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公开(公告)号：CN101698932B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910236797.4
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法。本发明通过以ZnO和Co2O3为原料经研磨混合、烧结、研磨、压制、烧结，得到Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材；再利用Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材，采用脉冲激光沉积法制备P型掺钴氧化锌薄膜。本发明具有操作简单易行，重复率高，所制得的稀磁半导体薄膜不仅结晶质量好、表面光滑，最重要的是成功使得n型本征ZnO转变为P型掺杂ZnO基稀磁半导体材料，为下一步制备具有稀磁特性的ZnO基同质P-N结的应用创造了良好的前提条件。
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公开(公告)号：CN100595537C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810057363.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 飞秒激光脉冲自相关测试仪及其方法属于光电子领域。目前产品光学设计和调节过程复杂，体积大且价格昂贵，本发明依次包括：两片对于待测激光为透明且厚度在毫米量级的相同的片状材料(FS1)，(FS2)、凹面反射镜(CM1)、非线性晶体(NL)、针孔光阑(PA)、凹面反射镜(CM2)、光电探测器(PD)、入射光脉冲的自相关特征曲线显示装置(OSC)；待测激光通过片状材料的两束光平行但高度不同，入射至凹面反射镜(CM1)聚焦，在焦点放置非线性晶体产生和频光；针孔光阑只透过和频光，经另一凹面反射镜(CM2)准直，入射至光电探测器将光信号转化为电信号并输入显示装置(OSC)得入射光脉冲的自相关特征曲线。本发明集成化程度高、操作简便、具高性能价格比。
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公开(公告)号：CN101306878A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810114668.3
申请日：2008-06-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: C02F3/30
Abstract: 本发明涉及CAST分段进水深度脱氮的过程控制装置及方法，属于SBR及其变型工艺污水生物脱氮技术领域。本发明采用分多次进水的运行方式与实时控制系统的集成，并充分利用了原污水中的有机碳源，最大程度上节省了外投碳源量，同时科学合理的分配每一阶段硝化、反硝化的时间。增加缺氧搅拌阶段，并采用变时长好氧/缺氧的方式运行，而控制好氧曝气和缺氧搅拌的时间由实时过程控制策略来实现。本发明不仅能够提高处理效率、降低了运行成本，而且在进水污染物浓度发生较大变化时，由于采用了在线实时过程控制仍能准确地控制交替好氧/缺氧时间，使整个系统的抗冲击负荷能力大大提高。
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公开(公告)号：CN101003913A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610164937.8
申请日：2006-12-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 有机分子晶体纤维的大尺度生长方法属于有机半导体光电子技术与器件领域。现有方法工艺过程相当复杂或由于方法本身的局限性及对环境条件要求苛刻，所获得晶体结构的连续有序尺度一般很小。本发明采用非常简单的玻璃管状微腔为晶体生长提供基体结构，通过实验设计、优化其直径和长度等参数，利用二萘嵌苯衍生物EPPTC的氯仿溶液在微腔管壁上所受表面张力作用，以及由此引起的分子间通过所谓“π键堆砌”形成的自组装机制，并借助氯仿的低沸点特性创造腔内饱和蒸汽环境等物理条件，成功制备了有序排列长度超过10厘米的EPPTC晶体纤维束，其直径为1－2微米。本发明简便、实用且具有良好重复性。
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公开(公告)号：CN112675304A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110045822.1
申请日：2021-01-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61K41/00 , A61P35/00 , B82Y5/00 , C09K11/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A61N5/06
Abstract: 一种微纳量子点的内源性光热治疗器件系统及其制备方法，属于微创医疗的微纳量子点光电器件领域。以CdTe@CdSe@ZnS双层壳核壳量子点为光增益介质，填充到液芯光纤或超细毛细管构建的光纤环状谐振腔中，得到高强度近红外光辐射输出光源器件即CdTe@CdSe@ZnS双层壳核壳量子点液芯光纤探头；带有CdTe@CdSe@ZnS双层壳核壳量子点液芯光纤探头的光纤经由导光光纤或导光光纤、光纤跳线与激发光源连接，形成CdTe@CdSe@ZnS双层壳核壳量子点内源性光热治疗器件系统。该系统为光热疗法应用提供新思路和新型微纳半导体光器件系统，为癌症治疗领域提供新型光学诊疗方法和仪器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109750258A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811605457.X
申请日：2018-12-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/28 , C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种制备钴和三氧化二镓共掺硫化锌硒化锌陶瓷与薄膜的方法，所制备的材料以纯钴、三氧化二镓以及硫化锌硒化锌粉末原料通过循环致密固相烧结法，得到Ga2O3:Co:ZnS/Se陶瓷材料。以此为基础，采用脉冲激光沉积的方法制备了同样成分的纳米薄膜材料。本发明实现了过渡金属元素与透明半导体氧化元素共同掺杂硫系复合材料的制备，所制得材料集中了多种掺杂元素的特性，包括铁磁性质、半导体性质及其红外光学特性。极大地拓宽了材料的应用范围，为下一步研究创造了良好的前提条件。
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公开(公告)号：CN108827374A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810340018.4
申请日：2018-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种串联式氢气氧气浓度和温湿度同时测量系统，该系统包括宽带光源、3dB耦合器、第一LPFG、第二LPFG、光谱分析仪、计算机和PCF。本系统主要解决光纤气体传感器，在测量气体物理参量时的单一性和不同参量相互交叉敏感，以及监测工作的智能化和自动化的问题。在实验过程中，通过敏感光纤接收外界参量的变化，可以从光谱仪上光谱的变化间接计算敏感光纤周围环境中参量的改变，从而实现参量测量的目的。实验中分别设计了氢气和氧气两种气体测量的敏感探头，以及温度和湿度测量的敏感探头，实现了氢气、氧气、温度和湿度多参量的自动化实时智能测量。
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公开(公告)号：CN105043572B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201510488027.4
申请日：2015-08-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本文公开了一种用于模拟扫描电镜真空环境的高温测试装置，测试在高、低真空环境及大气环境(10‑5～105Pa)下，目标点的温度分布，并可测试施加热防护措施后对目标测试点温度降低的效果，测温范围为‑40～1600℃。该测温装置包括：真空室及真空装置，热电偶测温组件，电极法兰组件，支撑法兰组件，加热台装置，及热防护挡板。本装置结构设计简单，测温精度高，测温范围广，适用于测试不同类型扫描电镜及真空设备中的温度分布。
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公开(公告)号：CN106098520A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610617959.9
申请日：2016-07-30
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01J37/26 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J2237/20221 , H01J2237/20228
Abstract: 本发明公开了一种扫描/透射电子显微镜关联分析用真空移动装置，包括与扫描电镜相连接的真空腔体，其内部的二维平移台以及透射电镜样品杆偏心套筒；真空腔体前端与扫描电镜腔体法兰连接；真空腔体设置有二维平移台外接旋钮；腔体内部安装有用于实现SEM电子束成像区域精确选择的二维平移台，及其上的透射电镜样品杆偏心套筒，实现成像区域的Z轴微调。本发明结合TEM的高分辨成像和局部区域高精度成分获取和SEM能够获得大范围样品的形貌和成分的优点，实现精确定位样品研究区域、微观、纳米尺度相结合的研究样品的显微结构、成分、物相等信息；同时可用于对透射电镜加热、通电、液体及其一体化样品杆的初步测试，以保障透射电镜的安全。
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公开(公告)号：CN103342075B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310218218.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种硫系玻璃薄膜微纳波导结构的热膜气压印装置及使用方法，属于制膜装置技术领域。装置包括金属内罩和金属外罩，利用薄膜和微纳波导结构模板将密闭压印空间分为两部分，同时抽真空，加热硫系玻璃薄膜至软化温度，通入气氛，调节上下空间气压差值，完成硫系玻璃薄膜压制微纳波导结构。本发明方法简便，工艺简单，可操控性强，设备成本低廉，适用于工业化生产。
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