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公开(公告)号：CN101042992B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710089464.4
申请日：2007-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的立式等离子体处理装置，其包括一体地附设在处理容器上并由具有绝缘性内面的壳体形成的气密的附属室。附属室横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而具有等离子体发生区域。在处理区域与等离子体发生区域之间配设具有绝缘性表面的分隔板。分隔板具有横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而形成的气体流路。处理气体在通过等离子体发生区域时被激发，通过气体流路而被供给处理区域。
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公开(公告)号：CN1891859B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200610100571.8
申请日：2006-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: C23C16/44 , C23C16/452 , C23C16/513 , C23C16/52 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/0214 , C23C16/345 , C23C16/45546 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3145
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氧化气体的第二处理气体和含有氮化气体的第三处理气体的处理区域内，利用CVD在被处理基板上形成氮氧化硅膜。该成膜方法具有相互交替的第一至第六工序。在第一、第三和第五工序中，分别供给第一、第二和第三处理气体，停止其他两种处理气体的供给。在第二、第四和第六工序中，停止第一、第二和第三处理气体的供给。所述第三和第五工序具有激励期间，所述第二和第三处理气体在由激励机构所激励的状态下被供给至所述处理区域。
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公开(公告)号：CN100550319C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610007752.6
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/67757 , Y10S414/139 , Y10S414/14
Abstract: 本发明提供一种立式分批处理装置，为了去除多个被处理体上的半导体氧化膜，将上述半导体氧化膜变换为比上述半导体氧化膜易分散或升华的中间体膜。该装置包括：从配置于处理区域外侧的第1供给口向上述处理区域供给第1处理气体的第1处理气体供给系统；从配置于上述第1供给口与上述处理区域之间的第2供给口向上述处理区域供给第2处理气体的第2处理气体供给系统。在上述第1供给口与上述第2供给口之间，配置通过激发上述第1处理气体从而生成第1活性种的等离子体生成区域。利用上述第1活性种与上述第2处理气体的反应，生成为了形成上述中间体膜而与上述半导体氧化膜反应的反应物质。
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公开(公告)号：CN100474526C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200580029854.1
申请日：2005-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供一种对被处理体(W)实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，该装置包括：能够抽成真空的处理容器(12)、保持上述被处理体的被处理体保持单元(20)、产生高频电压的高频电源(58)和将经过等离子体化的等离子体化气体供给至上述处理容器内的等离子体气体供给单元(38)。为了在上述处理容器内产生等离子体，通过配线(60)使均处于激发电极状态的一对等离子体电极(56A、56B)与上述高频电源的输出侧连接。并且，在上述配线的中途设置有高频匹配单元(72)，进一步使等离子体电极(56A、56B)均不接地。由此，能够增高等离子体密度，并提高等离子体生成效率。
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公开(公告)号：CN101010786A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029854.1
申请日：2005-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供一种对被处理体(W)实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，该装置包括：能够抽成真空的处理容器(12)、保持上述被处理体的被处理体保持单元(20)、产生高频电压的高频电源(58)和将经过等离子体化的等离子体化气体供给至上述处理容器内的等离子体气体供给单元(38)。为了在上述处理容器内产生等离子体，通过配线(60)使均处于激发电极状态的一对等离子体电极(56A、56B)与上述高频电源的输出侧连接。并且，在上述配线的中途设置有高频匹配单元(72)，进一步使等离子体电极(56A、56B)均不接地。由此，能够增高等离子体密度，并提高等离子体生成效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1822328A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610007752.6
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/67757 , Y10S414/139 , Y10S414/14
Abstract: 本发明提供一种立式分批处理装置，为了去除多个被处理体上的半导体氧化膜，将上述半导体氧化膜变换为比上述半导体氧化膜易分散或升华的中间体膜。该装置包括：从配置于处理区域外侧的第1供给口向上述处理区域供给第1处理气体的第1处理气体供给系统；从配置于上述第1供给口与上述处理区域之间的第2供给口向上述处理区域供给第2处理气体的第2处理气体供给系统。在上述第1供给口与上述第2供给口之间，配置通过激发上述第1处理气体从而生成第1活性种的等离子体生成区域。利用上述第1活性种与上述第2处理气体的反应，生成为了形成上述中间体膜而与上述半导体氧化膜反应的反应物质。
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公开(公告)号：CN1712560A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510079676.5
申请日：2005-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/36 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/31637 , H01L21/3185
Abstract: 本发明公开了一种垂直CVD装置，其包括构成来向处理室中供给处理气体的供给系统和构成来控制该装置的操作的控制部件。该供给系统包括连接到第一反应气体管线以供给第一反应气体的多个第一运输孔，和连接到第二反应气体管线以供给第二反应气体的多个第二运输孔。每组第一运输孔和第二运输孔在与目标基板的边缘相邻的位置上在垂直方向上排列，以便完全在间隔地堆叠的目标基板的垂直长度上分布。控制部件控制供给系统，从而交替地供给第一和第二反应气体，由此在目标基板上形成来源于第一和第二反应气体的薄膜。
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公开(公告)号：CN1643667A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806219.4
申请日：2003-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 成膜方法包括预备阶段(S10)和处理阶段(S20)。在预备阶段(S10)中，根据表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式及表示大气压和膜厚的关系的第二关系式，导出用于与大气压相对应来修正处理时间的处理时间修正式(S11～S14)。在处理阶段(S20)中，根据导出了的处理时间修正式及现在的大气压的测定结果，修正处理时间，根据修正了的处理时间，进行成膜(S21～S23)。
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公开(公告)号：CN2591536Y
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN02245496.9
申请日：2002-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 在安装于热处炉1的排气管12的配管13之间的主阀18的阀箱2上形成2条旁通通道32、33。各条旁通通道32、33通过安装在阀箱21上的辅助阀30、31开闭。其中的一个辅助阀31可以调整流量。主阀18采用了设置在主阀18上的固定板54，并通过螺栓和螺母固定在热处理装置的筐体14上。因此，能够简化排气系统中配管的回绕，并能够提高热处理装置的维护作业性。
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公开(公告)号：CN3484414D
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200430049919.7
申请日：2004-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.主视图与后视图对称，省略后视图。
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