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公开(公告)号：CN113420523A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110532314.6
申请日：2017-06-21
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 理查德·怀斯 , 哈梅特·辛格 , 亚历克斯·帕特森 , 安德鲁·D·贝利三世 , 瓦希德·瓦赫迪 , 理查德·A·戈奇奥
IPC分类号： G06F30/392 , G03F1/36 , G03F1/80 , G03F1/70 , G06F115/06
摘要： 本发明涉及经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正。公开了为待在蚀刻操作中使用的光致抗蚀剂产生邻近校正设计布局的方法。所述方法可以包括识别初始设计布局中的特征，以及估计在蚀刻工艺期间在所述特征内的特征内等离子体通量(IFPF)的一个或多个数量特性。所述方法还可以包括通过将所述IFPF的所述一个或多个估计的数量特性与查找表(LUT，和/或通过用所述LUT训练的多变量模型的应用，例如通过机器学习方法(MLM)构建的)中的那些进行比较来估计所述特征的边缘放置误差(EPE)的数量特性，所述LUT将所述EPE的数量特性的值与所述IFPF的所述一个或多个数量特性的值相关联。此后，根据EPE的所所确定的数量特性修正所述初始设计布局。
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公开(公告)号：CN113406856A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110268167.6
申请日：2021-03-12
申请人： 爱发科成膜株式会社
发明人： 诸沢成浩
摘要： 本发明涉及一种掩模坯、相移掩模、掩模坯的制法及相移掩模的制法。本发明的掩模坯为具有成为相移掩模的层的掩模坯。掩模坯具有：相移层，层叠于透明基板；蚀刻停止层，设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置上；和遮光层，设置在比所述蚀刻停止层更远离所述透明基板的位置上。所述相移层含有铬。所述遮光层含有铬和氧。所述蚀刻停止层含有硅化钼和氮，并且在膜厚方向上靠近所述遮光层的位置上具有氮浓度达到峰值的峰值区域。
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公开(公告)号：CN111474822B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010422741.4
申请日：2020-05-19
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 本发明提供了一种基于三维光刻胶掩膜快速修正光学基底均匀性的方法。包括：三维光刻胶掩膜制作和均匀刻蚀减薄。工作流程为第一步首先进行光学基底初始均匀性测试，然后在光学基底表面完成光刻胶涂层厚度分布测试，接着进行光刻去除量分布设计、灰度紫外曝光、显影与后烘形成三维光刻胶掩膜。第二步均匀刻蚀减薄首先是刻蚀去除量分布设计和等离子体工艺参数优化，经过刻蚀减薄中间状态获得均匀光学基底。该方法克服了传统技术不兼容柔性薄膜光学材料、成本高、效率低的问题，实现兼容柔性薄膜光学材料的高效率光学基底加工。
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公开(公告)号：CN107966876B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201711302976.4
申请日：2017-12-07
申请人： 通富微电子股份有限公司
发明人： 吴谦国
IPC分类号： G03F1/80
摘要： 本发明公开了一种光刻板、芯片模组及光刻板的制备方法，该光刻板的制备方法包括：提供一基板，基板包括遮光区域和全透光区域，遮光区域与全透光区域相邻设置；在位于预设区域内的全透光区域上设置滤波膜，以将位于预设区域内的全透光区域设置为部分透光区域；其中，部分透光区域用于过滤至少一个波段的紫外线。通过上述方式，本发明能够有效解决光刻胶曝光不充分或过分曝光的问题，并提高芯片的性能及成品率。
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公开(公告)号：CN113219782A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110480246.3
申请日：2016-09-26
申请人： HOYA株式会社
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/36 , G03F1/62 , G03F1/68 , G03F1/76 , G03F1/80 , G03F7/00 , G03F7/09 , G03F7/20
摘要： 本发明的课题在于提供兼具更微细、更高的CD精度和透射率精度的光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法。本发明的解决手段为一种光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板上具备包含透光部、第1透射控制部和第2透射控制部的转印用图案。该制造方法该制造方法包括：准备在透明基板上形成有具有规定的曝光光透射率的第1薄膜的光掩模坯的工序；对第1薄膜进行蚀刻，由此形成第1薄膜图案的第1图案化工序；在形成有第1薄膜图案的透明基板上形成第2薄膜，对第2薄膜进行蚀刻，由此形成第2薄膜图案的第2图案化工序。在上述第2图案化工序中，仅对上述第2薄膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113009777A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110239537.3
申请日：2017-05-12
申请人： HOYA株式会社
发明人： 山口昇
摘要： 本发明提供光掩模及显示装置的制造方法。在制造具有包括遮光部、半透光部及透光部的转印用图案的光掩模时，准备在透明基板(1)上层叠了半透光膜(2)、中间膜(3)及遮光膜(4)而成的光掩模坯体，通过蚀刻将成为遮光部的区域以外的区域的遮光膜(4)去除，然后形成抗蚀剂膜(6)。接着，对抗蚀剂膜(6)进行描画及显影而形成了抗蚀剂图案(6a)，然后通过蚀刻将半透光膜(2)去除。半透光膜(2)和遮光膜(4)都由Cr类材料形成，在将与透光部及半透光部分别相邻的遮光部设为中间遮光部时，在抗蚀剂图案形成工序中形成具有开口的抗蚀剂图案(6a)，该开口的尺寸相对于与中间遮光部相邻的透光部的设计尺寸A(μm)，在与中间遮光部相邻的边缘侧每一侧增加了裕量α(μm)。
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公开(公告)号：CN113009776A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911330390.8
申请日：2019-12-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
摘要： 本发明提供一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法，该掩膜版包括：基板、以及在基板上形成的透光区域和非透光区域；非透光区域中，在基板上顺次设置有第一氧化膜层、遮光层和第二氧化膜层；第一氧化膜层用于对入射光经由基板反射后的反射光进行干涉相消，第二氧化膜层用于对待曝光板卡的反射光进行干涉相消。可见，本方案中，通过两层氧化膜层对反射光进行干涉相消，减少了反射的杂质光，能够提高曝光精度。此外，两层氧化膜层吸收部分反射光，进一步减少了反射的杂质光，能够进一步提高曝光精度。
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公开(公告)号：CN109387893B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201710685131.1
申请日：2017-08-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供一种微反射镜的制造方法，所述制造方法包括步骤：提供一(100)晶面的硅衬底；在所述硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层；对所述硅衬底顶面的介质层进行刻蚀，以在所述硅衬底的顶面形成第一掩模图案，所述第一掩模图案包括多个第一掩模，每个所述第一掩模与所述硅衬底的[110]晶向的夹角为45°；对形成有所述第一掩膜图案的硅衬底进行湿法腐蚀，以在所述硅衬底的表面形成多个45°的V型槽或梯形槽；对形成有所述多个45°的V型槽或梯形槽的硅衬底进行划片切割，以获得多个45°的微反射镜。本发明提供的微反射镜的制造方法，能够实现微反射镜的批量生产，且获得的微反射镜能够实现光路90°反射，提高了反射效率、简化了工艺以及降低了成本。
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公开(公告)号：CN109387892B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201710684330.0
申请日：2017-08-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供一种微反射镜的制造方法，制造方法包括步骤：提供一(100)晶面的硅衬底；在硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层；对硅衬底顶面的介质层进行刻蚀，以在硅衬底的顶面形成第一掩模图案，第一掩模图案包括多个第一掩模，每个第一掩模与硅衬底的[110]晶向的夹角为45°；对形成有第一掩膜图案的硅衬底进行湿法腐蚀，以在硅衬底的表面形成多个45°的V型槽或梯形槽；利用等离子体刻蚀技术对形成有多个45°的V型槽或梯形槽的硅衬底进行干法刻蚀，以获得微反射镜样材；对微反射镜样材进行划片切割，以获得多个45°的微反射镜。本发明提供的微反射镜的制造方法，能够提高了反射效率、简化工艺以及降低成本。
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公开(公告)号：CN112740105A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061305.4
申请日：2019-09-10
申请人： HOYA株式会社
摘要： 本发明提供一种具备蚀刻停止膜的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于在将图案形成用薄膜进行图案化时使用的利用氟类气体的干法蚀刻的耐性高，进而对于曝光光的透射率高。所述掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和图案形成用的薄膜的结构，薄膜由含有硅的材料形成，蚀刻停止膜由含有铪、铝及氧的材料形成，在蚀刻停止膜中，铪的含量相对于铪及铝的合计含量的比率以原子％计为0.86以下。
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