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公开(公告)号：CN105954983B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610566567.4
申请日：2016-07-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本发明公开了一种显影系统及方法，属于显示技术领域，该方法可以应用于显影系统中，该显影系统包括：喷淋组件和浓度调节组件，该方法包括：通过该喷淋组件向待显影基板上的各个显影区域喷淋相同浓度的显影液；通过该浓度调节组件向该待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体，使得在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同。本发明可以通过该浓度调节组件对待显影基板上各个显影区域内的显影液浓度进行调节，以保证在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同，解决了相关技术中显影均匀性较差的问题，提高了显影系统对基板进行显影时的显影均匀性。本发明用于显影。
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公开(公告)号：CN105116695B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201510667135.8
申请日：2015-10-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本发明公开了一种显影装置及光刻设备，所述显影装置包括显影腔室，所述显影腔室用于容纳待显影的基板，所述显影装置还包括加热机构；所述加热机构包括多个加热件，多个所述加热件设置在所述显影腔室内，以对显影腔室内的位于所述加热机构上方或下方的基板的不同显影位置进行加热，且多个所述加热件能够分别独立控制加热。
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公开(公告)号：CN110161799A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810142878.7
申请日：2018-02-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G03F1/26
摘要： 本发明公开了一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置，其中由于在相移掩模板中，由于在第一遮光部的两侧设置有的补偿遮光部，因此，可以利用补偿遮光部来降低第一遮光部两侧的曝光强度，从而避免曝光时在第一遮光部对应的区域出现过曝光的问题。并且将补偿遮光部的宽度设置为小于曝光机的分辨率，由于曝光机的分辨率不足，因此补偿遮光部不能被曝光出来，从而保证补偿遮光部对应的区域的光刻胶不会残留，即保证补偿遮光部对应的区域不形成图形。
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公开(公告)号：CN108363270A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810142882.3
申请日：2018-02-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G03F1/26
摘要： 本发明公开了一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置，相移掩模板在曝光时，虽然走线遮光部对应的区域也存在过曝光的问题，但是将遮光区域的宽度设置成大于图形的设定宽度，虽然形成的图形的实际宽度会小于遮光区域的宽度，但是大于现有相移掩模板的走线遮光部形成的图形的宽度。因此本发明实施例提供的相移掩模板通过调节遮光区域比图形的设定宽度大的宽度，可以使形成的图形的实际宽度等于设定宽度。
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公开(公告)号：CN108345171A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810143213.8
申请日：2018-02-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G03F1/26
摘要： 本发明公开了一种相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板，在衬底基板上形成金属遮挡层图案、相位转换层和第一光刻胶层；接着以金属遮挡层图案作为掩模图形，对第一光刻胶层进行构图，形成第一光刻胶层图案，其中，第一光刻胶层图案在衬底基板上的正投影完全覆盖且大于金属遮挡层图案；最后以第一光刻胶层图案作为掩模图形，对相位转换层进行刻蚀，形成相位转换层图案。采用以金属遮挡层图案作为掩模图形，代替现有的采用描画机对第一光刻胶层进行构图，已达到制作出的第一光刻胶层图案与金属遮挡层图案自对准的效果，避免了采用描画机进行曝光时出现的对位偏差，从而保证后续制作出的相位转移层图案与金属遮挡层图案可以严格对准，不存在移位偏差。
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公开(公告)号：CN108227368A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810043420.6
申请日：2018-01-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G03F1/26
摘要： 本发明涉及显示装置制作技术领域，公开了一种掩模板、显示基板以及显示装置，以提高显示装置的分辨率，从而提高显示装置的显示品质。掩模板包括：基板、以及位于基板一侧且相对设置的第一曝光结构和第二曝光结构，其中：第一曝光结构包括第一透光膜层和第一遮光膜层，第一遮光膜层在基板上的正投影落入第一透光膜层在基板上的正投影内；第二曝光结构包括第二透光膜层和第二遮光膜层，第二遮光膜层在基板上的正投影落入第二透光膜层在基板上的正投影内；第一曝光结构靠近第二曝光结构的侧边具有第一锯齿状结构，第二曝光结构靠近第一曝光结构的侧边具有第二锯齿状结构。
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公开(公告)号：CN105405388B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610006936.4
申请日：2016-01-05
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G09G3/20
摘要： 本发明涉及一种像素驱动电路，包括：信号输出晶体管和其他晶体管，所述信号输出晶体管源极的宽度小于所述其他晶体管源极的宽度，所述信号输出晶体管漏极的宽度大于所述其他晶体管漏极的宽度。根据本发明的技术方案通过缩小信号输出晶体管的源极宽度，可以降低源极与栅极的正对面积，从而降低信号输出晶体管的栅源电容。另一方面通过增大信号输出晶体管的漏极宽度，从而提高信号输出晶体管的栅漏电容，进而使得耦合电压降低。避免了在信号输出晶体管的栅极产生较大的耦合电压，改善了信号输出晶体管的高温AD问题。
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公开(公告)号：CN103885281B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201410081024.4
申请日：2014-03-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/68 , G03F7/00 , G02F1/1333 , G02B27/22
CPC分类号： H01L33/0095 , G02B5/003 , G02B27/2214 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/58 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058
摘要： 本发明公开了一种光屏障基板的制备方法，包括如下步骤：通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成金属电极过孔，以及在绝缘层上形成金属电极与外部IC连线所需的沟道图形；在形成所述金属电极过孔和沟道图形的衬底上，形成透明电极层图形。本发明借助于半色调掩膜版和灰化工艺，使得绝缘层和透明电极层的形成由现有技术中的两道掩膜工艺减少为一道掩膜工艺，工艺得到了简化，制备效率得到提高，并且减少了一块掩膜版的使用，降低了光屏障基板的制备成本。
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公开(公告)号：CN104614948B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510053834.3
申请日：2015-02-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
CPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1341 , G02F2001/133354
摘要： 本发明的实施例提供一种紫外线固化掩膜板及其制作方法和显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的封框胶固化时需要的紫外线掩膜板的制作需要多次进行成膜、曝光和刻蚀工艺的问题，降低了生产成本，减少了工艺流程，降低了复杂度。所述紫外线固化掩膜板包括衬底基板，待固化膜层的面板上具有对位标识和选择标识，所述紫外线固化掩膜板还包括：掩膜层，其中：所述掩膜层设置在所述衬底基板上，且与所述对位标识、选择标识和待固化的封框胶未覆盖区域对应的位置；所述掩膜层的材料为具有阻挡紫外光作用的材料。本发明应用于掩膜板制作工艺中。
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公开(公告)号：CN104503622B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510002288.0
申请日：2015-01-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/0412 , G06F3/041 , G06F3/0416 , G06F3/047 , G06F2203/04103 , G09G3/2092
摘要： 本发明公开了一种触控显示面板及其制备方法、驱动方法和触控显示装置，该触控显示面板包括：阵列基板和彩膜基板，阵列基板包括：形成于第一衬底上的第一薄膜晶体管和第一检测线，彩膜基板包括：形成于第二衬底上的主隔垫物、附隔垫物、基准信号线和第二检测线，主隔垫物的底部与基准信号线连接，基准信号线中加载有电流信号，主隔垫物的顶部与第一源极连接，附隔垫物的底部与第二检测线连接，附隔垫物的顶部在阵列基板上的投影连接第一漏极和第一检测线。本发明的技术方案通过将用于实现触控功能的各金属走线设置在不同的显示基板上，从而可有效的降低阵列基板上走线的数量，降低阵列基板的制备工艺的复杂度，提高像素单元的开口率。
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