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公开(公告)号：CN103107230B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110358927.9
申请日：2011-11-14
申请人： 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0248 , G01J1/42
摘要： 本发明公开了一种量子阱太赫兹探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。通过施加外加磁场，对多量子阱芯片势垒层中施主能级与势阱层中子带能级间相互作用进行有效调控，导致电子从势阱层中基态子带能级向势垒层中施主能级转移，并利用势垒层中施主能级间的电子跃迁来探测入射THz辐射。本发明在外加磁场增加到临界磁场Bc以后，由于利用了施主能级间的电子跃迁来进行THz探测，本发明的量子阱太赫兹探测器不需要光栅耦合或45度磨角耦合，能在正入射条件下吸收响应THz辐射，克服了传统量子阱结构探测器原理上导致的缺点，大幅度提高了响应度。
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公开(公告)号：CN104359555A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410546472.7
申请日：2014-10-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J3/28
摘要： 本发明公开了一种基于数字微反射镜的便携式高光谱重构器，包括：分光器，所述的分光器将进入系统的光按不同波长分光并输出；通道选择器，所述的通道选择器不同空间通道控制着不同波长汇聚光斑的传输，并可自由选择哪些通道的光斑能够进入后续系统；光汇聚器，所述的光汇聚器将不同通道的光斑汇聚成一个极小的光斑并输出。该重构器可预先利用标准光源和大型高精度谱仪对每个通道进行高精度光谱定标，然后结合实际测得的样品光谱曲线重构出突破系统自身光谱分辨极限的光谱数据，从而提升便携式光谱系统的光谱分辨能力。
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公开(公告)号：CN104034669A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410258822.X
申请日：2014-06-12
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种光学微腔的光子等频图和能带结构一次成像装置，至少包括一个无限筒长的显微物镜、一套配有二维CCD的光栅光谱仪、一套显微镜照明系统、一根光纤、一个单色仪、一个宽带光源和一套成像系统；光子等频图和能带结构测量由以下部件实现：根据阿贝正弦关系将无限筒长显微物镜作为一种将波矢空间直接转换到实空间的变换器件，形成切向波矢和后焦平面上垂轴方向坐标位置的线性对应关系，探测光路上光谱仪配备的二维CCD通过成像系统和物镜后焦平面共轭，通过单色仪和的光谱仪配合使用获得所测样品的光子等频图和能带结构。本发明实现了光子等频图和能带结构的方便、一次成像测量，可以应用于微纳光学领域的光学性质测量。
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公开(公告)号：CN102368524A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110316113.9
申请日：2011-10-18
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 蓝雨软件技术开发(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种能够增强高注入电流下发光效率的GaN基半导体发光二极管。本发明由衬底、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和电极组成，其中多量子阱发光层中靠近P型AlGaN电子阻挡层的最后一个势垒的带隙沿生长方向线性减小，其材料为此多量子阱结构中其它势垒材料与InN或GaN形成的合金，并且InN或GaN在合金中的含量沿生长方向线性增加。本发明结构简单、易操作，可以有效减少漏电流，增强空穴的注入效率，提高量子阱中电子和空穴的浓度以及均匀分布性，从而大幅提高其在高注入电流下的发光效率，作为高亮度、高功率器件结构在照明领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101335309B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810041158.8
申请日：2008-07-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法。其结构核心部分包括GaAs或InGaAs入射光子吸收层、1010cm-2～1011cm-2量级的高密度InAs自组装量子点及AlGaAs/GaAs双势垒结构层。其工艺核心改进为延长交叉桥共振隧穿二极管器件工艺的退火时间，使得欧姆接触扩散到双势垒结构层。其核心探测途径发明点为在保持原有隧穿二极管对少光子敏感的纵向电流支路的同时，从量子阱引出了另一路横向电流，该横向电流由二维电子气组成，受量子点电场的强烈调制，可反映入射光强的连续变化。本发明器件优点是器件结构和工艺的改进均兼容原有设备，但多光子探测灵敏度相比原有器件有了大幅度提升。
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公开(公告)号：CN101262025A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036257.7
申请日：2008-04-18
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种量子放大的p型量子阱红外探测器。该探测器包括：量子点共振隧穿二极管和p型量子阱有源层。其特征是：p型量子阱有源层集成在量子点共振隧穿二极管的本征GaAs量子点覆盖层上。其核心机理为利用p型量子阱有源层进行中、长波红外吸收，产生的空穴由共振隧穿二极管的双势垒附近的量子点俘获，引起共振隧穿电流的强烈变化，从而使得本发明的器件兼有量子点共振隧穿二极管的高量子放大倍率和p型量子阱探测器的正入射红外波段响应能力。克服了制约量子阱红外探测器应用性能的二个关键问题，即正入射禁戒和量子效率低。
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公开(公告)号：CN101252152A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035501.8
申请日：2008-04-02
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/052 , H01L31/0376 , H01L31/075
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种可见—红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池，该电池包括：衬底，在衬底上通过磁控溅射方法生成的二个串联的薄膜太阳能子电池。所说的二个串联的薄膜太阳能子电池是由依次排列生成在衬底上的吸收红外波段的非晶碲镉汞薄膜子电池和吸收可见光波段的非晶硅薄膜子电池组成。在非晶硅薄膜子电池的顶层上生成有透明导电的ITO防反射层。本发明的最大优点是：拓宽了太阳光谱从可见—红外波段的吸收；其次，薄膜电池采用非晶材料，制备工艺简单，造价低廉，同时不受衬底生长条件的限制，可以选择价格低廉的衬底，能够降低电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN101251627A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035323.9
申请日：2008-03-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种光子晶体波导偏振分束器。它是在二维碲介电柱光子晶体中引入线缺陷形成耦合波导的结构，利用TE光和TM光的波导耦合长度不同实现TE光和TM光的分光。采用二维光子晶体波导实现偏振分束器的特点是：首先，与现有各类偏振分束器件相比，它可以实现高偏振度、高消光比的偏振分光。其次，器件的尺寸可以做得很小，并与现有的光子晶体器件在结构上兼容，满足集成化的要求。第三，结构非常灵活，可以通过调节耦合区长度或晶格常数，实现波长在3.5到35μm范围内的任意一波长的偏振分光。本发明还介绍了该偏振分束器的设计思路、具体的结构设计以及在此设计思想下所获得的偏振分束器的光学性能等。
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公开(公告)号：CN101231309A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810033719.X
申请日：2008-02-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法，该方法是通过实测器件电致发光光谱随外注入电流的变化规律与理论计算的结果进行比对，来判断器件结构中非辐射复合中心浓度的大小。本发明方法操作简便，无破坏性；能快速对GaN基LED器件内非辐射复合中心浓度高低的相对状态进行检测，及时推进生产工艺的改进，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有明显作用。
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公开(公告)号：CN101221203A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710172700.9
申请日：2007-12-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01R29/24
摘要： 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
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