公开(公告)号：CN108074984A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711128763.4

申请日：2017-11-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金锡勋 ,  李炫姃 ,  金坰喜 ,  金善政 ,  金真范 ,  慎一揆 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  申东石

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

摘要： 提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。

公开(公告)号：CN108074984B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201711128763.4

申请日：2017-11-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金锡勋 ,  李炫姃 ,  金坰喜 ,  金善政 ,  金真范 ,  慎一揆 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  申东石

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

摘要： 提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。