公开(公告)号：CN112526819B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202011262730.0

申请日：2017-02-08

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 穆罕默德·德里亚·特泰克 ,  萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  亚历克斯·帕特森 ,  理查德·A·戈奇奥

IPC分类号： G03F1/70 ,  G03F1/80 ,  G03F1/84 ,  G06F30/398

摘要： 本发明涉及经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置。公开了优化计算机模型的方法，其通过使用多个模型参数(B)将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数(A)相关联。在一些实施方式中，所述方法可以包括：修改B的一个或多个值，以便相对于A的一组或者多组成组的值减少指示在从模型生成的计算反射光谱和对应的实验反射光谱之间的差的尺度。在一些实施方式中，计算所述尺度可以包括：将所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱投射到经降维的子空间上，并且计算投射到所述子空间上的所述反射光谱之间的差。还公开了实现这样的优化计算机模型的蚀刻系统。

公开(公告)号：CN114450780A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080068163.7

申请日：2020-07-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 侯赛因·萨迪吉 ,  斯科特·鲍德温 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  G06V10/56 ,  G05B19/05

摘要： 一种衬底处理系统包括边缘计算设备，其包含有处理器，该处理器执行储存于存储器中的指令，以处理由衬底与衬底处理系统的部件的至少一者的相机所捕获的图像或视频。该部件与在衬底处理系统的处理室之间或衬底处理系统与第二衬底处理系统之间运送衬底的机械手相关联。相机沿着衬底的行进路径设置。指令将处理器配置成通过网络将第一数据从图像传送至远程服务器，并通过网路从远程服务器接收第二数据，以响应于传送第一数据至远程服务器。指令将处理器配置成根据第二数据以自动化或自主方式操作衬底处理系统。

公开(公告)号：CN107526864B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201710475240.0

申请日：2017-06-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 ,  理查德·怀斯 ,  哈梅特·辛格 ,  亚历克斯·帕特森 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  瓦希德·瓦赫迪 ,  理查德·A·戈奇奥

IPC分类号： G06F30/392 ,  G06F115/06

摘要： 本发明涉及经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正。公开了为待在蚀刻操作中使用的光致抗蚀剂产生邻近校正设计布局的方法。所述方法可以包括识别初始设计布局中的特征，以及估计在蚀刻工艺期间在所述特征内的特征内等离子体通量(IFPF)的一个或多个数量特性。所述方法还可以包括通过将所述IFPF的所述一个或多个估计的数量特性与查找表(LUT，和/或通过用所述LUT训练的多变量模型的应用，例如通过机器学习方法(MLM)构建的)中的那些进行比较来估计所述特征的边缘放置误差(EPE)的数量特性，所述LUT将所述EPE的数量特性的值与所述IFPF的所述一个或多个数量特性的值相关联。此后，根据EPE的所确定的数量特性修正所述初始设计布局。

公开(公告)号：CN110832400A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880044397.0

申请日：2018-04-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 穆罕默德·德里亚·特泰克 ,  萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  理查德·怀斯

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/72

摘要： 本发明公开了为待在蚀刻操作中使用的光致抗蚀剂产生邻近校正设计布局的方法。所述方法可以包括识别初始设计布局中的特征，以及估计在蚀刻工艺期间在所述特征内的特征内等离子体通量(IFPF)的一个或多个数量特性。所述方法还可以包括通过将所述IFPF的所述一个或多个估计的数量特性与查找表(LUT，和/或通过用所述LUT训练的多变量模型的应用，例如通过机器学习方法(MLM)构建的)中的那些进行比较来估计所述特征的边缘放置误差(EPE)的数量特性，所述LUT将所述EPE的数量特性的值与所述IFPF的所述一个或多个数量特性的值相关联。此后，根据EPE的所所确定的数量特性修正所述初始设计布局。

公开(公告)号：CN105679688B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201510683129.1

申请日：2015-10-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 亚辛·卡布兹 ,  豪尔赫·卢克 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  穆罕默德·德里亚·特蒂克 ,  拉姆库马尔·苏布拉马尼安 ,  山口阳子

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01J37/32

摘要： 本发明涉及在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法。一种识别在多模式脉冲处理中选择的处理点的系统和方法，其包含向等离子体处理室中选择的晶片施加多模式脉冲处理，所述多模式脉冲处理包含多个周期，这些周期中的每一个至少包含多个不同阶段中的一个。在对选择的晶片的多个周期期间，对于选择的至少一个阶段收集至少一个处理输出变量。收集的至少一个处理输出变量的包络和/或模板能够被用于识别选择的处理点。对于先前阶段的收集的处理输出变量的第一轨道能够与选择的阶段的处理输出变量的第二轨道比较。能够计算和使用第二轨道的多变量分析统计以识别选择的处理点。

公开(公告)号：CN108281346A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711390799.X

申请日：2017-12-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 冯野 ,  普拉尚斯·库马尔 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  G06F9/30

CPC分类号： H01L22/26 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/67259 ,  H01L22/00 ,  H01L22/12 ,  H01L22/24 ,  H01L21/02 ,  G06F9/30003 ,  H01L21/027

摘要： 本发明涉及从光谱时间序列进行特征提取以控制工艺结束点的方法。方法包括访问从在训练操作期间收集的用于蚀刻工艺的光谱时间序列产生的虚拟毯。在制造晶片上运行制造蚀刻工艺，使得执行制造蚀刻工艺时，为制造蚀刻工艺产生由光谱时间序列定义的毯的部分。将制造蚀刻工艺的毯的部分与虚拟毯比较。当比较指示已达到制造晶片的期望指标时，处理制造蚀刻工艺的结束指示。一示例中，毯的部分包括当前捕获的光谱帧和至少一先前捕获的光谱帧。制造蚀刻工艺的毯的部分拟合至虚拟毯以识别在相关中使用的虚拟帧号与相关联的浮动参数来预测该指标的值。在训练期间产生的每个毯和虚拟毯由多项式定义。在训练中产生的毯的系数是虚拟毯的多项式的系数的子集。

公开(公告)号：CN107403736A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710121052.8

申请日：2017-03-02

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 安德鲁·D·贝利三世 ,  穆罕默德·德里亚·特泰克 ,  邓肯·W·米尔斯

IPC分类号： H01L21/60 ,  G06F17/18 ,  G06N3/02

摘要： 本发明涉及终点检测的蚀刻计量灵敏度。监控在蚀刻工艺期间在衬底上产生的一个或多个特征的几何参数值可以涉及：(a)测量由光能与所述衬底上正被蚀刻的特征相互作用而产生的光信号；(b)提供测得的光信号的子集，其中所述子集由使得光信号被确定为与特征的目标几何参数的值相关联的范围来定义；(c)将光信号的子集应用于被配置为根据测得的光信号预测所述目标几何参数值的模型；(d)从模型确定正被蚀刻的所述特征的所述目标几何参数的当前值；(e)将正被蚀刻的所述特征的所述目标几何参数的当前值与所述目标几何参数的蚀刻工艺终点值进行比较；以及(f)重复(a)-(e)，直到(e)中的比较指明正被蚀刻的所述特征的所述目标几何参数的所述当前值已经达到终点值。

公开(公告)号：CN107240541A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710036188.9

申请日：2017-01-17

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 马库斯·穆瑟尔曼 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  乔恩·麦克切斯尼

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明涉及用于执行边缘环表征的系统和方法。衬底处理系统中的衬底支撑件包括：布置成支撑衬底的内部部分，围绕所述内部部分的边缘环，以及控制器。所述控制器执行以下操作中的至少一个：升高边缘环以选择性地使所述边缘环接合所述衬底，和降低所述内部部分以选择性地使所述边缘环接合所述衬底。所述控制器确定所述边缘环何时接合所述衬底，并且基于对所述边缘环何时接合所述衬底的所述确定来计算所述衬底处理系统的至少一个特性。

公开(公告)号：CN103890916B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280043579.9

申请日：2012-08-17

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  拉金德·丁德萨 ,  埃里克·赫德森 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/08 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01J37/32146 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069

摘要： 本发明提供了用于在双室结构的脉冲等离子体室中处理半导体衬底的系统、方法和计算机程序。晶片处理装置具有由板分隔的上室和下室，该板流体连接上室至下室，该晶片处理装置包括连续波（CW）控制器、脉冲控制器，以及系统控制器。CW控制器能操作以设置用于与所述上室中的上电极耦合的第一射频（RF）功率源的电压和频率。脉冲控制器能操作以设置用于由耦合到所述下室中的下电极的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的电压、频率、接通期间的持续时间，以及断开期间的持续时间。此外，系统控制器能操作以设置CW控制器和脉冲控制器的参数来调节在室的操作过程中从上室通过板到下室的物质的流量。物质的流量有助于在OFF期间中在余辉期间负离子蚀刻以及中和在晶片表面上的过量正电荷，并有助于在ON期间再激发下室中的等离子体。

公开(公告)号：CN103053011B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201180037768.0

申请日：2011-06-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 拉金德尔·德辛德萨 ,  阿列克谢·马拉哈托夫 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/6831 ,  H01L22/26

摘要： 一种半导体晶片处理装置包括暴露于第一等离子体产生容积的第一电极、暴露于第二等离子体产生容积的第二电极以及布置在所述第一和第二等离子体产生容积之间的气体分配单元。所述第一电极被限定为将射频（RF）功率传送到第一等离子体产生容积并且将第一等离子体处理气体分配到第一等离子体产生容积。第二电极被限定为将RF功率传送到第二等离子体容积，并且保持暴露于第二等离子体产生容积的衬底。气体分配单元包括被限定为将第一等离子体产生容积与第二等离子体产生容积流体连接的通孔布置。气体分配单元还包括被限定为将第二等离子体处理气体分配到第二等离子体产生容积的气体供给端口布置。