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公开(公告)号：CN105420695A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510765158.2
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种铝镓有机源混溶式自限制性表面吸附反应制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1-x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1-xTix)O3的潜在替换者。
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公开(公告)号：CN103801285B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410045544.X
申请日：2014-02-08
Applicant: 南通大学
IPC: B01J23/22 , B01J35/02 , A62D3/17 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A62D101/26 , A62D101/28
Abstract: 本发明涉及一种具有可见光响应能力核壳结构光催化材料及制备方法。所述材料以ZnO的棒状单晶体为核，包覆V2O5多晶壳层。其制备方法包括：采用热蒸发方法，以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，氮气保护下，在以棒状ZnO纳米材料表面沉积V2O5的前驱体；最后将包覆后的材料通过热氧化的形成V2O5@ZnO核壳结构光催化材料。本发明的核壳光催化材料形貌可控，重复性强，材料结构稳定，光催化效果好，本发明方法工艺简单，适合大规模工业生产，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104032372A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410271430.7
申请日：2014-06-17
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/VO2复合纳米材料及其制备方法。所述材料依附在氧化铝衬底上并具有呈周期性排列分布的单元，每个单元是由包覆VO2多晶壳层的若干ZnO四角棒构成的单晶纳米结构，相变温度为71.2oC，具有可逆的金属—绝缘相变特性。该材料的制备首先以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶四角棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，在氧气占8%~11%的氮氧混合气环境下，在ZnO纳米材料表面沉积多晶VO2薄膜；最后移除模板得到图形化VO2/ZnO复合相变材料。优点是，该方法制得的VO2纳米结构形貌丰富，具有VO2的金属—半导体相变特性，又结合了ZnO的宽禁带半导体的特性，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101866839A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010179894.7
申请日：2010-05-24
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/318
Abstract: 本发明涉及一种应用掩膜保护进行激光快速加热方法。首先将多晶硅衬底的硅片置于PECVD沉积装置完成非晶硅薄膜淀积；然后进行氮化硅薄膜的淀积，形成氮化硅薄膜的掩膜；将含有所述掩膜的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性性容器中，用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持输出功率不变的情况下，通过调节脉冲频率，达到薄膜外延生长的晶粒尺寸要求，再用氢氟酸水溶液去除氮化硅保护层。本发明使薄膜外延晶粒可控，且通过淀积形成掩膜防薄膜氧化，并通过对激光的增透能力提高激光在衬底中的能量利用率，以降低激光的耗能，提高了薄膜的质量，优化了激光洁净工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117405522A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311363547.3
申请日：2023-10-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供一种柔性微波薄膜器件的仿真环境下的弯曲、折叠、扭曲测试方法，在设定的湿度环境和温度、汗渍条件下，模拟真实穿戴时的不同条件，使用弯曲测试仪器对柔性微波薄膜器件样品进行弯曲、折叠、扭曲测试；对比不同测试条件下的测试结果，评估柔性微波薄膜器件的性能稳定性和可靠性；根据数据分析结果，得出柔性微波薄膜器件在不同湿度、温度、汗渍环境下的弯曲、折叠、扭曲性能评价结论。
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公开(公告)号：CN116223571A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111458343.9
申请日：2021-12-02
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种用于脉冲喷雾式制造湿度传感器芯片的装置，包括用于容置矩形衬底的腔体，腔体内部相对设置有第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴；第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴分别用于交替脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料；第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料的电阻率敏感依赖于环境湿度；第一雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料，衬底上沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低；第二雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第二湿度敏感材料，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐降低。第一雾化喷嘴、第二雾化喷嘴、第一射流式雾化器、第二射流式雾化器均为固定设置，避免了制造装置容易疲劳损坏的问题。
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公开(公告)号：CN116148316A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111384311.9
申请日：2021-11-22
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种湿度传感器芯片的制造方法，其目的在于：实现宽湿度测量范围，并且大幅度降低制造工艺复杂性和制造成本。其实现的技术方案为，采用电阻型湿度敏感材料来实现湿度传感器的制造，湿度敏感材料沉积在衬底上，衬底具有叉指电极。从衬底的第一边缘到第二边缘的方向上，沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐升高，湿度敏感材料组分发生连续的变化。所选择出的第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料具有不同的湿度敏感特性曲线，具备不同的最佳感湿范围。两种湿度敏感材料的最佳感湿范围差别越大，本发明所得到的最终湿度传感器的湿度测量范围越宽。
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公开(公告)号：CN115901869A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202111158676.X
申请日：2021-09-30
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明揭示了一种宽测量范围的电阻型湿度传感器，在衬底上设置有湿度敏感材料和一对平行的电极，湿度敏感材料位于一对电极之间构成湿度敏感电阻，其特征在于：沿着电极的长度方向上，设置湿度敏感材料为非均匀分布，使得湿度敏感材料的电阻率—湿度特征曲线呈现逐渐变化；沿着电极的长度方向上，即由近端至远端，湿度敏感材料的电阻率—湿度特征曲线呈现逐渐变化，使得：不同位置处的湿度敏感材料具有不同的最佳感湿灵敏度。
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公开(公告)号：CN115696892A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211254294.1
申请日：2022-10-13
Applicant: 南通先进通信技术研究院有限公司 , 南通大学
Abstract: 本发明公开了硫化钴铌/碳化二铌复合吸波材料及其制备方法和应用，属于微波信号屏蔽材料技术领域。本发明硫化钴铌/碳化二铌复合吸波材料以硫化钴铌作为负载物附着在作为载体的手风琴状形貌多层Nb2C的层间和表面，形成表面修饰的稳定多层多孔隙材料结构，具有高导电性和化学稳定性，并且，制备方法简单有效，工艺步骤少，可重复性及产品纯度高。以硫化钴铌/碳化二铌复合吸波材料为主料、二甲基亚砜和羟乙基纤维素作为助溶剂和增稠剂制得的微波信号屏蔽涂层浆料，具有化学稳定性好，电磁屏蔽效能高、应用场景广泛等优点。
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