻璃基板的中心为基准沿着周向每隔30度设置测量点，求出所述侧壁面与所述倒角面之间的部分的形状在所述测量点处的曲率半径，此时，相邻的测量点之间的所述曲率半径之差在0.01mm以下。
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公开(公告)号：CN104603875B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380044545.6
申请日：2013-09-30
申请人： HOYA株式会社
CPC分类号： G11B5/7315 , G11B5/73 , G11B5/82
摘要： 本发明的磁盘用玻璃基板是在中心形成有圆孔且具有一对主表面和外周端面及内周端面的环型的磁盘用玻璃基板，所述外周端面及所述内周端面分别由侧壁面和在主表面与侧壁面之间形成的倒角面构成，该磁盘用玻璃基板的特征在于，在外周端面上，以所述玻璃基板的中心为基准沿着周向每隔30度设置测量点，求出所述侧壁面与所述倒角面之间的部分的形状在所述测量点处的曲率半径，此时，相邻的测量点之间的所述曲率半径之差在0.01mm以下。
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公开(公告)号：CN104103290A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410132213.X
申请日：2014-04-02
申请人： 昭和电工株式会社
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/73 , G11B5/7325
摘要： 一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
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公开(公告)号：CN103098134A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201280002810.X
申请日：2012-05-01
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/85 , G11B5/851
摘要： 本发明提供一种进一步低噪声化并提高了SN比等性能，能够实现高密度磁记录的垂直磁记录介质。在垂直磁记录介质中，在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层，上述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成，并且上述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。
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