用于形成耦合结构的方法、耦合结构和光芯片

    公开(公告)号:CN118050848A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202211401016.4

    申请日:2022-11-09

    Inventor: 储蔚 杨丰赫

    Abstract: 本申请涉及用于形成耦合结构的方法、耦合结构和光芯片。耦合结构具有第一区域以及邻接第一区域的第二区域。该方法包括:提供衬底和位于衬底上的器件层,器件层在第二区域中包括波导;在第二区域中形成有机材料层,有机材料层覆盖波导;形成硬掩模层,硬掩模层覆盖有机材料层以及位于第一区域的器件层;去除有机材料层和覆盖有机材料层的硬掩模层;对暴露的波导进行化学机械抛光,以将暴露的波导形成为具有逐渐变小的高度;以及去除位于第一区域的器件层上的硬掩模层。

    窄线宽激光器设备
    53.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117013362A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202210470052.X

    申请日:2022-04-28

    Abstract: 本发明涉及一种窄线宽激光器设备。该窄线宽激光器设备包括:分布式反馈激光器;硅基外腔,包括第一波导、第二波导、第三波导、微环谐振器和反射率可调的反射腔镜,其中:第一波导用于接收来自分布式反馈激光器的输入激光并且将输入激光中的至少一部分耦合到微环谐振器中;微环谐振器分别与第一波导和第二波导耦合,用于将至少一部分输入激光耦合到第二波导中;第二波导用于将至少一部分输入激光耦合到反射腔镜中;以及反射率可调的反射腔镜分别与第二波导和第三波导耦合,用于对至少一部分输入激光进行反射,其中一部分反射光经由第三波导传播,另一部分反射光经由第二波导、微环谐振器和第一波导原路返回分布式反馈激光器。

    一种边缘耦合器及电子设备
    54.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120028918A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202311572934.8

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明涉及光子学技术领域,公开一种边缘耦合器及电子设备,边缘耦合器包括衬底,衬底上设有过渡层、过渡层背离衬底的一侧设有第一包层,第一包层背离过渡层的一侧设有核心层,核心层背离第一包层的一侧设有第二包层;沿光线传播方向,核心层依次包括导通的第一倒锥体和第二倒锥体,且第一倒锥体的宽度逐渐变大,第二倒锥体的宽度逐渐减小;沿垂直方向,第二倒锥体的投影与过渡层至少部分重叠;核心层的折射率大于第一包层的折射率和第二包层的折射率,且小于过渡层的折射率。核心层中的光模式与第一包层、第二包层中的光模式均不会产生过大的折射率失配,从而,有利于提高耦合效率。

    制备纳米压印模板和重复利用其石英光刻板的方法

    公开(公告)号:CN119882345A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202311386328.7

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 本发明公开了制备纳米压印模板和重复利用其石英光刻板的方法。一种用于制备纳米压印模板的方法可包括:将纳米压印图案图案化在第一晶圆上;切割第一晶圆,以形成具有多个第一裸片的第一晶圆;利用多个第一裸片将纳米压印图案转移到第二晶圆上;切割第二晶圆,以形成具有多个第二裸片的第二晶圆;以及将具有多个第二裸片的第二晶圆与石英光刻板键合。

    光束调节装置、激光系统和光束调节方法

    公开(公告)号:CN119882252A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202311391689.0

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 本公开涉及一种光束调节装置、激光系统和光束调节方法。其中,光束调节装置包括:球面透镜,球面透镜被配置为对第一光束进行会聚来产生第二光束;柱透镜组,柱透镜组位于球面透镜的出射光路上且柱透镜组的作用方向为第一方向和第二方向中的一个方向,柱透镜组被配置为对第二光束进行调节来产生第三光束;以及空间滤波器,空间滤波器位于柱透镜组的出射光路上,且空间滤波器被配置为对第三光束进行滤波来产生第四光束。

    一种掠入射小角度X射线散射布拉格峰定位方法

    公开(公告)号:CN118294484B

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202311561294.0

    申请日:2023-11-21

    Inventor: 喻虹 方彤 王成龙

    Abstract: 本申请提供一种掠入射小角度X射线散射布拉格峰定位方法,包括:接收以第一角度掠入射至二维周期结构样品的X射线,其中,二维周期结构样品包括多个粒子;确定二维周期结构样品的实空间结构参数;根据实空间结构参数确定二维周期结构样品中的粒子所对应的第一散射矢量分量和第二散射矢量分量,其中,第一散射矢量和第二散射矢量相互正交;根据第一散射矢量分量和所述第二散射矢量分量,确定第三散射矢量分量和第一散射角度信息,其中,第三散射矢量分量与第一散射矢量、第二散射矢量正交,第一散射角度信息指的是布拉格峰对应的散射角度信息。该方案,能够实现针对二维周期分布结构样品的GISAXS的布拉格峰的准确定位。

    波荡器控制方法与设备、波荡器和光学系统

    公开(公告)号:CN119834050A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202311331952.7

    申请日:2023-10-13

    Abstract: 本公开涉及一种波荡器控制方法与设备、波荡器和光学系统。波荡器控制方法包括:由温控部将超导材料部的温度保持在大于或等于第一预设温度,并由第一磁场发生部件产生具有第一预设背景场强的背景磁场;保持背景磁场的背景场强为第一预设背景场强不变,并由温控部将超导材料部的温度从第一预设温度降低至第二预设温度;保持超导材料部处于超导状态,由第一磁场发生部件将背景场强从第一预设背景场强减小至第二预设背景场强,以使超导材料部产生具有预设波荡场强的波荡磁场;以及保持背景场强为第二预设背景场强不变,并由温控部升高超导材料部的温度,以减小波荡磁场的波荡场强,直至波荡器产生具有目标基波波长的光。

    一种杂化光刻胶的气相渗透原位合成方法

    公开(公告)号:CN119828416A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510248177.1

    申请日:2025-03-04

    Abstract: 本发明属于光刻胶材料技术领域,特别是涉及一种杂化光刻胶的气相渗透原位合成方法。所述杂化光刻胶的气相渗透原位合成方法,包括如下步骤:将旋涂了光刻胶的硅基底置于沉积设备中进行预热,然后依次通入金属前驱体、惰性气体、去离子水和惰性气体进行气相渗透循环,使光刻胶内部生成金属纳米颗粒,得到杂化光刻胶。本发明通过在曝光显影后,在带图案化光刻胶的硅基底上进行气相渗透金属氧化物,实现增强光刻胶材料抗刻蚀性能的同时避免掺杂物对曝光过程产生影响的目的。

    SAT问题处理系统及处理方法
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119718001A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202311255481.6

    申请日:2023-09-26

    Inventor: 何自强

    Abstract: 本发明提供一种SAT问题处理系统,利用包含光域矩阵器和阈值判断器的光电混合计算装置来进行处理,其特征在于,包括:问题转化模块,该问题转化模块基于伊辛问题的特点,获得与所述SAT问题的CNF范式相关联的邻接矩阵及外场向量;设定模块,该设定模块根据所述邻接矩阵和所述外场向量,对所述光域矩阵器及所述阈值判断器进行设定;以及算法模块,该算法模块通过所述光域矩阵器及所述阈值判断器来确定所述SAT问题的最优解。

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