公开(公告)号：CN102983106B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210011542.X

申请日：2012-01-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘浩君 ,  庄其达 ,  萧景文 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  陈志华

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L21/66 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种层叠封装结构和系统级封装结构的封装和功能测试。本发明提供一种方法，包括在夹具上放置多个底部单元，其中多个底部单元没有切割开并且形成集成组件。多个底部单元中的每个都包括封装基板和接合到该封装基板的管芯。将多个上部组件叠层放置在多个底部单元上，其中，焊球位于多个上层组件和多个底部单元之间。实施回流，从而通过焊球连接多个上部组件叠层和多个底部单元中的相应一个。

公开(公告)号：CN104617043A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510029812.3

申请日：2007-12-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 普翰屏 ,  楼百尧 ,  王宗鼎 ,  萧景文 ,  卿恺明 ,  郭正铮 ,  邱文智 ,  鲁定中 ,  侯上勇

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种元件的制造方法。提供基底，包括多个芯片，芯片间是以切割线区域分隔，其中基底上至少形成一结构层。以黄光光刻和蚀刻工艺移除切割线区域中的部分结构层，形成多个开口。沿着切割线区域切割基底。在另一个实施例中，提供第一基底，其中第一基底上至少形成第一结构层。图形化第一结构层，于第一切割线区域中形成多个第一开口。提供第二基底，其中第二基底上至少形成第二结构层。图形化第二结构层，于第二切割线区域中形成多个第二开口。接合第一基底和第二基底，形成堆叠结构。沿着第一切割线区域和第二切割线区域切割堆叠结构。本发明提出的半导体元件的制造方法可减少切割工艺产生的剥离、崩缺或脱层等问题，改善生产合格率。

公开(公告)号：CN103579204A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210460059.X

申请日：2012-11-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 罗雪怡 ,  萧景文 ,  陈旭贤 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/64

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/642 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2413 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了包括电容器的封装结构及其形成方法。一种封装件包括管芯、封装剂和电容器。封装件具有封装件第一面和封装件第二面。管芯具有对应于封装件第一面的管芯第一面，并且具有对应于封装件第二面的管芯第二面。管芯第一面与管芯第二面是相对的。封装剂围绕管芯。电容器包括位于封装剂中的第一板和第二板，并且第一板和第二板的对置表面在从封装件第一面到封装件第二面的方向上延伸。外部导电连接件接合至封装件第一面和封装件第二面中的至少一个面。

公开(公告)号：CN102983106A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210011542.X

申请日：2012-01-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘浩君 ,  庄其达 ,  萧景文 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  陈志华

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L21/66 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种层叠封装结构和系统级封装结构的封装和功能测试。本发明提供一种方法，包括在夹具上放置多个底部单元，其中多个底部单元没有切割开并且形成集成组件。多个底部单元中的每个都包括封装基板和接合到该封装基板的管芯。将多个上部组件叠层放置在多个底部单元上，其中，焊球位于多个上层组件和多个底部单元之间。实施回流，从而通过焊球连接多个上部组件叠层和多个底部单元中的相应一个。

公开(公告)号：CN102142418A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010169929.9

申请日：2010-04-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄曜群 ,  郭正铮 ,  萧景文 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 本发明揭示一种半导体结构及半导体装置的制造方法，所述半导体结构具有T型立柱(post)。T型立柱具有底层凸块金属化(under bump metallization，UBM)部及延伸自UBM部的一柱体部。UBM部及柱体部可由相同或不同的材料所构成。在一实施例中，一基底，例如芯片、晶片、印刷电路板、封装基底等等，具有T型立柱且与另一基底(例如，芯片、晶片、印刷电路板、封装基底等等)的接触窗接合。T型立柱可具有一焊料预先形成于柱体部上，使柱体部露出来或使焊料覆盖柱体部。在另一实施例中，T型立柱可形成于一基底上，而焊料则形成于另一基底上。本发明能够维持半导体装置的结构完整性，防止在凸块电极/立柱与焊球/凸块之间的接垫区域内形成裂缝。

公开(公告)号：CN102054811A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010158589.X

申请日：2010-04-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧景文 ,  吴俊毅 ,  黄儒瑛 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭示一种集成电路结构，包括：一第一工作部件及一第二工作部件。第一工作部件包括一半导体基底以及位于半导体基底上方的一铜凸块。第二工作部件包括一接合垫。一焊料邻接于第一工作部件与第二工作部件之间，其中焊料将铜凸块电性连接至接合垫。焊料包括钯。本发明使焊料的可靠度有明显的改善。

公开(公告)号：CN102013421A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010273532.4

申请日：2010-09-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄宏麟 ,  萧景文 ,  许国经 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/818 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明揭示一种集成电路结构，包括：一半导体基底；一基底通孔电极穿过半导体基底；以及一含铜立柱(post)，位于半导体基底上方且电性连接至基底通孔电极。通过形成含铜立柱来取代焊料凸块，可使含铜立柱的厚度获得良好的控制且可低于用于将晶片接合至承载晶片的粘着层可行的厚度。如此一来，晶片的内部结构可获得较佳的保护。

公开(公告)号：CN101728362A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910119324.6

申请日：2009-03-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曾明鸿 ,  卿恺明 ,  陈承先 ,  萧景文 ,  黃宏麟 ,  王宗鼎 ,  谢元智

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提出了一种堆叠半导体衬底的系统、结构和制造方法。第一衬底包括第一侧与第二侧。穿透衬底通孔从第一衬底的第一侧突出，穿透衬底通孔的第一突出部具有导电保护涂层，以及穿透衬底通孔的第二突出部具有隔离衬垫。该系统还包括第二衬底以及接合界面结构，其中接合界面结构在穿透衬底通孔的第一突出部的导电保护涂层处将所述第二衬底结合到第一衬底上。

公开(公告)号：CN115497898A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210073216.5

申请日：2022-01-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 朱强瑞 ,  萧景文 ,  刘浩君

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

摘要： 一种集成电路具有角落区以及角落区之间的非角落区，且包括半导体衬底、导电垫、钝化层、后钝化层、第一导电柱以及第二导电柱。导电垫配置在半导体衬底上。钝化层以及后钝化层依序地配置在导电垫上。第一导电柱以及第二导电柱配置在后钝化层上且与导电垫电连接。第一导电柱配置在角落区中且第二导电柱配置在非角落区中。每一第一导电柱具有主体部以及与主体部连接的突出部。第一导电柱的主体部的中心轴与第一导电柱的突出部的中心轴有偏移。

公开(公告)号：CN103715166B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201310018281.9

申请日：2013-01-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈志华 ,  陈承先 ,  萧景文 ,  曾明鸿

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

摘要： 本发明提供了一种部件封装件和形成方法。第一部件封装件可包括第一半导体器件，具有附接至第一半导体器件的两侧的一对中介件。每个中介件可包括形成在其中的迹线以提供电连接至形成在各中介件的表面上的导电部件。多个通孔可提供将中介件相互电连接。第一中介件可提供至印刷电路板或者后续半导体器件的电连接。第二中介件可提供至第二半导体器件和第二部件封装件的电连接。第一和第二部件封装件可组合以形成封装件层叠(“PoP”)结构。本发明还提供了用于部件封装件的装置和方法。