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公开(公告)号：CN109234807A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810614845.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种可拉伸晶体半导体纳米线及其制备方法，所述可拉伸晶体半导体纳米线具有细长的主体，所述纳米线直径在20-200纳米之间，所述纳米线为为晶态无机半导体结构。所述可拉伸晶体半导体纳米线为弯曲结构，在轴向方向具有多个可拉伸单元，所述多个可拉伸单元依次连接，从而形成可拉伸晶体半导体纳米线。本发明采用IP-SLS等方法在PECVD中生长沟道台阶引导的纳米线，并利用现代微加工技术进行制作成弹簧结构晶体纳米线阵列。由于此类纳米线与引导沟道截面可以有效调节，可以进一步进行剥离和转移到其他柔性衬底之上。本发明制备弹簧结构晶体纳米线的方法在柔性电子领域、传感器的应用方面有着广阔的前景。
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公开(公告)号：CN102491252B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110373244.0
申请日：2011-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用激光通过位相光栅在硅衬底上目标区域选择性刻蚀非极性的OTS自组装单分子膜；4）将刻蚀后的硅衬底放入3-三乙氧基甲硅烷基-1-丙胺的甲醇溶液中，原被激光刻蚀掉的区域即生长上极性的APS自组装单分子膜，在目标区域形成极性和非极性的间隔区域；5）将修饰过的衬底浸入纳米线或纳米材料悬浮液中提升，纳米线或纳米材料按规则排列在目标极性区域内，实现离散半导体纳米线选择性排列。具有应用价值。
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公开(公告)号：CN102544136A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210008553.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。
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公开(公告)号：CN119698021B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510194397.0
申请日：2025-02-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及微电子制造技术领域。本发明公开了一种具有悬空纳米线结构的IGZO‑FET器件，悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有栅介质层，IGZO沟道层及源、漏电极层，悬空电极及其链接的悬空纳米线构成CAA IGZO‑FET器件的栅电极，悬空电极设有开孔区域用以对由悬空电极链接悬空纳米线形成的栅电极施加栅极电压；或悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有缓冲层，IGZO沟道层，源、漏电极层，栅介质层及栅电极层构成GAA IGZO‑FET器件。本发明获得的高驱动电流和低的亚阈值摆幅，有效提升了高性能IGZO晶体管的集成密度，适用于高清显示和高密度集成电路。
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公开(公告)号：CN119607404A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411747450.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: A61N1/04 , A61N1/36 , H02S40/30 , H10F30/223 , H10F71/10 , H10F77/169
Abstract: 本发明涉及生物医用材料领域，公开了一种柔性光电皮肤贴片，由竖直非晶硅径向结PIN结构光电单元和柔性透明的衬底组成。所述柔性光电皮肤贴片的制备主要包括在氧化硅片衬底上通过气‑液‑固（VLS）机制生长非晶硅径向结纳米线，之后整体转移到柔性透明的衬底表面，获得可以保形贴附在皮肤表面的柔性光电贴片，光照下加速皮肤伤口的修复。该光电器件采用低温生长工艺制备，成本低廉，制备简单，且突出的三维结构赋予器件优异的柔性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118553812A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410606302.7
申请日：2024-05-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/028 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B9/60 , C25B11/02 , C25B11/055
Abstract: 本发明公开了一种平面内轴向多结纳米线的制备方法，包括如下步骤：第一步，通过光刻和刻蚀在氧化硅片衬底表面制备引导沟槽，然后通过光刻在沟槽末端制备条带区域，蒸镀催化金属薄膜，并通过剥离工艺形成催化金属条带；第二步，采用氢等离子体和加热处理，使催化金属形成球形液滴；第三步，制备掺杂非晶硅；第五步，在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）中，加热退火生长硅纳米线，并通过氢等离子体去除未参与反应的非晶硅，通过盐酸去除残留的催化金属，获得连续的p、n超晶格轴向结纳米线光电阵列。本发明平面内集成的轴向结纳米线光电单元具有p型和n型晶硅段长度、位置、形貌以及结数可编程制备的特点，且制备温度低、成本低。
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公开(公告)号：CN114414515B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210093675.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/35
Abstract: 本发明公开一种基于电场调控的红外片上光谱分析系统、制备方法、用途及其光谱重构方法，涉及到器件设计、器件制备的方法和简化的高精度光谱重构算法等几个方面。基于半导体纳米薄膜本征的各向异性特点，在场的作用下，表现出极强的电子、声子、空穴、激子等多体相互作用如子空穴等离子体/液体（EHP/EHL）现象，通过电场调控EHP/EHL的Franz‑Keldysh效应可以实现吸收边调控从而实现波长连续可调的光谱分析，基于EHP/EHL的强相互作用大大提升了探测灵敏度，此外电场和EHP/EHL吸收边调控对角化关系简化并提升了光谱重构的精确度；本发明公(56)对比文件施毅，等.金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性.半导体学报.2006,(第04期),712-716.朱新峰，等.光谱学中的稀疏化方法.计算机与应用化学.2017,第34卷(第08期),588-596.刘宇.黑磷纳米带的电子能态及双光子吸收性质的理论研究.中国优秀硕士学位论文电子期刊信息科技辑.2019,(第12期),1-79.陈维.基于微波光子变频的光矢量分析技术研究.中国优秀硕士学位论文电子期刊基础科技辑.2021,(第7期),A005-98.Yuan S等.A wavelength-scale blackphosphorus spectrometer.NaturePhotonics.2021,第15卷(第8期),601-607.Yuan S等.A wavelength-scale blackphosphorus spectrometer.NaturePhotonics.2021,第15卷(第8期),601-607.
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公开(公告)号：CN113241376B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110538267.6
申请日：2021-05-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L21/34 , H01L21/44 , G01N27/414 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种全环绕沟道场效应晶体管，包括衬底，所述衬底表面设置有悬空高导电性微米或纳米线状材料作为栅，所述栅的外层依次设有介质层和气体敏感层；所述栅的一端和外层气体敏感层两端分别沉积金属电极用于连接外部测试电路。本发明适用范围广，可定位可集成的CAA背栅场效应晶体管并用于气体传感器领域，改善气体传感器的气敏性能。
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公开(公告)号：CN114414515A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210093675.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/35
Abstract: 本发明公开一种基于电场调控的红外片上光谱分析系统、制备方法、用途及其光谱重构方法，涉及到器件设计、器件制备的方法和简化的高精度光谱重构算法等几个方面。基于半导体纳米薄膜本征的各向异性特点，在场的作用下，表现出极强的电子、声子、空穴、激子等多体相互作用如子空穴等离子体/液体（EHP/EHL）现象，通过电场调控EHP/EHL的Franz‑Keldysh效应可以实现吸收边调控从而实现波长连续可调的光谱分析，基于EHP/EHL的强相互作用大大提升了探测灵敏度，此外电场和EHP/EHL吸收边调控对角化关系简化并提升了光谱重构的精确度；本发明公开的这种红外片上光谱分析系统,能够广泛应用于生物医学、环境卫生、智能器件等领域。
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公开(公告)号：CN113968571A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111227324.5
申请日：2021-10-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线制备方法，包括如下步骤：1）采用旋涂的方法在衬底上旋涂一层电刻胶；2）利用电子束直写对预设形状的无掩膜图案进行曝光，电刻胶变性成为二氧化硅，曝光后形成由宽激活生长区域沟道和窄密排沟道构成的闭合沟道；3）以步骤2）所形成的闭合沟道为衬底，再次利用光刻电子束直写或者掩膜板技术在所述宽激活生长区域定义横向于沟道的图案并进行显影，以定义催化剂区域；4）在定义的催化剂区域淀积一层带状的催化金属层。本发明通过激活生长逐渐转变为限制引导，能够实现100%长线率，同时更为严格地控制纳米线的直径及生长路径并具有更高地晶格质量。
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