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公开(公告)号：CN113758562A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111051892.4
申请日：2021-09-08
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01J1/42
摘要： 一种基于硒化铜纳米管或硒化铜/硫化铋纳米管复合材料的宽光谱探测器及其制备方法，属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的硒化铜/硫化铋纳米管复合材料是由Cu3Se2纳米管和Bi2S3纳米片构成，所述方法为：利用室温溶液法合成Se纳米线；将所制备的Se纳米线作为模板和反应Se源，获得Se@Cu2Se纳米结构；通过退火处理得到Cu3Se2纳米管；室温下，通过溶液合成法在Cu3Se2纳米管表面生长Bi2S3纳米片，制备出同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料；制作器件。本发明主要利用简单、易实现的室温溶液法合成了Cu3Se2纳米管和同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料，并进一步制备了具有自供能特性的光电探测器件，成本低、易操作、无污染，适用于大规模生产，具有很高的应用价值和前景。
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公开(公告)号：CN112938890A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110201441.8
申请日：2021-02-23
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种基于黑磷辅助的二氧化钒/掺杂硅组合的高效非接触光子热二极管。本发明属于热调整器领域。本发明的目的是为了解决现有热二极管系统热整流系数较低，整流效果差，并且其整流能力一旦设定则无法调整，缺乏主动的可调性的技术问题。本发明的光子热二极管由热流正向端口复合异质结构和热流反向端口复合异质结构构成，且二者之间具有真空间隙并平行设置，所述热流反向端口复合异质结构由上至下依次为反向端基底、反向端热致色变层、反向端黑磷层；所述热流正向端口复合异质结构由上至下依次为正向端黑磷层、正向端内膜、正向端基底，所述反向端热致色变层为二氧化钒薄膜，所述正向端内膜为P型掺杂硅膜层。本发明的光子热二极管整流效果好。
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公开(公告)号：CN111552087A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010333549.8
申请日：2020-04-24
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种将环形光束与共轴反射式光学系统耦合的方法，涉及一种光束耦合方法。光纤激光器输出光束通过扩束镜组进行扩束，用于匹配光纤激光器输出光束直径与相位调制器口径关系，相位调制器将扩束后的光束调制为环形光束，环形光束经合束镜合成与分光后折射向快反镜，经快反镜在物方空间快速扫描后，由背侧表面穿过共轴主反射镜中心开设的穿孔折射向共轴次反射镜正侧表面，共轴次反射镜与共轴主反射镜均为凹抛物面镜，采用二次成像设计构成开普勒望远结构，经共轴次反射镜正侧表面折射向共轴主反射镜正侧表面，最后由共轴主反射镜正侧表面输出。将相位调制的环形光束与共轴反射式光学系统光瞳匹配，提高了口径利用率。
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公开(公告)号：CN110274827A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910651105.6
申请日：2019-07-18
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N3/08
摘要： 本发明公开了一种适用于触点熔焊力测试的试验系统及方法，所述试验系统包括电动滑台、动触点弹簧座、动软连接、传感器绝缘子、静触点夹具、力传感器，其中：所述电动滑台上安装有动触点弹簧座，电动滑台带动动触点弹簧座进行上、下方向的运动；所述动触点弹簧座的正下方设置有静触点夹具；所述动触点弹簧座和静触点夹具上设置有动软连接；所述静触点夹具的下端安装有传感器绝缘子；所述力传感器通过传感器绝缘子与静触点夹具相连接。相较于目前在开关电器研发过程中的熔焊力测试方法，本发明能够降低试验成本与试验周期，且实验结果更加清晰直观，便于开关电器设计人员及时评价相关设计方案的优劣，进而提高研发效率。
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公开(公告)号：CN106990412B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710330065.6
申请日：2017-05-11
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种干涉合成孔径激光雷达系统的图像配准方法，涉及InSAL系统的图像配准算法，为了解决InSAR的配准方法配准效果差、配准速度慢的问题。该发明包括估算出配准平移的尺度，以最大相关函数作为配准标度进行标准点粗配准，划定分割位置，两个分割位置之间的标准点为近零多普勒位置标准点，采用谱配准方法得到标准点精配准偏移量，两个分割位置之外的标准点为远零多普勒位置标准点，采用最大相关函数作为配准标度得到标准点精配准偏移量，将标准点精配准偏移量组合得到主图像的标准点精配准偏移量矩阵，确定主图像中任意一个像元的偏移量；根据偏移量，采用三次样条函数插值方法对辅图像进行重采样。本发明适用于InSAL系统的图像配准。
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公开(公告)号：CN106124857B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610415938.9
申请日：2016-06-08
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01R23/06
摘要： 一种基于电光法珀腔的微波光子学频率测量装置，属于微波光子学的测量技术领域。所述装置包括：双驱动马赫增德尔调制器，用于将待测微波信号通过调制载波进行抑制载波单边带调制；电光波导法珀腔，用于通过透射光谱的移动对抑制载波单边带调制后的信号进行可调谐滤波处理；探测器，用于探测所述电光波导法珀腔进行可调谐滤波处理后的信号，并当探测到信号时，确定所述待测微波信号的频率。本发明实施例通过透射光谱的移动对抑制载波单边带调制后的信号进行可调谐滤波处理可以实现对信号的快速扫描，大大缩短了信号探测时间，从而可以实现对超短脉冲信号的频率测量。
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公开(公告)号：CN107817256A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711009856.5
申请日：2017-10-25
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N23/20
摘要： 一种用于光学晶体超精密加工亚表面损伤的无损检测方法，本发明涉及超精密加工亚表面损伤的无损检测方法。本发明的目的是为了解决现有技术主要是基于某一特定的亚表面损伤形式或对某一微小截面区域的亚表面损伤形式进行检测，检测过程往往具有破坏性，其检测结果不能全面准确地反映实际加工过程中光学晶体材料的亚表面损伤形式的问题。过程为：一、将被检测光学晶体置于可移动工作台上；二、使X射线源产生的X射线与被检测光学晶体表面平行；三、使X射线与晶体表面形成一定夹角；四、得到X射线与晶体结构发生衍射时的衍射特征谱线信息；五、重复三、四，完成对光学晶体超精密加工亚表面损伤的无损检测。本发明用于无损检测领域。
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公开(公告)号：CN107748171A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711009854.6
申请日：2017-10-25
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N23/207
摘要： 用于消除光学晶体超精密加工亚表面损伤检测样品安装误差的方法，本发明涉及用于消除光学晶体亚表面损伤检测样品安装误差的方法。本发明为了解决光学晶体超精密加工亚表面损伤无损检测中存在样品安装误差问题。本发明包括：一：安装被检测光学晶体；二：调整X射线源初始位置；三：使X射线与被检测光学晶体表面之间形成实际入射角ω′并固定；四：进行检测；五：得到不同实际入射角ω′条件下X射线与检测表面和亚表面晶体结构发生衍射的特征谱线信息；六：计算样品安装角度误差δ；七：根据得到的δ修正实际入射角ω′，消除光学晶体超精密加工亚表面损伤检测过程中由于样品安装造成的误差。本发明用于光学晶体表面损伤检测领域。
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公开(公告)号：CN105487067B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510990679.8
申请日：2015-12-25
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01S7/48
摘要： 粗测和精测距离信号处理方法、处理模块及基于该模块的啁啾调制光子计数激光雷达系统，涉及激光雷达技术领域，具体涉及基于相位后处理方法的啁啾调制光子计数激光雷达测距技术领域。为了解决现有啁啾调制光子计数雷达测距误差大的问题。先通过中频频谱质心算法获得一个粗测的距离值，再通过对中频波形的相位后处理获得一个精细的距离测量值，将粗测值和精细值的互补在一起，从而有效的提高测距精度。本发明适用于啁啾调制光子计数激光雷达测距系统。
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公开(公告)号：CN106918845A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710308205.X
申请日：2017-05-04
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01V8/10
CPC分类号： G01V8/10
摘要： 基于偏振探测的远距离激光半主动方位测量装置，涉及远距离目标方位探测技术领域。本发明是为了解决现有激光方位测量装置进行远距离目标方位探测时，输入信号会被系统噪声所淹没，影响激光方位测量装置的探测能力的问题。本发明所述的基于偏振探测的远距离激光半主动方位测量装置，传统激光半主动方位测量装置的光学透镜组前依次设有一号1/4波片、二号1/4波片和四象限偏振片，且四象限偏振片与光学透镜组相邻，二号1/4波片仅覆盖四象限偏振片的第一象限和APD探测器的第一象限。本发明适用于进行远距离目标方位探测。
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