一种新能源送出线路自适应重合闸方法

    公开(公告)号:CN117200153A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311168886.6

    申请日:2023-09-12

    IPC分类号: H02H7/26 H02H3/06 H02J3/40

    摘要: 本发明公开一种新能源送出线路自适应重合闸方法,属于新能源重合闸领域。该方法针对单相重合闸利用耦合电压给出具体判据判别故障性质,针对非单相故障,先跳开风电场侧三相,避免非全相产生过大的负序电流造成的稳定性影响,根据不同故障情况跳开系统侧某两相,利用暂态量构成判别式判别故障性质。在判别式都不满足即不能判别故障性质情况下,考虑到稳定性问题,按照永久性故障情况,经过最佳时间进行重合闸,将重合不成功对系统的冲击降低至最小。本发明不仅可以区分故障性质,完成重合闸的正确动作,而且也提高了系统运行的稳定性。

    一种自适应紧急切机-换相序协同控制方法及系统

    公开(公告)号:CN114389288A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202210036929.4

    申请日:2022-01-13

    IPC分类号: H02J3/24 H02J3/46

    摘要: 本发明涉及一种自适应紧急切机‑换相序协同控制方法及系统,属于电力系统稳定控制领域,在系统失稳后首先对小惯量机组进行切除,倘若直接将系统功角拉回稳定,那么系统惯量水平仍能维持在较高水平。即使切机后系统未能稳定,还能通过换相序操作使系统恢复稳定,防止进一步切机导致的系统惯量下降,避免由于惯量减小而出现稳定裕度下降等的负效应,在有效抑制系统失步的同时保持系统惯量水平。

    基于低温共烧陶瓷技术的高温电流传感器及其应用和方法

    公开(公告)号:CN113341199A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110623698.2

    申请日:2021-06-04

    IPC分类号: G01R19/00

    摘要: 基于低温共烧陶瓷技术的高温电流传感器,由多种低温共烧陶瓷瓷带层组成,在瓷带层表面印刷导带并按照一定顺序堆叠而成;所述低温共烧陶瓷瓷带层包括顶盖、顶部功率连接层、顶部信号连接层、铁氧体磁环包覆层、铁氧体磁环外部垂直连接层、铁氧体磁环、铁氧体磁环中央垂直连接层、底部信号连接层、底部信号汇集层、底部基板层。本发明提出了基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术和铁氧体磁环线圈方法的高温电流传感器,可实现在高温环境下功率模块的电流测量,具有测量准确、成本低、用性强、易集成易推广等诸多优点。

    一种用于压接型功率模块动态特性测试的电容串联母排

    公开(公告)号:CN111224535A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN202010164044.3

    申请日:2020-03-11

    IPC分类号: H02M1/32 G01R1/04 G01R31/00

    摘要: 本发明涉及一种用于压接型功率模块动态特性测试的电容串联母排,包括:高压电容器组、低压电容器组、叠层母排、压接型模块以及压接型模块连接板;高压电容器组包括多个高压电容器,呈环形排布;低压电容器组包括多个低压电容器,呈环形排布;高压电容器组与低压电容器组通过叠层母排串联连接,关于叠层母排镜像对称;压接型模块包括第一压接型模块和第二压接型模块,均与叠层母排连接。本发明中上述电容串联母排避免了路径重叠,从而可以减小功率回路的长度,达到了减小直流母排寄生电感的目的,实现了电容内部杂散电感的抵消,实现了叠层母排与电容器整体的寄生电感优化。

    一种压接型功率器件封装结构和封装方法

    公开(公告)号:CN111081642A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911064150.8

    申请日:2019-11-04

    摘要: 本发明提供一种压接型功率器件封装结构和封装方法,封装结构包括分体式管壳和位于分体式管壳内部的压接型功率器件;分体式管壳包括上封接件(2)和下封接件(1),所述上封接件(2)和下封接件(1)之间形成密闭腔体;压接型功率器件(5)下表面与下封接件(1)的底部固定,其上表面上封接件(2)的底部固定;分体式管壳内充斥绝缘介质。本发明采用绝缘油或者绝缘气体作为绝缘介质,能够通过绝缘介质提高了功率器件的耐压能力;上封接件和下封接件通过冷压焊接形式固定,在管壳内部形成了密封腔体,大大提高了分体式管壳的密封性能和绝缘可靠性;本发明还提高了封装结构的散热性能和散热效率。

    一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具

    公开(公告)号:CN108828272B

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201810369674.7

    申请日:2018-04-24

    IPC分类号: G01R1/04

    摘要: 本发明公开了一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具。该并行测试夹具包括:内部固定接线装置、外部旋转夹具、推力轴承、蜗杆传动装置和底座;内部固定接线装置为一中空圆柱体,设置于外部旋转夹具内部,并且与外部旋转夹具同轴;外部旋转夹具设置于底座上;蜗杆传动装置包括齿轮和蜗杆,蜗杆固定于底座上,齿轮固定于外部旋转夹具的外侧表面底部;内部接线装置包括上部分接线装置和下部分带六边形凸台盖板;外部旋转夹具包括主体结构、器件测试插座以及弹簧探针。该发明能实现在不打开高低温试验箱的情况下通过外部控制对多个封装器件进行测试,降低了实验难度,提升了实验效率。

    一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具

    公开(公告)号:CN108828272A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201810369674.7

    申请日:2018-04-24

    IPC分类号: G01R1/04

    摘要: 本发明公开了一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具。该并行测试夹具包括:内部固定接线装置、外部旋转夹具、推力轴承、蜗杆传动装置和底座;内部固定接线装置为一中空圆柱体,设置于外部旋转夹具内部,并且与外部旋转夹具同轴;外部旋转夹具设置于底座上;蜗杆传动装置包括齿轮和蜗杆,蜗杆固定于底座上,齿轮固定于外部旋转夹具的外侧表面底部;内部接线装置包括上部分接线装置和下部分带六边形凸台盖板;外部旋转夹具包括主体结构、器件测试插座以及弹簧探针。该发明能实现在不打开高低温试验箱的情况下通过外部控制对多个封装器件进行测试,降低了实验难度,提升了实验效率。

    一种开关器件筛选系统及方法

    公开(公告)号:CN108051737A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201711260643.X

    申请日:2017-12-04

    IPC分类号: G01R31/327

    摘要: 本发明公开了一种开关器件筛选系统及方法。该系统包括驱动电路、开关电路、并联电路、测量电路以及示波器;驱动电路,与并联电路连接,用于产生驱动电压,驱动待筛选的开关器件;开关电路,与并联电路连接,用于为待筛选的开关器件提供直流偏置电压,产生导通状态下的稳态电流和开关过程中的暂态电流;并联电路,用于并联待筛选的开关器件,使待筛选的开关器件的驱动电压和直流偏置电压均相同;测量电路,与并联电路连接,用于测量所述待筛选的开关器件中流过的暂态电流和稳态电流;示波器,与测量电路连接,用于显示电流波形。本系统和本方法能够快速精确的对开关器件进行筛选,保证开关器件的均一性,避免开关器件的损坏。

    一种功率半导体模块内部并联芯片筛选方法及系统

    公开(公告)号:CN107957541A

    公开(公告)日:2018-04-24

    申请号:CN201711166334.6

    申请日:2017-11-21

    IPC分类号: G01R31/26 G01R31/28

    摘要: 本发明公开了一种功率半导体模块内部并联芯片筛选方法及系统。所述方法包括:获取多个芯片的转移特性曲线;将每一转移特性曲线离散化,获取转移特性曲线的多个离散点,构成芯片离散点集;获取多个芯片中任意两个芯片的芯片离散点集;计算两芯片的若干个相对相差值,相对相差值为漏极电流相对相差值或栅源极电压相对相差值;计算两芯片的平均相对相差值,平均相对相差值为两芯片的若干个相对相差值的平均值;比较多个芯片中所有平均相对相差值,确定最小平均相对相差值;确定最小平均相对相差值对应的两个芯片作为目标筛选芯片。本发明能够得到阈值电压的分散性和跨导系数的分散性都很小的两并联芯片,进而使得并联芯片的瞬态均流效果更佳。

    一种半桥模块和封装方法
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107369666A

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201710671883.2

    申请日:2017-08-08

    摘要: 本发明公开一种半桥模块和封装方法。所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设,所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块;上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率端子和一个源极功率端子,下半桥模块包括多个两芯片直接并联的下半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率信号端子和一个源极功率信号端子,下半桥的漏极功率端子与上半桥的源极功率端子电气上是互连的。功率信号端子以及驱动信号端子的结构均为二叉树状结构。采用本发明的半桥模块或封装方法,可以降低电路杂散电感的分布差异,实现较好的碳化硅芯片的均流特性。