公开(公告)号：CN104282035B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201410324670.9

申请日：2014-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  朴容河 ,  刘昌孝 ,  李佶桓

IPC: G06T15/00

Abstract: 提供了由图形处理器在图形管线中镶嵌表面的方法以及图形处理设备、图形处理器和图形处理装置。一种镶嵌方法包括向面片中的多个点中的每一个指派镶嵌因子，并且在多个点中的第一点的附近基于指派给第一点的第一镶嵌因子来生成至少一个新点。至少一个第一新点对应于第一点。

公开(公告)号：CN108074984A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711128763.4

申请日：2017-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  李炫姃 ,  金坰喜 ,  金善政 ,  金真范 ,  慎一揆 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。

公开(公告)号：CN104347425A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410378435.X

申请日：2014-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  具本荣 ,  金男奎 ,  宋宇彬 ,  李炳赞 ,  郑秀珍

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可包括：并列形成在衬底上的第一鳍部和第二鳍部；第一抬升式掺杂区，其形成在第一鳍部上，并具有第一掺杂浓度的杂质；第二抬升式掺杂区，其形成在第二鳍部上；以及第一桥，其将第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区彼此连接。本发明还公开了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104103687A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410136127.6

申请日：2014-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  权兑昱 ,  郑秀珍 ,  金永弼 ,  李炳赞 ,  具本荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：鳍，在基板上；栅电极，在基板上交叉鳍；源/漏极，形成在栅电极的两侧的至少一个上，并包括第一膜和第二膜；以及应力膜，布置在基板上的隔离膜与源/漏极之间，并形成在鳍的侧表面上。

公开(公告)号：CN102956503A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210282278.3

申请日：2012-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金相秀 ,  高铤槿 ,  李炳赞 ,  李善佶 ,  赵真英

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7848

Abstract: 公开了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种制造半导体装置的晶体管的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成栅极图案；在栅极图案的侧壁上形成间隔体；对半导体衬底进行湿式蚀刻以在该半导体衬底中形成第一凹陷，其中，第一凹陷与间隔体相邻；以及对第一凹陷进行湿式蚀刻以在半导体衬底中形成第二凹陷。