公开(公告)号：CN111081642A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911064150.8

申请日：2019-11-04

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  华北电力大学

发明人： 杨霏 ,  孙鹏 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  杜玉杰 ,  李金元 ,  赵志斌

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/16 ,  H01L23/367

摘要： 本发明提供一种压接型功率器件封装结构和封装方法，封装结构包括分体式管壳和位于分体式管壳内部的压接型功率器件；分体式管壳包括上封接件(2)和下封接件(1)，所述上封接件(2)和下封接件(1)之间形成密闭腔体；压接型功率器件(5)下表面与下封接件(1)的底部固定，其上表面上封接件(2)的底部固定；分体式管壳内充斥绝缘介质。本发明采用绝缘油或者绝缘气体作为绝缘介质，能够通过绝缘介质提高了功率器件的耐压能力；上封接件和下封接件通过冷压焊接形式固定，在管壳内部形成了密封腔体，大大提高了分体式管壳的密封性能和绝缘可靠性；本发明还提高了封装结构的散热性能和散热效率。

公开(公告)号：CN113410132A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202010179774.0

申请日：2020-03-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 田丽欣 ,  杨霏 ,  夏经华 ,  张文婷 ,  安运来 ,  罗松威

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16

摘要： 本发明提供一种碳化硅MOSEFT栅氧结构及其制备方法，将碳化硅外延片置于氧化炉，设置氧化炉的氧化温度在阈值范围内对碳化硅外延片进行一定时间的氧化；将含有氧化层的碳化硅外延片在退火气氛中进行退火，避免引入固定电荷，提高了碳化硅外延片与氧化层之间界面的质量，MOSFET阈值电压不会发生漂移，减小对沟道载流子的散射，提高了MOSFET导通能力；本发明中通过惰性气体对含有氧化层的碳化硅外延片进行退火，保证MOSFET阈值电压不受影响；碳化硅外延片在高温下进行氧化和退火，退火过程中的氧化层处于熔融状态或半固体状态，利于碳原子逸出表面，降低碳化硅外延片与氧化层接触面的碳含量，降低了MOSFET的比导通电阻，增强了MOSFET的稳定性。

公开(公告)号：CN112002648A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010672215.3

申请日：2020-07-14

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司泰安供电公司

发明人： 桑玲 ,  田亮 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  朱涛 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件，方法包括在半导体层(1)的正面形成场限环终端(4)；采用热氧化工艺在场限环终端(4)的正面以预设的生长温度形成热氧化层(5)；在热氧化层(5)的正面形成氧化层(6)，通过设置热氧化层(5)大大降低了氧化层(6)产生孔洞的可能性，碳化硅功率器件在承受反向高电压时不易击穿，提高了碳化硅功率器件的良率和长期可靠性。

公开(公告)号：CN116230611A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111465401.0

申请日：2021-12-03

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 安运来 ,  张文婷 ,  杨霏 ,  桑玲 ,  刘瑞 ,  田丽欣 ,  张朋 ,  罗松威 ,  杜泽晨 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底的直径大于所述第一半导体衬底的直径；把所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底键合在一起；在所述第一半导体衬底背向所述第二半导体衬底的一侧形成正面器件结构；形成所述正面器件结构之后，去除所述第二半导体衬底。第一半导体衬底的尺寸虽然与工艺线的设计尺寸不匹配，但是由于工艺线的设计尺寸与第二半导体衬底的尺寸匹配，第一半导体衬底也可以在工艺线上制备正面器件结构，工艺线可以同时兼容不同直径尺寸的半导体器件流片。

公开(公告)号：CN116190442A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202111433944.4

申请日：2021-11-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 桑玲 ,  杨霏 ,  吴军民 ,  牛喜平 ,  张文婷 ,  安运来

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体功率器件及其制备方法，其中，该半导体功率器件包括半导体层、源极、栅极、半导体区域、阱区和JFET区，所述JFET区形成在两个阱区之间的所述半导体层内，且所述JFET区具有与栅极交叠的部分，所述JFET区内的离子掺杂浓度为1E16‑1E18cm‑3，所述JFET区与所述半导体层的导电类型相同。本发明通过在阱区之间的半导体层内形成JFET区，该JFET区具有与栅极交叠的部分，其中交叠部分的面积可以用于改变器件的正向导通电阻和栅端的MOS电容，从而实现对栅控半导体功率器件的正向导通特性以及开关时间和开关损耗等开关特性的调制。

公开(公告)号：CN111952173A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010632701.2

申请日：2020-07-01

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司

发明人： 查祎英 ,  张文婷 ,  安运来 ,  杨霏 ,  夏经华 ,  田丽欣 ,  桑玲 ,  田亮 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供一种基于外延工艺制备的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N+缓冲层、N-漂移层和N型载流子阻挡层，去除SiC衬底且对N+缓冲层进行抛光处理，采用外延工艺在N+缓冲层表面形成P+集电层；在N型载流子阻挡层表面形成栅极和发射极，并在P+集电层表面形成集电极，在N+缓冲层表面形成P+集电层后，无需再进行减薄工艺处理，减少了碎片概率，大大降低了生产成本；本发明在N+缓冲层表面形成P+集电层，得到的P+集电层掺杂浓度高，制备出的SiC IGBT损耗小，提高了SiC IGBT的导通特性，且采取的工艺与常规制备SiC IGBT的工艺兼容，提高工艺处理过程中的良品率。

公开(公告)号：CN111261723A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201811453052.9

申请日：2018-11-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张文婷 ,  杨霏 ,  郑柳 ,  桑玲 ,  焦倩倩 ,  夏经华 ,  田丽欣 ,  吴沛飞

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/02 ,  H01L21/329

摘要： 本发明提供了一种SiC JBS器件，包括：有源区和终端保护区，所述终端保护区布置在所述有源区周边，所述有源区包括多个P型区和肖特基接触区；所述有源区为矩形结构；所述多个P型区呈多行多列交错排列，所述肖特基接触区填充在各P型区之间。本发明提供的多个P型区呈多行多列交错排列，保证了SiC JBS器件的反向击穿特性的同时增加了肖特基势垒区域面积，提高了导通能力。

公开(公告)号：CN114334622A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111527377.9

申请日：2021-12-14

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  华中科技大学

发明人： 张文婷 ,  张曹瑞 ,  范继 ,  杨霏 ,  安运来 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/18

摘要： 本发明属于微电子器件封装技术领域，具体公开了一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法，包括：获取第一晶圆的第一初始翘曲度和第二晶圆的第二初始翘曲度，分别对第一晶圆和第二晶圆施加应力，使得第一晶圆发生形变调整以补偿第一初始翘曲度，第二晶圆发生形变调整以补偿第二初始翘曲度；对发生形变调整后的第一晶圆和第二晶圆进行表面活化，在室温及1000mbar～6000mbar压强下进行键合，得到键合结构；施加应力的方法为沉积二氧化硅薄膜，通过调整二氧化硅薄膜的致密性及厚度，能控制应力方向和大小。本发明通过沉积二氧化硅薄膜的方式对待键合的晶圆进行形变补偿，并进行表面活化处理，可实现在室温常压下的晶圆直接键合。

公开(公告)号：CN114242571A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111496268.5

申请日：2021-12-09

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张文婷 ,  安运来 ,  杨霏 ,  刘瑞 ,  朱涛 ,  桑玲 ,  田丽欣 ,  张朋 ,  罗松威 ,  杜泽晨

IPC分类号： H01L21/04

摘要： 本发明提供一种半导体结构的制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层背离所述半导体衬底的一侧表面形成扩散膜，所述扩散膜中具有扩散原子；形成所述扩散膜之后，进行退火处理以使得所述扩散原子进入所述第一外延层中，所述扩散原子适于填补所述第一外延层中的原子空位。本发明将所述扩散膜中的扩散原子导入所述第一外延层填补所述第一外延层内部的空位，在降低所述第一外延层内的深能级缺陷，达到提升载流子寿命目的同时，避免了对所述第一外延层表面产生损伤，且实施方便，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN111710599A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010620297.7

申请日：2020-06-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 夏经华 ,  桑玲 ,  田亮 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/263

摘要： 本发明涉及碳化硅器件领域，具体涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法；包括以下步骤：对碳化硅样片进行标准清洗；采用非反应性等离子体对碳化硅样片进行离子轰击；在碳化硅样片上制备欧姆接触金属层；对制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。通过采用等离子体对碳化硅样片表面进行离子轰击，改变了碳化硅样片的表面状态，在碳化硅和金属界面引入了一系列的受控界面态，从而使得可以在受控的条件下，降低金属和碳化硅之间的有效势垒高度，进而对金属与碳化硅之间的载流子跃迁或遂穿起到有效地辅助作用，提高载流子通过势垒的输运效率，显著提高碳化硅与金属的欧姆接触效果，降低接触电阻，形成良好的碳化硅欧姆接触。