公开(公告)号：CN101937880A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010218125.3

申请日：2010-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  许国经 ,  陈承先 ,  萧景文

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T428/1476

Abstract: 本发明提供一种薄晶片处理结构及薄晶片接合及剥离的方法，该薄晶片处理结构包含一半导体晶片；一剥离层，其可由施予能量予以剥离；一粘着层，其可由一溶剂予以移除，其中此剥离层由涂布或压合方式施加在载材上，此粘着层以涂布或压合方式施加在此半导体晶片上；以及此剥离层及此粘着层位于此半导体晶片及此载材之间并将其相互接合。此方法包含施加一剥离层至一载材上；施加一粘着层至一半导体晶片上；接合此载材及此半导体晶片；对此剥离层施予UV或激光的能量以剥离此剥离层；以及以溶剂清洁此半导体晶片表面以移除所有的粘着层残余物。本发明的晶片在剥离后的清洁表面，及在后结合工艺中具有良好的化学抵抗性。

公开(公告)号：CN101877336A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010170969.5

申请日：2010-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  黄宏麟 ,  许国经 ,  陈承先

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2224/13 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/14

Abstract: 一种集成电路结构与形成集成电路结构的方法。其中集成电路结构包括一半导体基板其具有一正面与一背面，与一导孔(conductive via)其贯穿该半导体基板。该导孔包括一后端延伸至该半导体基板的背面。一重新分布线(redistribution line，RDL)于该半导体基板的背面上且电性连接至该导孔的后端。一保护层于该重新分布线上，伴随着一开口于该保护层中，其中该重新分布线的一部分经由该开口被露出。一铜柱(copper pillar)具有一部分于该开口中且电性连接至该重新分布线。本发明有益的特征包括介于堆叠的晶粒间的经改善的结合力与经增加的平衡。