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公开(公告)号：CN106252394A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610754922.0
申请日：2016-08-30
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种具有成分缓变有源层结构的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜晶体管器件技术领域。缓变结构氧化物有源层所采用结构为：ZnSnO/ZnSnO:X% HfO2/ZnSnO:Y% HfO2 其中（X
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公开(公告)号：CN105742498A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610225871.2
申请日：2016-04-13
申请人： 上海大学
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L51/0562
摘要： 本发明公开了一种具有复合有源层的双极型薄膜晶体管器件及其制备方法，依次由基板、栅极、绝缘层、无机半导体有源层、源极、漏极和有机半导体有源层构成底栅结构，源极和漏极形成同层源漏电极薄膜层，无机半导体有源层和有机半导体有源层位于源漏电极薄膜层两侧，从而形成双极型的薄膜晶体管器件的无机?有机复合结构有源层。本发明充分结合无机N型半导体材料丰富、迁移率较高且制备方法相对简单的优势和有机P型半导体材料种类比较多、迁移率较高且稳定性较好的优势，结合底栅顶接触结构的特点，很好地避免了有机薄膜晶体管刻蚀过程造成的损伤，合理地运用在双极型薄膜晶体管器件中，实现了N型和P型输出。
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公开(公告)号：CN101572273B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910050351.2
申请日：2009-04-30
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/283
摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管器件。它包括基板、金属栅极层、第一绝缘层、有源层、金属源电极和漏电极层，在所述的有源层与金属源电极和漏电极层之间有一层第二绝缘层，它代替一般使用的欧姆接触层能起到降低源、漏电极和有源层中间的接触电阻的作用。由此可以降低器件制作过程中使用有毒气体和减少一道蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN117897044A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410058656.2
申请日：2024-01-15
申请人： 上海大学
摘要： 本发明属于晶体管技术领域，具体涉及一种多离子调控的突触晶体管及其制备方法和应用。本发明在固态电解质中掺入多种金属盐，利用多种离子调控，金属盐中的金属离子在正栅电压的作用下迁移到介质层和沟道层的界面，从而诱导出沟道层中的电子；当电压撤去后，离子并不会立刻回到初始位置，而是具有一定的弛豫，从而使得沟道层的电导可以发生短时程或者长时程的改变；其中，质量较小的金属离子如钠离子和锂离子等，弛豫时间较短，有利于短期记忆的模拟，质量较大的金属离子如钙离子、钾离子和锌离子等，弛豫时间较长，有利于模拟长期记忆。本发明的突触晶体管可以更加完善地模拟突触特性，实现双脉冲易化、短时程记忆和长时程记忆等学习记忆行为。
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公开(公告)号：CN111682077B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010609257.2
申请日：2020-06-29
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种突触晶体管及其制备方法，所述突触晶体管从外到里依次包括：带有凹槽的凹字形的栅极层和带有凹槽的凹字形的绝缘层和有源层；所述绝缘层设置在所述栅极层的凹槽内，所述有源层设置在所述绝缘层的凹槽内；所述有源层上设置有源电极和漏电极。本发明采用带有凹槽的凹字形的栅极层和带有凹槽的凹字形的绝缘层，通过栅极对导电沟道成半包围结构，使栅极可以从三个方向对导电沟道进行控制，克服了晶体管栅极只能在一个方向上控制沟道电流，栅极对导电沟道的控制能力不强的技术缺陷，极大地提升了栅极对沟道电流的控制能力，提高突触晶体管的性能，实现了在保证性能的同时缩小特征尺寸。
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公开(公告)号：CN111640801B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010578300.3
申请日：2020-06-23
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种了基于新型量子点复合电解质层的突触器件及制备方法。包括：衬底，衬底上设置有量子点层以及底栅，量子点层上设置有介质缓冲层，所述介质缓冲层上设置有源极、漏极以及有源层，所述介质缓冲层用于阻隔所述有源层和所述量子点层之间的电子流动；所述源极、所述漏极以及所述有源层上设置有离子液层，所述离子液层上设有顶栅；所述漏极接地，所述源极接电压脉冲激励，使得所述量子点层处的正负离子分离与所述有源层和所述底栅处的电子空穴形成双电层增强特性或者抑制记忆特性。本发明能同时提升离子电导率以及突触记忆特性，与现有的氧化物TFT和硅基TFT有着良好的工艺兼容性，能有效地节约复合结构电解质薄膜晶体管的制备成本。
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公开(公告)号：CN111640801A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010578300.3
申请日：2020-06-23
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种了基于新型量子点复合电解质层的突触器件及制备方法。包括：衬底，衬底上设置有量子点层以及底栅，量子点层上设置有介质缓冲层，所述介质缓冲层上设置有源极、漏极以及有源层，所述介质缓冲层用于阻隔所述有源层和所述量子点层之间的电子流动；所述源极、所述漏极以及所述有源层上设置有离子液层，所述离子液层上设有顶栅；所述漏极接地，所述源极接电压脉冲激励，使得所述量子点层处的正负离子分离与所述有源层和所述底栅处的电子空穴形成双电层增强特性或者抑制记忆特性。本发明能同时提升离子电导率以及突触记忆特性，与现有的氧化物TFT和硅基TFT有着良好的工艺兼容性，能有效地节约复合结构电解质薄膜晶体管的制备成本。
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公开(公告)号：CN109457218A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811500640.3
申请日：2018-12-10
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种面蒸发源蒸镀装置。它是由可卷绕的柔性金属箔带作为蒸发料薄膜层的承载件，所述承载件上用波峰涂方法涂有蒸发料薄膜层，构成载有蒸发料膜层的面蒸发源；在此面蒸发源两端有一对加热电极，通过瞬间加热把承载件上蒸发料薄膜层瞬间全部均匀地蒸发到半成品基板上。从而大大提高了蒸发料的利用率。而且最后得到的蒸发薄膜层的材料成分、薄膜厚度、均匀度均由面蒸发源的蒸发料薄膜层来控制。使得此蒸镀装置不再需要蒸发速率和膜厚控制、多蒸发源控制，均匀性控制等复杂的机构，降低了设备成本、缩短了蒸镀节拍，提高了设备的利用率。所提供的波峰涂装置是溶有一定蒸发料浓度的溶液在波峰发生器中产生能产生一高于溶液面的稳定的溶液波峰，此波峰与波峰垂直方向移动的蒸发料薄膜承载件基板的表面接触后在承载件上留下部分的溶液薄层经烘烤干燥后形成一均匀的蒸发料薄膜层。
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公开(公告)号：CN103165660A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110413462.2
申请日：2011-12-13
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/285 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括依次设置的基板、第一栅极、绝缘层、有源层、源极、漏极以及第二栅极；所述源极与漏极之间具有背道沟区域所述第二栅极形成在所述背道沟区域。本发明在背道沟区域增加一层第二栅极，采用浮栅结构，控制背沟道区域的电荷分布，从而调节器件的阈值电压，减小薄膜晶体管器件的阈值电压，实现低功耗的氧化物薄膜氧化物显示器件，改善器件的稳定性，降低器件的制作成本。
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公开(公告)号：CN103160788A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110424150.1
申请日：2011-12-16
申请人： 上海大学
IPC分类号： C23C14/24
摘要： 本发明涉及一种真空蒸发系统，包括真空腔室、蒸发源、电磁感应圈以及托架；托架设置在真空腔室的底部，电磁感应圈设置在托架上方，与托架相对，蒸发源为多个，真空蒸发系统还包括移动支架，多个蒸发源排列放置在移动支架上，移动支架将蒸发源送至托架上方，托架将蒸发源托送至电磁感应圈中通过电磁感应加热进行蒸发，并在蒸发结束后返回初始位置，将蒸发源放回移动支架上的初始位置。移动支架在蒸发源放回到初始位置时，进行移动将下一蒸发源送至托架上方，进行下一次蒸发。本发明通过移动支架的移动来更换蒸发源，实现连续生产，大大简化了系统的结构，降低了能量消耗，大幅度的提高生产效率和可控性，保证了产品质量。
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