磁性扁平粉末和含有其的磁性片

    公开(公告)号:CN110235212B

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201880009262.0

    申请日:2018-02-02

    摘要: 本发明的目的是提供具有高的实部导磁率(μ’)和高的饱和磁通密度、且兼具高FR的磁性扁平粉末和含有其的磁性片,为了达成该目的而提供一种磁性扁平粉末,其为包含多个磁性扁平粒子而成的磁性扁平粉末,上述多个磁性扁平粒子分别以质量%计包含C:0.1%以上且3.0%以下、Cr:1.0%以上且小于10%、Si:0%以上且1.5%以下、Mn:0%以上且1.5%以下、Ni:0%以上且1.5%以下、Co:0%以上且10%以下,余量由Fe和不可避免的杂质构成,上述磁性扁平粉末的饱和磁通密度超过1.2T,上述磁性扁平粉末的平均粒径D50为10μm以上且65μm以下。

    Ni-Cu系磁记录介质的籽晶层用合金和溅射靶材及磁记录介质

    公开(公告)号:CN107251139B

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201680005033.2

    申请日:2016-01-07

    IPC分类号: G11B5/738 G11B5/84 G11B5/851

    摘要: 本发明的课题在于,提供一种作为垂直磁记录介质中的籽晶层使用的Ni-Cu系磁记录介质的籽晶层用合金和溅射靶材,为了解决这一课题,提供一种磁记录介质的籽晶层用Ni-Cu-M合金以及使用了该合金的溅射靶材和磁记录介质,在该磁记录介质的籽晶层用Ni-Cu-M合金中,其特征在于,含有Cu为1~50at%,含有2~20at%的从W、Mo、Ta、Cr、V、Nb中选择的一种或两种以上的M1元素,0~10at%的从Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、P、C、Ru中选择的一种或两种以上的M3元素作为M元素,余量由Ni和不可避免的杂质构成。

    蓄电器件的负极材料
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106104863B

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201580012017.1

    申请日:2015-02-10

    摘要: 根据本发明,提供一种可得到容量大、导电性和耐久性优异的负极的材料。负极12具备集电体18、和固定于该集电体18的表面的多个粒子22。该粒子22包含Si系合金。该合金具有(1)Si为主成分,其微晶尺寸为30nm以下的Si相;以及(2)包含Si和Al,还包含Cr或Ti,其微晶尺寸为40nm以下的化合物相。优选化合物相包含Si、Cr、Ti和Al。优选Si相包含固溶于Si的Al。