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公开(公告)号：CN106586948A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510666707.0
申请日：2015-10-15
CPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , B81C1/00055
摘要： 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有MEMS元件、位于所述MEMS元件上的MEMS材料层以及位于所述MEMS材料层上的图案化的键合材料层；步骤S2：图案化所述MEMS材料层，以在所述MEMS材料层中所述键合材料层的两侧形成环绕所述键合材料层的沟槽；步骤S3：提供覆盖层，以通过所述键合材料层与所述MEMS晶圆相接合。本发明具有以下优点：(1)能够防止MEMS中键合材料环的外溢。(2)能够提高MEMS器件的性能。
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公开(公告)号：CN104925742A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410105998.1
申请日：2014-03-20
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供一种形成方法至少包括：提供形成有第一铝焊垫和第二铝焊垫放入第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，在所述第二半导体衬底上形成有连接结构，所述连接结构与所述第一铝焊垫一一对应；将所述第一铝焊垫和连接结构连接，以使得所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合；切割所述第二半导体衬底的部分厚度，所述第二半导体衬底被切割处与所述第二铝焊垫对应；利用去离子水对所述第二铝焊垫进行清洗；利用干法刻蚀刻蚀所述第二半导体衬底被切割处，使得所述第二半导体从被切割处断裂，暴露出所述第二铝焊垫；对所述第一半导体衬底和第二半导体进行清洗。本发明的技术方案避免了颗粒附着在第二铝焊垫的表面的问题。
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公开(公告)号：CN105826213B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510006070.2
申请日：2015-01-06
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
摘要： 本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，晶圆键合方法包括：提供第一衬底、第二衬底；形成第一介质层、第二介质层、第一导电结构、第二导电结构、第一顶层介质层、第一顶层导电结构、第二顶层介质层、第二顶层导电结构；使第一晶圆与第二晶圆键合。晶圆键合结构包括：第一衬底、第二衬底、第一介质层、第二介质层、第一导电结构、第二导电结构、第一顶层介质层、第二顶层介质层、第一顶层导电结构和第二顶层导电结构。本发明的有益效果在于简化了整个工艺的复杂程度，提升了生产效率，降低了生产成本；同时，简化了工艺步骤也意味着增加了工艺流程的可靠性。
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公开(公告)号：CN105513983B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201410504766.3
申请日：2014-09-26
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/603 , H01L23/485
摘要： 本发明提供一种晶圆键合的方法以及一种晶圆键合结构，所述晶圆键合的方法包括：在晶圆键合工艺之前，在晶圆上形成层间介质层，所述层间介质层包括依次形成的第一介质层和绝缘层；在所述层间介质层中形成互连结构，所述互连结构的一部分凸出于层间介质层表面，为互连结构的贴合端；在贴合端侧壁上形成侧墙。本发明的有益效果在于，所述绝缘层将层间介质层表面完全覆盖，所述侧墙将贴合端侧壁覆盖，对多个晶圆进行键合工艺之后，相邻的贴合端具有绝缘层和侧墙隔断，不容易发生短路。此外，在侧墙的保护下，贴合端没有暴露于外界环境中，不容易受氧气和水汽的影响而形成氧化物，同样减小了短路的风险。
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公开(公告)号：CN104934365B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410105947.9
申请日：2014-03-20
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：S1：提供一半导体基底，在所述半导体基底正面形成第一器件结构；所述第一器件结构包括铝引线孔及暴露于所述铝引线孔底部的铝金属垫；S2：在所述半导体基底正面形成一覆盖所述第一器件结构的隔离层；S3：在所述隔离层表面形成一保护层；S4：将所述半导体基底翻面，在所述半导体基底背面形成第二器件结构；S5：依次去除所述保护层及所述隔离层，完成半导体器件的制作。本发明在制作半导体器件的过程中，晶圆正面采用隔离层及保护层进行保护，已经制作好的器件结构在机台的常规拿取过程中不会被破坏，且在后续去除隔离层和保护层的过程中不会导致铝金属垫被腐蚀或污染，有效保证了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105984832B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510053319.5
申请日：2015-02-02
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面上形成有图案化的牺牲层；步骤S2：执行MEMS工艺，以在所述MEMS晶圆的正面形成MEMS器件并覆盖所述牺牲层；步骤S3：反转所述步骤S2中得到的元件，并图案化所述MEMS晶圆的背面，以形成凹槽；步骤S4：沿所述牺牲层的轮廓切割所述凹槽的底部至所述MEMS器件，以露出所述牺牲层的边缘；步骤S5：去除所述牺牲层以及位于所述牺牲层上方的所述MEMS晶圆，以露出所述MEMS器件，形成MEMS背孔。本发明的优点在于：1、改善了背孔的形貌。使得背孔的腔体体积可控。2、提高了产品的性能。
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公开(公告)号：CN105984833B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510058300.X
申请日：2015-02-04
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆的正面上形成有沟槽，在所述沟槽内形成有器件层；在所述沟槽的上方形成覆盖所述晶圆表面的光刻胶，其中，所述光刻胶下方的沟槽内的气压大于所述光刻胶上方的气压；对所述光刻胶进行曝光和显影处理，以图案化所述光刻胶。根据本发明的制作方法，使光刻胶层下方沟槽内的气压大于1atm，对光刻胶产生一个托举力，从而提高了光刻胶的牢固和稳定的程度，改善了崩塌和下陷的现象，有效防止光刻胶破裂，提高了光刻胶在工艺中的阻挡和保护能力，最终提高了产品的成品率。
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公开(公告)号：CN105565254B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410554875.6
申请日：2014-10-17
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面形成有MEMS图案；步骤S2：在所述MEMS晶圆的正面上形成胶带，以覆盖所述MEMS图案；步骤S3：反转所述MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的背面上设置受力保护层，并在所述受力保护层上施加压力，以将所述MEMS晶圆和所述胶带贴合。本发明的优点在于：1、降低了破片几率，增加了机台的使用寿命。2、提高了成品率，降低了工艺成本。3、维护产险正常生产，提高了产量。
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公开(公告)号：CN105460883B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410453194.0
申请日：2014-09-05
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于介电层中；在所述介电层上依次形成有第二基底和第一隔离层；步骤S2：图案化所述第一隔离层、所述第二基底和所述介电层，以形成开口，露出所述金属互联结构；步骤S3：沉积第二隔离层，以部分填充所述开口并覆盖所述第一隔离层；步骤S4：去除所述第一隔离层上的部分所述第二隔离层，以减小所述第二隔离层的厚度，降低所述第二隔离层的应力。本发明的优点在于：(1)彻底改变发生碎裂(Crack)的隔离层叠层(film stack)，使MEMS器件不在发生碎裂现象。(2)提高了产品的良率。
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公开(公告)号：CN104671194B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310643712.0
申请日：2013-12-03
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种防止结构层脱落的MEMS器件及其制备方法，通过依次刻蚀氧化层、金属层至介质层中，以于微机电结构的空乏区域中形成凹槽，于剩余的氧化层及凹槽上方沉积锗化硅材料层作为结构层，该锗化硅材料层的一部分沉积在凹槽中，释放了锗化硅材料层的一部分应力，同时位于氧化层下方的锗化硅材料抵消了位于氧化层上方的锗化硅材料的一部分应力，从而有效的减少了结构层（锗化硅材料层）的应力，进而防止了结构层从MEMS器件上发生脱落的现象。
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