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公开(公告)号：CN107631664A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710741380.8
申请日：2017-08-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种含能MOFs薄膜半导体桥及其制备方法。所述的含能MOFs薄膜半导体桥采用纳米喷涂的方法将MOFs组装到半导体桥芯片表面形成MOFs薄膜制得，具体是配置硝酸钴的乙醇溶液以及3-硝基-1H-1,2,4-三唑的乙醇溶液，采用纳米喷涂方法将硝酸钴溶液，3-硝基-1H-1,2,4-三唑溶液以及乙醇依次循环喷涂在半导体桥芯片上，干燥后半导体桥芯片上得到一层含能MOFs薄膜。本发明的含能MOFs薄膜半导体桥通过增添的含能MOFs薄膜能够在点火过程中产生高温等离子体与高温飞溅物的复合火焰，提高输出能量并且增加对一些对等离子体不敏感的药剂，如斯蒂芬酸铅和叠氮化铅的点火能力，具有高发火能量、低感度，高安全性的优点。
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公开(公告)号：CN104851977B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510174922.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种有机含能芯片及其采用硅片为衬底制备的方法。包括以下步骤：将待反应硅片置于去除氧气后的R1盐溶液中搅拌加热，得到R1/Si含能芯片；将步骤1中得到的含能芯片清洗后加入到DMF中，加入K2CO3搅拌形成酚盐，再加入二溴乙烷，搅拌加热，得到二溴乙烷/R1/Si含能芯片；将步骤2得到的含能芯片依次重复步骤1和步骤2，反复(n‑1)次；将R2含能化合物溶解于DMF中，加入K2CO3，室温搅拌反应，形成相应盐溶液；将步骤3中的含能芯片加入步骤4中，搅拌加热，得到Si~R2 的（n+1）层含能芯片。本发明是一种操作简单的湿化学方法，在温和条件下可制备具有高发火量、长发火时间的有机含能薄膜材料。
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公开(公告)号：CN105647512A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510961621.0
申请日：2015-12-18
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: C09K11/06 , C07F5/022 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , G01N21/33 , G01N21/643
Abstract: 本发明公开了一种Cu2+荧光探针、制备方法及其应用。本发明以2,4-二甲基吡咯、对甲氧基苯甲醛和水杨酰肼为原料，经过四个合成步骤得到荧光探针。所述的荧光探针在N,N-二甲基甲酰胺与水的混合溶液中，能够很好的识别Cu2+，并且不受其它金属离子和常见阴离子的干扰，具有很高的灵敏度，荧光探针溶液无论是在可见光还是365nm紫外灯下颜色都发生了明显的变化。
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公开(公告)号：CN105177517A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510611102.1
申请日：2015-09-23
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米铝热剂及其制备方法，具体制备步骤为：将基底垂直浸入PS高分子微球分散液中，利用溶剂蒸发形成的弯曲液面进行PS高分子微球的定向排列自组装形成胶晶模板；配制纳米复合金属氧化物前驱液；将PS胶晶模板放入配制的前驱液中，浸泡3～5min后取出，然后转移到烘箱中干燥得到PS/前驱液复合薄膜；将PS/前驱液复合薄膜放入马弗炉中进行程序升温煅烧，移除PS胶晶模板后生成三维有序大孔纳米复合金属氧化物；利用磁控溅射法将铝沉积到纳米复合金属氧化物的孔道中，得到基底载有纳米复合金属氧化物铝热薄膜的纳米铝热剂。本发明操作简单，在温和条件下可制备具有能量密度高、三维尺度小、制备工艺与MEMS制造技术相兼容等优点的纳米铝热剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102278924A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010198019.3
申请日：2010-06-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42D1/05
Abstract: 本发明公开了一种智能起爆控制系统，包括起爆控制器、电子雷管，起爆控制器通过USB接口线连接着计算机，该计算机将写雷管的ID号、写延时时间、寻址识别的点名、雷管的充电、放电和起爆的控制指令通过USB接口线传输到起爆控制器，所述的起爆控制器包括起爆器单片机、接口电路、ID号写入口驱动电路、起爆控制驱动电路、反向器、稳压电源、ID号写入接口和起爆口，该起爆器单片机通过接口电路分别与ID号写入口驱动电路、起爆控制驱动电路连接。本发明采用了ID编号，每个雷管有一个固定的编号，方便了雷管的安全管理和流通管理，不知道ID号是不可能引爆雷管，避免和控制了雷管的误用和引爆。
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公开(公告)号：CN202836367U
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201220512005.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42B3/13
Abstract: 本实用新型公开了一种用于电火工品的表面封装半导体桥换能元件，包括电极塞，电极塞的脚线电极，印制电路板，印制电路板的两个面上分别对称设置两个焊盘电极，在与电极塞接触的面的焊盘电极上留有若干个用于连接芯片的导电胶的标记盂，在印制电路板上设置两个用于穿过电极塞的脚线电极的电极孔，电极孔同时穿过印制电路板两个面的焊盘电极，且与其相连，在印制电路板的中心留有开孔，在印制电路板的与电极塞接触的面安装有半导体桥芯片，开孔对准半导体桥芯片的桥区；本实用新型在印制电路板中心开孔，采用芯片倒扣的表面组装技术，一道工艺就可靠的完成芯片与印制电路板电极连接；结构简单，焊接强度高，作用可靠，产品合格率高制造成本低。
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公开(公告)号：CN202974055U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220618921.0
申请日：2012-11-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42B3/13
Abstract: 本实用新型公开了一种电火工品用半导体桥换能芯片，包括多晶硅桥台阶、电极和绝缘层多晶硅桥台阶与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆弧形，本实用新型因为只需要在将半导体桥的桥区两端设计为圆弧形状桥区，使其在电磁场的环境中场强密度均匀，不易出现场强在局部集中密度增强的问题，同时两端圆弧形状的桥区还保留了火工品的发火临界能量低的需求，结构特别简单不需要增加成本；容易同步实现发火临界能量低发火可靠性的需求和提高抗静电强度的要求。
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公开(公告)号：CN209055019U
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201822249904.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 南京理工大学工程技术研究院有限公司
IPC: F42C19/00
Abstract: 本实用新型公开了一种多层电路板组合的半导体桥火工品装置，其特征在于，包括圆环形上电极(1)、中间层(2)和下电极(3)，所述中间层(2)位于上电极(1)和下电极(3)之间，所述中间层(2)包括中间层上部第一电极(7)、中间层上部第二电极(8)、中间层下部电极(9)、半导体桥芯片(4)、电连接孔(6)，所述中间层上部第一电极(7)与上电极(1)电连接，所述半导体桥芯片(4)位于中间层上部第一电极(7)和中间层上部第二电极(8)之间并实现二者的电连接，中间层上部第二电极(8)通过电连接孔(6)与中间层下部电极(9)连接，中间层下部电极(9)与下电极(3)电连接。
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公开(公告)号：CN202328355U
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201120293260.4
申请日：2011-08-12
Applicant: 南京理工大学
IPC: F23Q3/00
Abstract: 本实用新型公开了一种孔内嵌导电含能材料的点火器，包括基底、电极，在基底上设置两个电极，在两个电极之间的基底上进行腐蚀形成多孔材料，在多孔材料中填充能导电的含能材料从而构成电桥，使电桥通电后产生火花。本实用新型在器件电极之间由于有金属等导电物质的存在，解决了上述两个专利中点火器件的电流难以导通的难题，使得器件更容易使用，省去了含能材料的装药等过程，且其装药量少，因此其生产的安全性得到了很大的提高。
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