具有改善的储存稳定性的多元硫醇的制备方法

    公开(公告)号:CN112004797A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201980028035.7

    申请日:2019-04-25

    Abstract: 根据一个实施例,在以与常规方法相似的方式产生多元硫醇时,通过调节反应条件以便防止硫脲残留在产物内,可以以常规方式产生具有改善的储存稳定性的多元硫醇。特别地,反应中使用的硫脲的当量重量可以调节至预定的范围,从而减少未反应的硫脲的量,并且可以在随后的工艺中再一次除去硫脲,从而在实现高产率的同时有效地除去残留的硫脲。由此产生的多元硫醇不含残留的硫脲,并且因此即使在延长的储存或高温条件下也没有示出由沉淀物引起的变色或混浊。

    具有改进的交联密度的抛光垫及其制备方法

    公开(公告)号:CN111975655A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN202010274916.1

    申请日:2020-04-09

    Abstract: 本发明提供了一种抛光垫,其交联密度被调节以增强CMP工艺的性能,例如抛光速率和垫磨削速率。另外,在根据本实施方案的抛光垫的制备方法中,可以通过控制用于固化的模具的预热温度的简单方法来实现这种交联密度。因此,可以将所述抛光垫应用于包括CMP工艺的制备半导体器件的工艺中,以提供具有优异品质的半导体器件,例如晶圆。

    使缺陷发生率最小化的抛光垫及其制备方法

    公开(公告)号:CN111745534A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010222116.5

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种使缺陷发生率最小化的抛光垫及其制备方法。由于所述抛光垫包含具有壳的细小空心颗粒,所述壳的玻璃化转变温度(Tg)可调节,从而可控制所述壳的硬度和抛光层表面上的微孔的形状。由于所述抛光层中的Si含量可调节,从而可以防止由硬质添加剂引起的半导体衬底的表面损伤。因此,所述抛光垫可以在CMP工艺期间提供高的抛光速率,同时能够使诸如在半导体衬底表面上的划痕等的缺陷的发生率最小化。

    多层反射膜
    55.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111427106A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201910694318.7

    申请日:2019-07-30

    Abstract: 本发明的实例涉及包括第一树脂层及第二树脂层交替层叠的结构且包括近红外线区域中的第一反射峰值及可见光区域中的第二反射峰值的多层反射膜。上述多层反射膜具有两个反射峰值,从而具有可容易地调节薄膜的反射率且阻隔红外线功能的效果。并且,根据角度反射不同颜色,因此视觉效果也优异,从而可有效利用于工业用途、包装用途、显示用途、视窗用途等多种领域。

    多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN108581822B

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201810493229.1

    申请日:2018-05-22

    Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂,所述抛光垫的厚度为1.5‑2.5mm,具有平均直径为10‑60μm的多个孔,抛光垫的比重为0.7‑0.9g/cm3,25℃下的表面硬度为45‑65Shore D,抗拉强度为15‑25N/mm2,延伸率为80‑250%,从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30‑100MPa,其中,所述预定深度为距抛光表面1‑10μm的深度。

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