一种制备无铅Sn-Cu合金焊料的双脉冲电镀液及电镀工艺

    公开(公告)号:CN101748453A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910251701.1

    申请日:2009-12-31

    Inventor: 汤文明 黄书斌

    Abstract: 本发明公开了一种制备无铅Sn-Cu合金焊料的双脉冲电镀液及电镀工艺,是将金属化Si晶片放置于电镀液中通入双脉冲电流进行双脉冲电镀,所述的电镀液的化学成分为:柠檬酸三铵0.4-0.5mol/L、二水合氯化亚锡0.2-0.25mol/L、二水合氯化铜0.025-0.035mol/L,均为分析纯配制;所述的双脉冲电镀的参数为:频率为80-120Hz,双脉冲的占空比为18-22%,正/反向脉冲时间为900-1100/90-110ms,电流密度9-11mA/cm2。本发明合理选择电镀溶液配方及脉冲电沉积工艺参数来制备Sn-Cu合金焊料的方法,提高了电镀速率,且制备的制备的Sn-Cu合金焊料粗糙度低、厚度均匀、表面平整,孔隙少、结构致密、电镀层中的应力小。

    应用在深海极端环境下的放射源盒子及封装结构、电池

    公开(公告)号:CN115512869B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202211236866.3

    申请日:2022-10-10

    Abstract: 本发明公开了应用在深海极端环境下的放射源盒子及封装结构、电池。所述深海极端环境指:在200MPa压强下,同时承受所述放射源500~800℃的工况温度。所述盒子为多层结构,由内而外依次为:稀贵金属及合金体系层、钽钨基合金层、碳基材料层、镍铜基合金层。稀贵金属及合金体系层包括钌Ru、铑Rh、钯Pd、锇Os、铱Ir、铂Pt、钍Th及合金体系,合金的组成为其中任意几种的组合。钽钨基合金层为钽或钨合金或者是含有难熔金属元素的合金。碳基材料层为碳纤维结构或者石墨烯结构复合材料或者碳成分为主的复合材料。镍铜基合金层包含锆Zr、钛Ti、铌Nb、钒V强化剂中的至少一种。该结构同时具有熔点高、强度高、耐腐蚀性良好、力学性能高等优点。

    一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法

    公开(公告)号:CN105967186B

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201610292864.4

    申请日:2016-05-03

    Abstract: 本发明涉及种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法,包括以下步骤:a、将SiC粉料置于高温箱式电阻炉中,升温至1300~1600℃于空气中煅烧3~7h后,随炉冷却至室温;b、加入混合酸搅拌10~12h后,静置12~24h,用去离子水清洗至pH值为7.0后烘干;c、将SiC粉料置于高温烧结炉中,升温至1800~2200℃于氩气中煅烧3~7h,随炉冷却至室温;d、加入混合酸中搅拌10~12h,静置12~24h,去离子水清洗至pH值为7.0后于烘干。本发明的方法提高SiC晶体的结晶度,改善SiC颗粒的异构体现象,从而降低晶体结构和几何外形等缺陷对后续所制备的SiC/Al复合材料性能影响。

    一种高硅Sip/Al合金复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107058817B

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201710350779.3

    申请日:2017-05-18

    Abstract: 本发明公开了一种高硅Sip/Al合金复合材料的制备方法,对Si粉体进行淘洗,去除其中细小的Si颗粒,将经淘洗平均粒径为10‑50um的Si粉体与平均粒径为5‑20um的Al合金粉体配料,双轴滚筒混料,在钢模中400‑600MPa单向压制,高纯N2气氛660‑720℃常压烧结制备的30wt%Sip/Al合金复合材料的致密度为98.2%,抗弯强度为244.6MPa,热导率为139.1W/(m·K),25℃‑100℃的平均热膨胀系数为15.1×10‑6/K;50wt%Sip/Al合金复合材料致密度可达97%,抗弯强度达到214MPa,热导率达到130W/(m·K),25℃‑100℃的平均热膨胀系数低至10.1×10‑6/K。该高硅Sip/Al合金复合材料的综合性能优良,可用作高性能电子封装材料。

    一种通过高速压制制备高体积分数SiC颗粒增强Al基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN107641727A

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201710899306.9

    申请日:2017-09-28

    Abstract: 本发明公开了一种通过高速压制制备高体积分数SiC颗粒增强Al基复合材料的方法,包括SiC粉体的氧化处理混料、高速压制成型、N2气氛保护烧结和冷却步骤。本发明通过高速压制技术制备高体积分数的SiC颗粒增强Al基复合材料的压坯,该过程制备的压坯密度高且密度分布均匀、生产率高、成本低廉,可经济成形大型零件。SiC颗粒增强Al压坯经高速压制技术单次压制后,相对密度为85-92%,较高的压坯密度有利于降低烧结温度和烧结时间。在N2气氛保护下,压坯加热到铝合金熔点以上进行液相烧结,液相填充碳化硅颗粒之间的空隙和铝合金粉末间的冶金结合同时进行。烧结坯凝固冷却后的得到碳化硅分布均匀、相对密度94-98%、热导率150-190W/mK的碳化硅增强铝基复合材料。

    一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法

    公开(公告)号:CN105967186A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610292864.4

    申请日:2016-05-03

    CPC classification number: C01P2002/72 C01P2004/03 C01P2004/61 C01P2006/80

    Abstract: 本发明涉及一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法,包括以下步骤:a、将SiC粉料置于高温箱式电阻炉中,升温至1300~1600℃于空气中煅烧3~7h后,随炉冷却至室温;b、加入混合酸搅拌10~12h后,静置12~24h,用去离子水清洗至pH值为7.0后烘干;c、将SiC粉料置于高温烧结炉中,升温至1800~2200℃于氩气中煅烧3~7h,随炉冷却至室温;d、加入混合酸中搅拌10~12h,静置12~24h,去离子水清洗至pH值为7.0后于烘干。本发明的方法提高SiC晶体的结晶度,改善SiC颗粒的异构体现象,从而降低晶体结构和几何外形等缺陷对后续所制备的SiC/Al复合材料性能影响。

Patent Agency Ranking