测试掩模
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102109758B

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN201110057102.3

    申请日:2008-05-29

    Abstract: 测试掩模,其用于光掩模的检查,该光掩模为了使在要被蚀刻加工的被加工层上的抗蚀膜成为作为所述蚀刻加工的掩模的抗蚀图形,被用来对所述抗蚀膜进行规定图形的曝光,而且,该测试掩模形成有测试图形,测试图形具有:使曝光光束透射的透射部、遮挡曝光光束的遮光部以及使曝光光束的一部分减低并透射的灰色调部,其中,所述测试图形包含:排列有基于一定的规律其图形形状逐次变化的多个单位图形的部分,所述多个单位图形分别具有所述灰色调部,所述各单位图形的所述灰色调部的面积,根据所述一定的规律而互不相同。从而在光学检查中可很好地进行光学条件的设定。

    光掩模的制造方法、图案转印方法及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN102692813A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210077898.3

    申请日:2012-03-22

    Inventor: 吉田光一郎

    Abstract: 本发明提供一种光掩模的制造方法、图案转印方法以及显示装置的制造方法,即使在被加工体上形成细微的间距宽度的线与间隙图案的情况下,也基本不需要追加投资地进行图案形成。设定基于蚀刻被加工体时的蚀刻条件的侧蚀刻宽度α。根据膜图案的线宽WL、间隙宽度WS各方和侧蚀刻宽度α,设定抗蚀剂图案的线宽RL和间隙宽度RS。根据具有所确定的线宽RL和间隙宽度RS的抗蚀剂图案,确定曝光时的曝光条件以及转印用图案的线宽ML和间隙宽度MS。另外,转印用图案的线宽ML与所确定的线宽RL不同,转印用图案的间隙宽度MS与所确定的间隙宽度RS不同。

    光掩模检查及制造方法、电子部件制造方法

    公开(公告)号:CN101315518B

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN200810099966.X

    申请日:2008-05-29

    Abstract: 本发明涉及光掩模的检查方法、光掩模的制造方法、电子部件的制造方法、测试掩模及测试掩模组。其中,使用测试掩模进行曝光、显影而得到测试用抗蚀图形,对其进行测量得到实际曝光测试图形数据。另外,在规定的光学条件下对测试掩模进行光照射通过摄像装置取得光透射图形,再基于得到的光透射图形得到光透射测试图形数据。对实际曝光测试图形数据和光透射测试图形数据进行比较,基于这一比较结果设定光学条件,再基于对作为检查对象的光掩模进行光照射而得到的光透射图形进行光掩模的检查。

    光掩模和光掩模的制造方法

    公开(公告)号:CN101373323A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200810130876.2

    申请日:2008-08-21

    Abstract: 本发明提供一种光掩模,具有多个遮光部、多个透光部和多个半透光部(灰色调部)光掩模(灰色调掩模),即使在形成多个半透光部的半透光膜中产生膜厚倾斜等膜厚的不均一之际,多个半透光部的曝光光的透过量也不随着光掩模上的位置而受所述不均一影响,能良好控制在使用该灰色调掩模形成的抗蚀图中的抗蚀剂膜厚。在透明衬底1上形成遮光膜(6)和半透光膜(5),对遮光膜(6)和半透光膜(5)分别进行图案化,形成多个遮光部(2)、多个透光部(3)和曝光光一部分透过的多个半透光部(4)。半透光膜(5)随着膜面的位置而曝光光的透过率不同,按照在曝光条件下多个半透光部(4)的有效透过率变为大致均一的方式进行所述图案化。

    光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN106814534A

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201610851465.7

    申请日:2016-09-26

    CPC classification number: G03F1/68 G03F1/62 G03F1/76 G03F1/80

    Abstract: 本发明的课题在于提供兼具更微细、更高的CD精度和透射率精度的光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法。本发明的解决手段为一种光掩模的制造方法,该光掩模在透明基板上具备包含透光部、第1透射控制部和第2透射控制部的转印用图案。该制造方法该制造方法包括:准备在透明基板上形成有具有规定的曝光光透射率的第1薄膜的光掩模坯的工序;对第1薄膜进行蚀刻,由此形成第1薄膜图案的第1图案化工序;在形成有第1薄膜图案的透明基板上形成第2薄膜,对第2薄膜进行蚀刻,由此形成第2薄膜图案的第2图案化工序。在上述第2图案化工序中,仅对上述第2薄膜进行蚀刻。

    光掩模和使用了该光掩模的基板的制造方法

    公开(公告)号:CN104656369A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201410658927.4

    申请日:2014-11-18

    CPC classification number: G03F1/32

    Abstract: 本发明提供光掩模和使用了该光掩模的基板的制造方法,该光掩模能够在抑制设备投资的增加和生产效率的降低的同时,利用照相平版印刷形成具有线宽2μm~10μm的精细部分的线图案。一种光掩模,其用于形成具有线宽2μm~10μm的精细部分的线图案和围绕该线图案的周边区域,其中,该光掩模具有遮光部、对应于上述线图案的半透光部、以及围绕上述遮光部和上述半透光部围绕并对应于上述周边区域的透光部,上述半透光部的宽度比上述线图案的上述精细部分的宽度宽。

    光掩模的制造方法、图案转印方法及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN102692813B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201210077898.3

    申请日:2012-03-22

    Inventor: 吉田光一郎

    Abstract: 本发明提供一种光掩模的制造方法、图案转印方法以及显示装置的制造方法,即使在被加工体上形成细微的间距宽度的线与间隙图案的情况下,也基本不需要追加投资地进行图案形成。设定基于蚀刻被加工体时的蚀刻条件的侧蚀刻宽度α。根据膜图案的线宽WL、间隙宽度WS各方和侧蚀刻宽度α,设定抗蚀剂图案的线宽RL和间隙宽度RS。根据具有所确定的线宽RL和间隙宽度RS的抗蚀剂图案,确定曝光时的曝光条件以及转印用图案的线宽ML和间隙宽度MS。另外,转印用图案的线宽ML与所确定的线宽RL不同,转印用图案的间隙宽度MS与所确定的间隙宽度RS不同。

    光掩模的制造方法、图案复制方法、光掩模以及数据库

    公开(公告)号:CN101382729B

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN200810134032.5

    申请日:2008-07-22

    Abstract: 本发明提供一种光掩模的制造方法,具有:利用再现仿真了曝光条件的曝光条件的曝光单元,在形成有规定图案的测试掩模上进行测试曝光,通过摄像单元取得该测试掩模的透过光图案,并根据所取得的透过光图案得到透过光图案数据的工序;和根据透过光图案数据在曝光条件下取得有效透过率的工序;根据该有效透过率对该区域的形状、该区域上所形成的膜的材料或膜厚进行确定。

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